二極管模塊是一種將多個二極管芯片集成在單一封裝中的功率電子器件，其主要結構包括半導體芯片、絕緣基板、電極和外殼。常見的封裝形式有TO-220、TO-247、DIP模塊和壓接式模塊等。模塊內部通常采用直接覆銅（DBC）或活性金屬釬焊（AMB）陶瓷基板，以實現高絕緣耐壓（如2.5kV以上）和優良散熱性能。例如，三相全橋整流模塊會將6個二極管芯片集成在氮化鋁（AlN）基板上，通過銅層實現電氣互連。這種模塊化設計不僅減小了寄生電感（可低于10nH），還通過標準化引腳布局簡化了系統集成，廣泛應用于工業變頻器和新能源發電領域。

整流二極管模塊常用于 AC-DC 轉換，通過橋式電路將交流電轉為脈動直流電。CRRC 二極管價錢

整流二極管模塊是AC-DC轉換的重要器件，廣泛應用于工業電源、充電樁和電鍍設備。這類模塊需具備高電流承載能力（可達數千安培）和優異的抗浪涌性能，以應對啟動瞬間的電流沖擊。例如，在電解鋁行業中，大功率整流模塊需持續工作在低電壓、大電流條件下，其散熱設計和并聯均流技術至關重要。現代整流模塊常采用銅基板和水冷散熱結構，以降低熱阻并提高功率密度。此外，模塊化設計還簡化了維護流程，可通過快速更換故障單元減少停機時間。

限幅二極管規格浪涌沖擊下，二極管模塊的玻璃鈍化層可能出現微裂紋，需通過耐壓測試篩查。

二極管具有單向導電性，二極管的伏安特性曲線如圖2所示 。二極管的伏安特性曲線在二極管加有正向電壓，當電壓值較小時，電流極小；當電壓超過0.6V時，電流開始按指數規律增大，通常稱此為二極管的開啟電壓；當電壓達到約0.7V時，二極管處于完全導通狀態，通常稱此電壓為二極管的導通電壓，用符號UD表示。
對于鍺二極管，開啟電壓為0.2V，導通電壓UD約為0.3V。在二極管加有反向電壓，當電壓值較小時，電流極小，其電流值為反向飽和電流IS。當反向電壓超過某個值時，電流開始急劇增大，稱之為反向擊穿，稱此電壓為二極管的反向擊穿電壓，用符號UBR表示。不同型號的二極管的擊穿電壓UBR值差別很大，從幾十伏到幾千伏。

二極管是用半導體材料(硅、硒、鍺等)制成的一種電子器件。二極管有兩個電極，正極，又叫陽極；負極，又叫陰極，給二極管兩極間加上正向電壓時，二極管導通， 加上反向電壓時，二極管截止。 二極管的導通和截止，則相當于開關的接通與斷開 。二極管具有單向導電性能，導通時電流方向是由陽極通過管子流向陰極。二極管是老早誕生的半導體器件之一，其應用非常廣。特別是在各種電子電路中，利用二極管和電阻、電容、電感等元器件進行合理的連接，構成不同功能的電路，可以實現對交流電整流、對調制信號檢波、限幅和鉗位以及對電源電壓的穩壓等多種功能 。英飛凌二極管模塊采用PressFIT壓接技術，簡化安裝流程，降低工業自動化設備的維護成本。

衛星和航天器電子系統需承受宇宙射線和單粒子效應（SEE）。特種二極管模塊采用寬禁帶材料（如SiC）和抗輻射加固工藝（如鈦合金屏蔽），確保在太空環境中穩定工作。例如，太陽翼電源調節器中，二極管模塊實現電池陣的隔離和分流，耐輻射劑量達100krad以上。模塊的金線鍵合和密封焊接工藝防止真空環境下的氣化失效。這類模塊通常需通過MIL-STD-883和ESCC認證，成本雖高但關乎任務成敗，是航天級電源的重要部件。 二極管模塊集成多個二極管芯片，提供高功率密度和穩定性能，廣泛應用于整流和逆變電路。雙基極二極管報價

Infineon模塊內置NTC溫度監測，實時保護過載，延長光伏逆變器的使用壽命。CRRC 二極管價錢

碳化硅（SiC）二極管模塊是近年來功率電子領域的重大突破，其性能遠超傳統硅基二極管。SiC材料的禁帶寬度（3.26eV）和臨界擊穿電場強度（10倍于硅）使其能夠承受更高的工作溫度和電壓，同時實現低導通損耗。例如，SiC肖特基二極管模塊的反向恢復電流幾乎為零，可大幅降低高頻開關損耗，適用于電動汽車電驅系統和大功率充電樁。此外，SiC模塊的耐溫能力可達200°C以上，明顯提升了系統可靠性。盡管成本較高，但SiC二極管模塊在新能源發電、航空航天等**領域的應用日益***，成為未來功率電子技術的重要發展方向。 CRRC 二極管價錢