微泰，控制系統閘閥應用于? Evaporation（蒸發）? Sputtering（濺射）? Diamond growth by MW-PACVD（通過MW-PACVD生長金剛石）? PECV? PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷對卷）? Coating（涂層）? Etch（蝕刻）? Diffusion（擴散）?CVD（化學氣相沉積）等設備上?？商娲鶹AT閘閥。其特點是? 主體材質：不銹鋼? 緊湊型設計? 帶步進電機的集成壓力控制器? 應用：需要壓力控制和隔離的地方?？刂葡到y閘閥規格如下：法蘭尺寸（ID）：1.5英寸~ 10英寸、材料：閥體(STS304)/機構STS304、STS420、饋通：旋轉饋通、執行器：步進電機、氦泄漏率1X10-9 mbar.l/sec、壓力范圍：1×10-8 mbar to 1.4 bar、閘門上的壓差≤1.4bar、維護前可用次數：100,000次、閥體溫度≤ 150 °、控制器≤35°C、安裝位置：任意、接口RS232、RS485、Devicenet、Profibus、EtherCat。有中國臺灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導體、日本Micron、三星半導體和其它的設備使用業績，上海安宇泰環保科技有限公司。真空閘閥由一個滑動門或板組成，可以移動以阻止或允許通過真空閥體，從而有效地將腔室與外部環境隔離。全真空閘閥UMC

微泰，大閘閥、大型閘閥應用于? Evaporation（蒸發）? Sputtering（濺射）? Diamond growth by MW-PACVD（通過MW-PACVD生長金剛石）? PECV? PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷對卷）? Coating（涂層）? Etch（蝕刻）? Diffusion（擴散）?CVD（化學氣相沉積）等設備上?？商娲鶹AT閘閥。微泰大閘閥、大型閘閥其特點是*陶瓷球機構產生的低顆粒*使用維修配件工具包易于維護*應用:用于研發和工業的隔離閥。大閘閥、大型閘閥規格如下：驅動方式：氣動、法蘭尺寸（內徑）：16? ~ 30?、 法蘭型：ISO、JIS、ASA 、饋通：Viton O-Rin、閥門密封：氟橡膠O型圈/Kalrez O型環/EPDM、閥蓋密封：氟橡膠O型圈、響應時間：可調節、工作壓力范圍：1×10-8 mbar to 1000 mbar 、維護前可用次數：10,000 ~ 100,000次、開啟時壓差 ≤ 30 mba、泄漏率 < 1×10 -9  mbar ?/sec、閥體溫度≤ 150 °、機構溫度≤ 80 °C、烤爐溫度≤ 150 °C、材料：閥體(不銹鋼304或316L)/驅動器(鋁6061陽極氧化)、安裝位置：任意、操作壓力(N2)：6~ 8 bar。有中國臺灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導體、日本Micron、三星半導體和其它的設備使用業績，上海安宇泰環?？萍加邢薰?。 HVA閘閥L型轉移閥介質可向兩側任意方向流動，易于安裝。閘閥通道兩側是對稱的。

微泰，傳輸閥 (I-MOTION)、I型轉換閥、輸送閥、轉移閥應用于晶圓加工，半導體加工，可替代VAT閘閥。其特點是? 主體材料：鋁或不銹鋼? 緊湊型設計? 使用維修配件工具包易于維護? 應用：半導體系統中小于 450mm 晶圓的傳輸和處理室隔離，傳輸閥 (I-MOTION)、輸送閥、轉移閥規格如下：閘門密封類型：傳輸閥 (I-MOTION)、右動轉換閥、驅動方式：氣動、法蘭尺寸（內徑） 32×222/46×236/50×336/56×500 、連接方式：焊接波紋管、閘門密封 Viton O 形圈/硫化密封件、閥蓋密封：氟橡膠O型圈、響應時間：≤ 2 sec、工作壓力范圍：1×10-10 mbar to 1200 mbar、開始時的壓差：≤ 30 mbar、開啟時壓差： ≤ 1200 mbar r、泄漏率不銹鋼：< 1×10 -9Mbar?/秒/鋁：< 1×10 -5  mbar ?/秒、維護前可用次數： ≥1,000,000次、閥體溫度≤ 200 °、機構溫度≤ 80 °C、烤爐溫度≤ 200 °C、材料：閥體(不銹鋼304)/驅動器(鋁6061陽極氧化)、安裝位置：任意、操作壓力(N2)：4 ~ 7 bar。有中國臺灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導體、日本Micron、三星半導體和其它的設備使用業績，上海安宇泰環保科技有限公司。

微泰，加熱閘閥應用于? Evaporation（蒸發）? Sputtering（濺射）? Diamond growth by MW-PACVD（通過MW-PACVD生長金剛石）? PECV? PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷對卷）? Coating? Etch（蝕刻）? Diffusion（擴散）?CVD（化學氣相沉積）等設備上。可替代VAT閘閥。其特點是*使用加熱套或內部加熱器加熱*加熱控制器*應用:去除粉末/氣體設備。加熱閘閥規格如下：驅動方式：手動或氣動、法蘭尺寸：1.5英寸~ 12英寸、法蘭類型：ISO、JIS、ASA、CF、連接方式：焊接波紋管、閥門密封：氟橡膠O型圈/Kalrez O型環/EPDM、閥蓋密封：氟橡膠O型圈、響應時間：≤ 2 sec、操作壓力范圍：1.5? ~ 6? : 1×10-10 mbar to 1400 mbar，8? ~ 12? : 1×10-10 mbar to 1200 mbar 、開始時的壓差：≤ 30 mbar、閘門的差動壓力：1.5? ~ 6? : ≤ 1400 mbar / 8? ~ 12 ≤ 1200 mbar、泄漏率：< 1×10 -10 Mbar/秒、維護前可用次數：200,000次、閥體溫度≤ 200 °、機構溫度≤ 80 °C、烤爐溫度≤ 200 °C、材料：閥體(不銹鋼304)/驅動器(鋁6061陽極氧化)、安裝位置：任意、操作壓力(N2)：4 ~ 7 bar。有中國臺灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導體、日本Micron、三星半導體和其它的設備使用業績。高壓閘閥結構簡單，制造和維修比較方便。工作行程小，啟閉時間短。密封性好，密封面間磨擦力小，壽命較長。

微泰半導體主加工設備腔內精確壓力控制的閘閥，一、控制系統閘閥?？刂葡到y閘閥具有可隔離的閘閥，以滑動方式操作，可以在高真空環境中實現精確的壓力控制。如半導體等高真空工藝應用?？刂葡到y閘閥是自動控制到用戶指定的值，通過控制器和步進電機保持一致的真空壓力。二、蝶閥。該蝶閥具有緊湊的設計和堅固的不銹鋼結構，通過閘板旋轉操作。蝶閥可以實現精確的壓力控制和低真空環境。例如半導體和工業過程。蝶閥通過控制器和步進電機自動控制到用戶指定的值，保持一致的真空壓力。三、多定位閘閥。多定位閘閥是一種利用壓縮空氣或氮氣控制閘閥位置的閥門。它在閥門的頂部有一個內置控制器，可以在本地和遠程模式下操作。它還具有緊急關閉功能，以應對泵停止或CDA壓縮干空氣丟失的情況。其特點之一是能夠遠程檢查閥門狀態，并可用于具有不同法蘭類型的各種工藝。多定位閘閥具有可隔離的閘閥，以滑動方式操作，適用于需要壓力控制的所有加工領域。采用手動調節控制裝置控制，用戶可直接控制閘門的開啟和關閉，以調節壓力。有中國臺灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導體、日本Micron、三星半導體和其它的設備使用業績。真空閘閥通過使用滑動閘門機構來控制氣體的通過。PVD閘閥BUTTERFLY VALVE

控制系統閘閥?？刂葡到y閘閥具有可隔離的閘閥，以滑動方式操作，可以在高真空環境中實現精確的壓力控制。全真空閘閥UMC

微泰半導體閘閥的特點：已向中國臺灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導體、日本Micron、三星半導體和其它的設備，設備廠批量供貨，已得到品質認可，已完成對半導體Utility設備和批量生產設備的驗證。1，采用陶瓷球機構，抗沖擊和震動，保證使用25萬次，檢修方便，較低維護成本。2，無Particle（顆粒）產生，采用陶瓷球無腐蝕和顆粒產。3，屏蔽保護：屏蔽式保護功能，閘閥閥體與擋板之間的距離小于1mm，可防止粉末侵入閥內，壽命為半永久性。4，保護環：Protecrion Ring通過流速上升設計防止粉末凝固，并通過打磨（研磨）工藝防止粉末堆積。微泰半導體閘閥應用于? Evaporation（蒸發）? Sputtering（濺射）? Diamond growth by MW-PACVD（通過MW-PACVD生長金剛石）? PECV? PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷對卷）? Coating（涂層）? Etch（蝕刻）? Diffusion（擴散）?CVD（化學氣相沉積）等設備上。可替代HVA閘閥、VAT閘閥。上海安宇泰環?？萍加邢薰尽Ｈ婵臻l閥UMC