濺射鍍膜有兩種方式：一種稱為離子束濺射，指真空狀態(tài)下用離子束轟擊靶表面，使濺射出的粒子在基體表面成膜，該工藝較為昂貴，主要用于制取特殊的薄膜；另一種稱為陰極濺射，主要利用低壓氣體放電現(xiàn)象，使處于等離子狀態(tài)下的離子轟擊靶面，濺射出的粒子沉積在基體上。它采用平行板電極結構，膜料物質做成的大面積靶為陰極，支持基體的基板為陽極，安裝于鐘罩式真空容器內。為減少污染，先將鐘罩內的壓強抽到小于10-3~10-4Pa，然后充入Ar氣，使壓強維持在1~10Pa。在兩極之間加數千伏的電壓進行濺射鍍膜。與蒸發(fā)鍍膜相比，濺射鍍膜時靶材（膜料）無相變，化合物成分穩(wěn)定，合金不易分餾，因此適合制備的膜材非常廣。由于濺射沉積到襯底上的粒子能量比蒸發(fā)時的能量高50倍，它們對襯底有清洗和升溫作用，所以形成的薄膜附著力大。特別是濺射鍍膜容易控制膜的成分，通過直接濺射或者反應濺射，可以制備大面積均勻的各種合金膜、化合物膜、多層膜和復合膜。濺射鍍膜易實現(xiàn)連續(xù)化、自動化作業(yè)和規(guī)模化生產。但是，由于濺射時要使用高電壓和氣體，所以裝置比較復雜，薄膜易受濺射氣氛的影響，薄膜沉積速率也較低。此外，濺射鍍膜需要事先制備各種成分的靶，裝卸靶不太方便。 微納加工技術的特點：微型化！巴中半導體微納加工

光刻是半導體制造中常用的技術之一，是現(xiàn)代光電子器件制造的基礎。然而，深紫外和極紫外光刻系統(tǒng)及其相應的光學掩模都是基于低速高成本的電子束光刻（EBL）或者聚焦離子束刻蝕(FIB)技術，導致其價格都相對昂貴。因此，無掩模的高速制備法是微納結構制備的優(yōu)先方法。在這些無掩模方法中，直接激光寫入(direct laser writing, DLW)是一種重要的、被廣采用的微處理技術，能夠提供比較低的價格和相對較高的吞吐量。但是，實際應用中存在兩個主要挑戰(zhàn)：一是與FIB和EBL相比，分辨率還不夠高。宜昌微納加工廠家在我國，微納制造技術同樣是重點發(fā)展方向之一。

        微納加工是指制造特征尺寸以納米為單位的結構，尤其是側面小于20納米的結構。目前的技術大多只允許在二維意義上進行微納加工。納加工通常用于制造計算機芯片，傳統(tǒng)的光刻技術是計算機行業(yè)的支柱，可用于創(chuàng)建尺寸小于22m的特征，雖然這是非常昂貴的，而目且目前還不被認為是經濟有效的。廣東省科學院半導體研究所微納加工平臺，面向半導體光電子器件、功率電子器件、MEMS、生物芯片等前沿領域，致力于打造高級的公益性、開放性、支撐性樞紐中心。平臺擁有半導體制備工藝所需的整套儀器設備，建立了一條實驗室研發(fā)線和一條中試線，加工尺寸覆蓋2-6英寸（部分8英寸），同時形成了一支與硬件有機結合的專業(yè)人才隊伍。平臺當前緊抓技術創(chuàng)新和公共服務，面向國內外高校、科研院所以及企業(yè)提供開放共享，為技術咨詢、創(chuàng)新研發(fā)、技術驗證以及產品中試提供技術支持。

       當微納加工技術應用到光電子領域，就形成了新興的納米光電子技術，主要研究納米結構中光與電子相互作用及其能量互換的技術.納米光電子技術在過去的十多年里，一方面，以低維結構材料生長和能帶工程為基礎的納米制造技術有了長足的發(fā)展，包括分子束外延(MBE)、金屬有機化學氣相淀積(MOCVD)和化學束外延(CBE)，使得在晶片表面外延生長方向(直方向)的外延層精度控制到單個原子層，從而獲得了具有量子尺寸效應的半導體材料;另一方面，平面納米加工工藝實現(xiàn)了納米尺度的光刻和橫向刻蝕，使得人工橫向量子限制的量子線與量子點的制作成為可能.同時，光子晶體概念的出現(xiàn)，使得納米平面加工工藝廣地應用到光介質材料折射率周期性的改變中。新一代微納制造系統(tǒng)應滿足的要求：能生產多種多樣高度復雜的微納產品！

    淺談表面功能微納結構及其加工方法：目前可以實現(xiàn)表面微納結構的加工方法主要有以下幾種。（1）光刻技術，利用電子束或激光光束可以得到加工尺寸在幾十納米的微納結構，該方法優(yōu)勢在于精度高，得到的微納結構形狀可以得到很好的控制；（2）飛秒激光加工技術，由于飛秒激光具有不受衍射極限限制的特點，可以加工出遠小于光斑直徑的尺寸，研究人員通過試驗發(fā)現(xiàn)，采用飛秒激光加工出10nm寬的納米線，在微納加工領域具有獨特優(yōu)勢。另外飛秒激光雙分子聚合技術可以實現(xiàn)納米尺寸結構的加工；（3）自組裝工藝，光刻與自組裝和刻蝕工藝結合，通過自組裝工藝，可以得到6nm左右的納米孔。（4）等離子刻蝕技術，等離子刻蝕技術是應用廣的微納米加工手段，加工精度高，是集成電路制造中關鍵的工藝之一。（5）沉積法，主要包括物相沉積和化學氣相沉積，該方法主要是利用氣相發(fā)生的物理化學過程，在工件表面形成功能型或裝飾性的金屬，可以用來實現(xiàn)微納米結構涂層的制造。（6）微納增材制造技術，微納增材制造技術主要指微納尺度電噴增材制造和微激光增材制造技術，由于微納增材技術可以不受形狀限制，可多材料協(xié)同制造，具有較大的發(fā)展前景。除以上幾種加工技術外。 高精度的微細結構可以通過電子束直寫或激光直寫制作！潮州鍍膜微納加工

未來幾年微納制造系統(tǒng)和平臺的發(fā)展前景包括的方面：智能的、可升級的和適應性強的微納制造系統(tǒng)。巴中半導體微納加工

    微納加工即是微米級納米級單位的加工常常應用在材料科學和芯片設計等領域，通俗的講就是把圖形轉移到襯底上面去，一般襯底是Si，做微納加工第一步是要做光刻版的。第一步版圖：一般要用CAD，EDA，Matlab，L-edit，potel軟件做圖形第二步制作光刻版：這里比較復雜我分為三步來介紹首先我們要了解光刻版的材料和它的結構，光刻版即是掩膜板材質只有兩種石英和蘇打（石英的透光率要比蘇打的透光率要好）蘇打和石英上面呢有一層ge金屬（ge金屬不透光）ge金屬上面還有一層光刻膠。第一步：我們要確定我們光刻版的大小（注意光刻版要比襯底大一個英寸以便于光刻的時候光刻版能把襯底全部掩蓋住）以及小線寬和精度（這里直接關乎到我們制版的時候會用到什么設備）第二步：進行光刻我們需要用電子束將光刻版上面的光刻膠進行處理就是把圖形用電子束寫到光刻版上面去被紫外線照到的地方的光刻膠就會產生變性在用把光刻膠洗掉這一步也叫去膠。廣東省科學院半導體研究所微納加工平臺，面向半導體光電子器件、功率電子器件、MEMS、生物芯片等前沿領域，致力于打造的公益性、開放性、支撐性樞紐中心。平臺擁有半導體制備工藝所需的整套儀器設備，建立了一條實驗室研發(fā)線和一條中試線。 巴中半導體微納加工

廣東省科學院半導體研究所發(fā)展規(guī)模團隊不斷壯大，現(xiàn)有一支專業(yè)技術團隊，各種專業(yè)設備齊全。在廣東省半導體所近多年發(fā)展歷史，公司旗下現(xiàn)有品牌芯辰實驗室,微納加工等。我公司擁有強大的技術實力，多年來一直專注于面向半導體光電子器件、功率電子器件、MEMS、生物芯片等前沿領域，致力于打造高品質的公益性、開放性、支撐性樞紐中心。平臺擁有半導體制備工藝所需的整套儀器設備，建立了一條實驗室研發(fā)線和一條中試線，加工尺寸覆蓋2-6英寸（部分8英寸），同時形成了一支與硬件有機結合的專業(yè)人才隊伍。平臺當前緊抓技術創(chuàng)新和公共服務，面向國內外高校、科研院所以及企業(yè)提供開放共享，為技術咨詢、創(chuàng)新研發(fā)、技術驗證以及產品中試提供支持。的發(fā)展和創(chuàng)新，打造高指標產品和服務。廣東省科學院半導體研究所主營業(yè)務涵蓋微納加工技術服務，真空鍍膜技術服務，紫外光刻技術服務，材料刻蝕技術服務，堅持“質量保證、良好服務、顧客滿意”的質量方針，贏得廣大客戶的支持和信賴。