真空鍍膜：反應磁控濺射法：制備化合物薄膜可以用各種化學氣相沉積或物理的氣相沉積方法。但目前從工業大規模生產的要求來看，物理的氣相沉積中的反應磁控濺射沉積技術具有明顯的優勢，因而被普遍應用，這是因為：反應磁控濺射所用的靶材料(單元素靶或多元素靶)和反應氣體(氧、氮、碳氫化合物等)通常很容易獲得很高的純度，因而有利于制備高純度的化合物薄膜。反應磁控濺射中調節沉積工藝參數，可以制備化學配比或非化學配比的化合物薄膜，從而達到通過調節薄膜的組成來調控薄膜特性的目的。離子鍍是真空鍍膜技術的一種。浙江真空鍍膜公司

真空鍍膜：濺射鍍膜：濺射鍍膜是指在真空條件下，利用獲得功能的粒子（如氬離子）轟擊靶材料表面，使靶材表面原子獲得足夠的能量而逃逸的過程稱為濺射。在真空條件下充入氬氣(Ar)，并在高電壓下使氬氣進行輝光放電，可使氬(Ar)原子電離成氬離子(Ar+)。氬離子在電場力的作用下，加速轟擊以鍍料制作的陰極靶材，靶材會被濺射出來而沉積到工件表面。被濺射的靶材沉積到基材表面，就稱作濺射鍍膜。濺射鍍膜中的入射離子，一般采用輝光放電獲得，在10-2Pa～10Pa范圍。浙江真空鍍膜公司真空鍍膜機的優點:可采用屏蔽式進行部分鍍鋁，以獲得任意圖案或透明窗口，能看到內裝物。

真空鍍膜的物理過程：PVD（物理的氣相沉積技術）的基本原理可分為三個工藝步驟：（1）金屬顆粒的氣化：即鍍料的蒸發、升華或被濺射從而形成氣化源（2）鍍料粒子（（原子、分子或離子）的遷移：由氣化源供出原子、分子或離子經過碰撞，產生多種反應。（3）鍍料粒子在基片表面的沉積。熱蒸發主要是三個過程：1.蒸發材料從固態轉化為氣態的過程。2.氣化原子或分子在蒸發源與基底之間的運輸 3.蒸發原子或分子在襯底表面上淀積過程，即是蒸汽凝聚、成核、核生長、形成連續薄膜的過程。

磁控濺射的工作原理是指電子在外加電場的作用下，在飛向襯底過程中與氬原子發生碰撞，使其電離產生出Ar正離子和新的電子；新電子飛向襯底，Ar離子在電場作用下加速飛向陰極靶，并以高能量轟擊靶表面，使靶材發生濺射。在濺射粒子中，中性的靶原子或分子沉積在基片上形成薄膜，而產生的二次電子會受到電場和磁場作用，被束縛在靠近靶表面的等離子體區域內，以近似擺線形式在靶表面做圓周運動，并且在該區域中電離出大量的Ar 來轟擊靶材，從而實現了高的沉積速率。隨著碰撞次數的增加，二次電子的能量消耗殆盡，逐漸遠離靶表面，并在電場的作用下沉積在襯底上。由于該電子的能量很低，傳遞給襯底的能量很小，致使襯底溫升較低。廣義的真空鍍膜還包括在金屬或非金屬材料表面真空蒸鍍聚合物等非金屬功能性薄膜。

磁控濺射是物理沉積（Physical Vapor Deposition，PVD）的一種。一般的濺射法可被用于制備金屬、半導體、絕緣體等多材料，且具有設備簡單、易于控制、鍍膜面積大和附著力強等優點，而上世紀 70 年代發展起來的磁控濺射法更是實現了高速、低溫、低損傷。因為是在低氣壓下進行高速濺射，必須有效地提高氣體的離化率。磁控濺射通過在靶陰極表面引入磁場，利用磁場對帶電粒子的約束來提高等離子體密度以增加濺射率，可以在樣品表面蒸鍍致密的薄膜。只要鍍上一層真空鍍膜，就能使材料具有許多新的、良好的物理和化學性能。浙江真空鍍膜公司

真空濺射鍍是真空鍍膜技術的一種。浙江真空鍍膜公司

真空鍍膜：等離子體增強化學氣相沉積：在沉積室利用輝光放電使其電離后在襯底上進行化學反應沉積的半導體薄膜材料制備和其他材料薄膜的制備方法。等離子體增強化學氣相沉積是：在化學氣相沉積中，激發氣體，使其產生低溫等離子體，增強反應物質的化學活性，從而進行外延的一種方法。該方法可在較低溫度下形成固體膜。例如在一個反應室內將基體材料置于陰極上，通入反應氣體至較低氣壓(1～600Pa)，基體保持一定溫度，以某種方式產生輝光放電，基體表面附近氣體電離，反應氣體得到活化，同時基體表面產生陰極濺射，從而提高了表面活性。在表面上不僅存在著通常的熱化學反應，還存在著復雜的等離子體化學反應。沉積膜就是在這兩種化學反應的共同作用下形成的。激發輝光放電的方法主要有：射頻激發，直流高壓激發，脈沖激發和微波激發。浙江真空鍍膜公司

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