真空鍍膜：真空蒸鍍基本工藝鍍前處理：包括清洗鍍件和預處理。具體清洗方法有清洗劑清洗、化學溶劑清洗、超聲波清洗和離子轟擊清洗等。具體預處理有除靜電，涂底漆等。裝爐：包括真空室清理及鍍件掛具的清洗，蒸發源安裝、調試、鍍件褂卡。抽真空：一般先粗抽至6。6Pa以上，更早打開擴散泵的前級維持真空泵，加熱擴散泵。待預熱足夠后，打開高閥，用擴散泵抽至6×10-3Pa半底真空度。烘烤：將鍍件烘烤加熱到所需溫度。離子轟擊：真空度一般在10Pa～10-1Pa，離子轟擊電壓200V～1kV負高壓，離擊時間為5min～30min,預熔：調整電流使鍍料預熔，除氣1min～2min。蒸發沉積：根據要求調整蒸發電流，直到所需沉積時間結束。冷卻：鍍件在真空室內冷卻到一定溫度。出爐：取件后，關閉真空室，抽真空至1×10-1Pa，擴散泵冷卻到允許溫度，才可關閉維持泵和冷卻水。后處理：涂面漆等。各種真空鍍膜技術都需要有一個蒸發源或靶子。黑龍江真空鍍膜工藝
真空鍍膜的方法很多，計有：真空蒸鍍：將需鍍膜的基體清洗后放到鍍膜室，抽空后將膜料加熱到高溫，使蒸氣達到約13。3Pa而使蒸氣分子飛到基體表面，凝結而成薄膜。陰極濺射鍍：將需鍍膜的基體放在陰極對面，把惰性氣體(如氬)通入已抽空的室內，保持壓強約1。33～13。3Pa，然后將陰極接上2000V的直流電源，便激發輝光放電，帶正電的氬離子撞擊陰極，使其射出原子，濺射出的原子通過惰性氣氛沉積到基體上形成膜。化學氣相沉積：通過熱分解所選定的金屬化合物或有機化合物，獲得沉積薄膜的過程。離子鍍：實質上離子鍍系真空蒸鍍和陰極濺射鍍的有機結合，兼有兩者的工藝特點。東莞ITO鍍膜真空鍍膜在真空鍍膜機運轉正常情況下，開動真空鍍膜機時，必須先開水管，工作中應隨時注意水壓。
原子層沉積技術憑借其獨特的表面化學生長原理、亞納米膜厚的精確控制性以及適合復雜三維高深寬比表面沉積，自截止生長等特點，特別適合薄層薄膜材料的制備。例如：S.F. Bent等人利用十八烷基磷酸鹽（ODPA）對Cu的選擇性吸附，在預先吸附有ODPA分子的襯底表面進行ALD沉積Al2O3，有效避免了Al2O3在Cu表面沉積，從而得到被高k絕緣材料Al2O3所間隔的空間選擇性暴露表面Cu的薄膜材料。此外，電鏡照片表明該沉積方法的區域選擇性得到了有效保證。
真空鍍膜：真空涂層技術的發展：真空涂層技術起步時間不長，國際上在上世紀六十年代才出現將CVD（化學氣相沉積）技術應用于硬質合金刀具上。由于該技術需在高溫下進行（工藝溫度高于1000oC），涂層種類單一，局限性很大，起初并未得到推廣。到了上世紀七十年代末，開始出現PVD（物理的氣相沉積）技術，之后在短短的二、三十年間PVD涂層技術得到迅猛發展，究其原因：其在真空密封的腔體內成膜，幾乎無任何環境污染問題，有利于環保；其能得到光亮、華貴的表面，在顏色上，成熟的有七彩色、銀色、透明色、金黃色、黑色、以及由金黃色到黑色之間的任何一種顏色，能夠滿足裝飾性的各種需要；可以輕松得到其他方法難以獲得的高硬度、高耐磨性的陶瓷涂層、復合涂層，應用在工裝、模具上面，可以使壽命成倍提高，較好地實現了低成本、收益的效果；此外，PVD涂層技術具有低溫、高能兩個特點，幾乎可以在任何基材上成膜，因此，應用范圍十分廣闊，其發展神速也就不足為奇。真空鍍膜是一種比較理想的薄膜制備方法。
PECVD（等離子體增強化學氣相沉積法）工藝中由于等離子體中高速運動的電子撞擊到中性的反應氣體分子，就會使中性反應氣體分子變成碎片或處于激發的狀態容易發生反應，以在襯底在300-350℃就可以得到良好的氧化硅或者氮化硅薄膜，可以在器件當中作為鈍化絕緣層，來提高器件的可靠性。氧化硅薄膜主要用到的氣體為硅烷和笑氣，氮化硅薄膜主要用到的氣體為氨氣和硅烷。采用PECVD鍍膜對器件有一定的要求，因為工藝溫度比較高，所以器件需要耐高溫，高溫烘烤下不能變形。真空鍍膜機的優點:對印刷、復合等后加工具有良好的適應性。山西真空鍍膜技術
真空鍍膜：一種由物理方法產生薄膜材料的技術。黑龍江真空鍍膜工藝
基片溫度對薄膜結構有較大影響，基片溫度高，使吸附原子的動能增大，跨越表面勢壘的幾率增多，容易結晶化，并使薄膜缺陷減少，同時薄膜內應力也會減少，基片溫度低，則易形成無定形結構膜。 材料飽和蒸汽壓隨溫度的上升而迅速增大，所以實驗時必須控制好蒸發源溫度。蒸發鍍膜常用的加熱方法時電阻大電流加熱，采用鎢，鉬，鉑等高熔點的金屬。真空鍍膜時，飛抵基片的氣化原子或分子，一部分被反射，一部分被蒸發離開，剩下的要么結合在一起，再捕獲其他原子或分子，使得自己增大；或者單個原子或分子在基片上自由擴散，逐漸生長，覆蓋整個基片，形成鍍膜。注意的是基片的清潔度和完整性將影響到鍍膜的形成速率和質量黑龍江真空鍍膜工藝
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