占據全球 90% 市場份額的硅二極管，憑借 1.12eV 帶隙與成熟的平面鈍化工藝，成為通用。典型如 1N4007（1A/1000V）整流管，采用玻璃鈍化技術將漏電流控制在 0.1μA 以下，在全球超 10 億臺家電電源中承擔整流任務，其面接觸型結構可承受 100℃高溫與 10 倍浪涌電流。TL431 可調基準源通過內置硅齊納結構，實現 ±0.5% 電壓精度與 25ppm/℃溫漂，被用于鋰電池保護板的過充檢測電路，在 3.7V 鋰電池系統中可將充電截止電壓誤差控制在 ±5mV 以內。硅材料的規模化生產優勢，8 英寸晶圓單片制造成本低于 1 美元，但其物理極限限制了高頻（＞100MHz）與超高壓（＞1200V）場景。瞬態電壓抑制二極管（TVS）能快速響應過電壓，保護電路元件。閔行區IC二極管價位

航空航天領域對電子元器件的性能、可靠性與穩定性有著極為嚴苛的要求，二極管作為基礎元件，其發展前景同樣廣闊。在飛行器的電子控制系統中，耐高溫、抗輻射的二極管用于保障系統在極端環境下的正常運行；在衛星通信系統中，高頻、低噪聲二極管用于信號的接收與發射，確保衛星與地面站之間的穩定通信。隨著航空航天技術不斷突破，如新型飛行器的研發、深空探測任務的推進，對高性能二極管的需求將持續增加，促使企業加大研發投入，開發出更適應航空航天復雜環境的二極管產品。嘉善工業二極管代理商電子玩具中的二極管為其增添發光、發聲等有趣功能。

二極管是電子電路中實現單向導電的關鍵元件，如同電路的“單向閥門”，在整流、穩壓、開關等場景中扮演關鍵角色。其關鍵由PN結構成，通過控制電流單向流動實現功能，按材料可分為硅二極管（耐壓高、穩定性強，導通電壓0.6-0.7V）和鍺二極管（導通電壓低至0.2-0.3V，適合高頻小信號）；按結構分為點接觸型（高頻小電流，如收音機檢波）、面接觸型（低頻大電流，如電源整流）和平面型（集成工藝，適配數字電路）。

從用途看，整流二極管可將交流電轉為直流電，常見于充電器；穩壓二極管利用反向擊穿特性穩定電壓，是電源電路的“安全衛士”；開關二極管憑借納秒級響應速度，成為5G通信和智能設備的信號切換關鍵；肖特基二極管以0.3V極低壓降，在新能源汽車快充中大幅提升效率；發光二極管（LED）則將電能轉化為光能，覆蓋照明、顯示等場景。

隨著技術革新，碳化硅二極管突破傳統材料極限，耐高壓、耐高溫特性適配光伏逆變器等嚴苛環境；TVS瞬態抑制二極管更能在1ns內響應浪涌沖擊，為智能設備抵御靜電威脅。從消費電子到工業制造，二極管以多元形態和可靠性能，持續賦能電子世界的每一次創新。

車規級二極管在汽車電氣化中不可或缺。肖特基二極管（AEC-Q101 認證）在 OBC 充電機中實現 0.4V 正向壓降，充電速度提升 30%，同時耐受 - 40℃~+125℃溫度循環。快恢復二極管（FRD）在電驅系統中以 100kHz 開關頻率控制電機，效率達 95%，較硅基 IGBT 方案體積縮小 40%。碳化硅二極管集成于 800V 高壓平臺后，支持電動車超快充（10 分鐘補能 80%），同時降低電驅系統 30% 能耗。從發電機整流到 ADAS 傳感器保護，二極管以高可靠性支撐汽車從燃油向智能電動的轉型。隧道二極管具有負阻特性，能實現高速開關和振蕩，用于特殊電路。

光電二極管基于內光電效應實現光信號到電信號的轉換。當 PN 結受光照射，光子激發電子 - 空穴對，在結區電場作用下形成光電流，反向偏置時效應更。通過減薄有源層與優化電極，響應速度可達納秒級。 硅基型號（如 BPW34）在可見光區量子效率超 70%，用于光強檢測；PIN 型增大耗盡區寬度，在光纖通信中響應度達 0.9A/W；雪崩型（APD）利用倍增效應，可檢測單光子信號，用于激光雷達。 車載 ADAS 系統中，近紅外光電二極管（850-940nm）夜間可捕捉 200 米外目標，推動其向高靈敏度、低噪聲發展，滿足自動駕駛與智能傳感需求。碳化硅二極管耐高壓高溫，適配新能源汽車與光伏。閔行區IC二極管價位

發光二極管把電能高效轉化為光能，以絢麗多彩的光芒，點亮了照明、顯示與指示等諸多領域。閔行區IC二極管價位

快恢復二極管（FRD）通過控制少子壽命實現高頻開關功能，在于縮短 “反向恢復時間”。傳統整流二極管在反向偏置時，PN 結內存儲的少子（P 區電子）需通過復合或漂移逐漸消失，導致恢復過程緩慢（微秒級）。快恢復二極管通過摻雜雜質（如金、鉑）或電子輻照，引入復合中心，將少子壽命縮短至納秒級，例如 MUR1560 快恢復二極管的反向恢復時間 500 納秒，適用于 100kHz 開關電源。超快速恢復二極管（如碳化硅 FRD）進一步通過外延層優化，將恢復時間降至 50 納秒以下，并減少能量損耗，在電動汽車充電機中效率可突破 96%。閔行區IC二極管價位