光刻層間對準，即套刻精度（Overlay），保證圖形與硅片上已經存在的圖形之間的對準。曝光中較重要的兩個參數是：曝光能量（Energy）和焦距（Focus）。如果能量和焦距調整不好，就不能得到要求的分辨率和大小的圖形。表現為圖形的關鍵尺寸超出要求的范圍。曝光方法：a、接觸式曝光（ContactPrinting）。掩膜板直接與光刻膠層接觸。曝光出來的圖形與掩膜板上的圖形分辨率相當，設備簡單。缺點：光刻膠污染掩膜板；掩膜板的磨損，壽命很低（只能使用5～25次）；1970前使用，分辨率〉0.5μm。b、接近式曝光（ProximityPrinting）。接近式光刻機，光刻版與光刻膠有一個很小的縫隙，避免晶圓片與光刻版直接接觸，缺陷少。山東光刻加工工廠
掩膜板與光刻膠層的略微分開，大約為10～50μm。可以避免與光刻膠直接接觸而引起的掩膜板損傷。但是同時引入了衍射效應，降低了分辨率。1970后適用，但是其較大分辨率*為2～4μm。c、投影式曝光（ProjectionPrinting）。在掩膜板與光刻膠之間使用透鏡聚集光實現曝光。一般掩膜板的尺寸會以需要轉移圖形的4倍制作。優點：提高了分辨率；掩膜板的制作更加容易；掩膜板上的缺陷影響減小。投影式曝光分類：掃描投影曝光（ScanningProjectPrinting）。70年代末～80年代初，〉1μm工藝；掩膜板1：1，全尺寸；步進重復投影曝光（Stepping-repeatingProjectPrinting或稱作Stepper）。山東光刻加工工廠接觸式曝光具有分辨率高、復印面積大、復印精度好、曝光設備簡單、操作方便和生產效率高等特點。
光聚合型，可形成正性光刻膠，是通過采用了烯類單體，在光作用下生成自由基從而進一步引發單體聚合，較后生成聚合物的過程；光分解型光刻膠可以制成正性膠，通過采用含有疊氮醌類化合物的材料在經過光照后,發生光分解反應的過程。光交聯型，即采用聚乙烯醇月桂酸酯等作為光敏材料，在光的作用下，其分子中的雙鍵被打開，并使鏈與鏈之間發生交聯，形成一種不溶性的網狀結構，從而起到抗蝕作用，是一種典型的負性光刻膠。按照應用領域的不同，光刻膠又可以分為印刷電路板（PCB）用光刻膠、液晶顯示(LCD）用光刻膠、半導體用光刻膠和其他用途光刻膠。PCB 光刻膠技術壁壘相對其他兩類較低，而半導體光刻膠表示著光刻膠技術較先進水平。
光刻膠若性能不達標會對芯片成品率造成重大影響。目前中國光刻膠國產化水平嚴重不足，重點技術差距在半導體光刻膠領域，有2-3代差距，隨著下游半導體行業、LED及平板顯示行業的快速發展，未來國內光刻膠產品國產化替代空間巨大。同時，國內光刻膠企業積極抓住中國晶圓制造擴產的百年機遇，發展光刻膠業務，力爭早日追上國際先進水平，打進國內新建晶圓廠的供應鏈。光刻膠的國產化公關正在各方面展開，在面板屏顯光刻膠領域，中國已經出現了一批有競爭力的本土企業。在半導體和面板光刻膠領域，盡管國產光刻膠距離國際先進水平仍然有差距，但是在政策的支持和自身的不懈努力之下，中國已經有一批光刻膠企業陸續實現了技術突破。接觸式曝光和非接觸式曝光的區別，在于曝光時掩模與晶片間相對關系是貼緊還是分開。
常用的光刻膠主要是兩種，正性光刻膠（positive photoresist）被曝光的部分會被顯影劑去除，負性光刻膠(negative photoresist)未被曝光的部分會被顯影劑去除。正性光刻膠主要應用于腐蝕和刻蝕工藝，而負膠工藝主要應用于剝離工藝（lift-off）。光刻是微納加工當中不可或缺的工藝，主要是起到圖形化轉移的作用。常規的光刻分為有掩膜光刻和無掩膜光刻。無掩膜光刻主要是電子束曝光和激光直寫光，有掩膜光刻主要是接觸式曝光、非接觸式曝光和stepper光刻。對于有掩膜光刻，首先需要設計光刻版，常用的設計軟件有CAD、L-edit等軟件。在完成圖形的曝光后，用激光曝光硅片邊緣，然后在顯影或特殊溶劑中溶解。安徽光刻加工廠商
光刻機又被稱為：掩模對準曝光機、曝光系統、光刻系統等。山東光刻加工工廠
根據曝光方式的不同，光刻機主要分為接觸式，接近式以及投影式三種。接觸式光刻機，曝光時，光刻版壓在涂有光刻膠的襯底上，優點是設備簡單，分辨率高，沒有衍射效應，缺點是光刻版與涂有光刻膠的晶圓片直接接觸，每次接觸都會在晶圓片和光刻版上產生缺陷，降低光刻版使用壽命，成品率低。接近式光刻機，光刻版與光刻膠有一個很小的縫隙，因為光刻版與襯底沒有接觸，缺陷減少，優點是避免晶圓片與光刻版直接接觸，缺陷少，缺點是分辨率低，存在衍射效應。投影式曝光，一般光學系統將掩模版上的圖像縮小4x或5x倍，聚焦并與硅片上已有的圖形對準后曝光，每次曝光一小部分，曝完一個圖形后，硅片移動到下一個曝光位置繼續對準曝光，這種曝光方式分辨率比較高，但不產生缺陷。山東光刻加工工廠
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