刻蝕較簡單較常用分類主要是：干法刻蝕和濕法刻蝕。顯而易見，它們的區別就在于濕法使用溶劑或溶液來進行刻蝕。濕法刻蝕是一個純粹的化學反應過程，是指利用溶液與預刻蝕材料之間的化學反應來去除未被掩蔽膜材料掩蔽的部分而達到刻蝕目的。特點是：濕法刻蝕在半導體工藝中有著普遍應用：磨片、拋光、清洗、腐蝕。優點是選擇性好、重復性好、生產效率高、設備簡單、成本低。干法刻蝕種類比較多，包括光揮發、氣相腐蝕、等離子體腐蝕等。按照被刻蝕的材料類型來劃分，干法刻蝕主要分成三種：金屬刻蝕、介質刻蝕和硅刻蝕。刻蝕技術可以通過控制刻蝕介質的流速和流量來實現不同的刻蝕效果。紹興反應性離子刻蝕
等離子刻蝕是將電磁能量施加到含有化學反應成分（如氟或氯）的氣體中實現。等離子會釋放帶正電的離子來撞擊晶圓以去除（刻蝕）材料，并和活性自由基產生化學反應，與刻蝕的材料反應形成揮發性或非揮發性的殘留物。離子電荷會以垂直方向射入晶圓表面。這樣會形成近乎垂直的刻蝕形貌，這種形貌是現今密集封裝芯片設計中制作細微特征所必需的。一般而言，高蝕速率（在一定時間內去除的材料量）都會受到歡迎。反應離子刻蝕（RIE）的目標是在物理刻蝕和化學刻蝕之間達到較佳平衡，使物理撞擊（刻蝕率）強度足以去除必要的材料，同時適當的化學反應能形成易于排出的揮發性殘留物或在剩余物上形成保護性沉積。采用磁場增強的RIE工藝，通過增加離子密度而不增加離子能量（可能會損失晶圓）的方式，改進了處理過程。溫州反應離子刻蝕刻蝕技術可以通過選擇不同的刻蝕氣體和壓力來實現不同的刻蝕效果。
在進行材料刻蝕時，側向刻蝕和底部刻蝕的比例是一個非常重要的參數，因為它直接影響到器件的性能和可靠性。下面是一些控制側向刻蝕和底部刻蝕比例的方法：1.選擇合適的刻蝕條件：刻蝕條件包括刻蝕氣體、功率、壓力、溫度等參數。不同的刻蝕條件會對側向刻蝕和底部刻蝕比例產生不同的影響。例如，選擇高功率和高壓力的刻蝕條件會導致更多的側向刻蝕，而選擇低功率和低壓力的刻蝕條件則會導致更多的底部刻蝕。2.使用掩模：掩模是一種用于保護材料不被刻蝕的薄膜。通過掩模的設計和制備，可以控制刻蝕氣體的流動方向和速度，從而控制側向刻蝕和底部刻蝕的比例。3.選擇合適的材料：不同的材料對刻蝕條件的響應不同。例如，選擇硅基材料可以通過選擇不同的刻蝕氣體和條件來控制側向刻蝕和底部刻蝕的比例。而選擇氮化硅等非硅基材料則可以減少側向刻蝕的發生。4.使用后刻蝕處理：后刻蝕處理是一種通過化學方法對刻蝕后的材料進行處理的方法。通過選擇合適的化學溶液和處理條件，可以控制側向刻蝕和底部刻蝕的比例。
在半導體制造中有兩種基本的刻蝕工藝：干法刻蝕和濕法腐蝕。干法刻蝕是把硅片表面曝露于氣態中產生的等離子體，等離子體通過光刻膠中開出的窗口，在與硅片發生物理或化學反應（或這兩種反應），從而去掉曝露的表面材料。干法刻蝕是亞微米尺寸下刻蝕器件的較重要方法。而在濕法腐蝕中，液體化學試劑（如酸、堿和溶劑等）以化學方式去除硅片表面的材料。濕法腐蝕一般只是用在尺寸較大的情況下（大于3微米）。濕法腐蝕仍然用來腐蝕硅片上某些層或用來去除干法刻蝕后的殘留物。濕法刻蝕特點是：濕法刻蝕在半導體工藝中有著普遍應用：磨片、拋光、清洗、腐蝕。刻蝕技術可以使用化學或物理方法，包括濕法刻蝕、干法刻蝕和等離子體刻蝕等。
材料刻蝕是一種制造微電子器件和微納米結構的重要工藝，它通過化學反應將材料表面的部分物質去除，從而形成所需的結構和形狀。以下是材料刻蝕的優點：1.高精度：材料刻蝕可以制造出高精度的微納米結構，其精度可以達到亞微米級別，比傳統的機械加工方法更加精細。2.高效性：材料刻蝕可以同時處理多個樣品，因此可以很大程度的提高生產效率。此外，材料刻蝕可以在短時間內完成大量的加工工作，從而節省時間和成本。3.可重復性：材料刻蝕可以在不同的樣品上重復進行，從而確保每個樣品的制造質量和精度相同。這種可重復性是制造微電子器件和微納米結構的關鍵要素。4.可控性：材料刻蝕可以通過控制反應條件和刻蝕速率來控制加工過程，從而實現對微納米結構的形狀和尺寸的精確控制。這種可控性使得材料刻蝕成為制造微納米器件的理想工藝。5.適用性廣闊：材料刻蝕可以用于制造各種材料的微納米結構，包括硅、金屬、半導體、聚合物等。這種廣闊的適用性使得材料刻蝕成為制造微納米器件的重要工藝之一。刻蝕技術可以通過控制刻蝕速率和深度來實現不同的刻蝕形貌和結構。黑龍江氮化硅材料刻蝕
刻蝕技術可以通過控制刻蝕介質的濃度和溫度來實現不同的刻蝕效果。紹興反應性離子刻蝕
介質刻蝕是用于介質材料的刻蝕，例如二氧化硅。干法刻蝕優點是：各向異性好，選擇比高，可控性、靈活性、重復性好，細線條操作安全，易實現自動化，無化學廢液，處理過程未引入污染，潔凈度高。缺點是：成本高，設備復雜。干法刻蝕主要形式有純化學過程（如屏蔽式，下游式，桶式），純物理過程（如離子銑），物理化學過程，常用的有反應離子刻蝕RIE，離子束輔助自由基刻蝕ICP等。干法刻蝕方式比較多，一般有：濺射與離子束銑蝕，等離子刻蝕（PlasmaEtching），高壓等離子刻蝕，高密度等離子體（HDP）刻蝕，反應離子刻蝕（RIE）。另外，化學機械拋光CMP，剝離技術等等也可看成是廣義刻蝕的一些技術。刻蝕基本目標是在涂膠的硅片上正確地復制掩模圖形。紹興反應性離子刻蝕
