對于國產光刻膠來說,今年的九月是極為特殊的一個月份。9月23日,發改委聯合工信部、科技部、財政部共同發布了《關于擴大戰略性新興產業投資培育壯大新增長點增長極的指導意見》,《意見》提出,加快新材料產業強弱項,具體涉及加快在光刻膠、大尺寸硅片、電子封裝材料等領域實現突破。而在《意見》還未發布之前,部分企業已經聞聲先動了。除了幾家企業加大投資、研發國產光刻膠之外,還有兩家企業通過購買光刻機的方式,開展光刻膠的研發。光刻膠產業,尤其是較優光刻膠一直是日本企業所把持,這已不是什么鮮為人知的信息了。光刻技術成為一種精密的微細加工技術。珠海激光直寫光刻
通常來說,在使用工藝方法一致的情況下,波長越短,加工分辨率越佳。靜態旋轉法:首先把光刻膠通過滴膠頭堆積在襯底的中心,然后低速旋轉使得光刻膠鋪開,再以高速旋轉甩掉多余的光刻膠。在高速旋轉的過程中,光刻膠中的溶劑會揮發一部分。靜態涂膠法中的光刻膠堆積量非常關鍵,量少了會導致光刻膠不能充分覆蓋硅片,量大了會導致光刻膠在硅片邊緣堆積甚至流到硅片的背面,影響工藝質量。動態噴灑法:隨著硅片尺寸越來越大,靜態涂膠已經不能滿足較新的硅片加工需求。廣東省科學院半導體研究所。天津光刻實驗室目前中國光刻膠國產化水平嚴重不足,重點技術差距在半導體光刻膠領域,有2-3代差距。
光刻膠若性能不達標會對芯片成品率造成重大影響。目前中國光刻膠國產化水平嚴重不足,重點技術差距在半導體光刻膠領域,有2-3代差距,隨著下游半導體行業、LED及平板顯示行業的快速發展,未來國內光刻膠產品國產化替代空間巨大。同時,國內光刻膠企業積極抓住中國晶圓制造擴產的百年機遇,發展光刻膠業務,力爭早日追上國際先進水平,打進國內新建晶圓廠的供應鏈。光刻膠的國產化公關正在各方面展開,在面板屏顯光刻膠領域,中國已經出現了一批有競爭力的本土企業。在半導體和面板光刻膠領域,盡管國產光刻膠距離國際先進水平仍然有差距,但是在政策的支持和自身的不懈努力之下,中國已經有一批光刻膠企業陸續實現了技術突破。廣東省科學院半導體研究所。
光刻曝光系統:接觸式曝光和非接觸式曝光的區別,在于曝光時掩模與晶片間相對關系是貼緊還是分開。接觸式曝光具有分辨率高、復印面積大、復印精度好、曝光設備簡單、操作方便和生產效率高等特點。但容易損傷和沾污掩模版和晶片上的感光膠涂層,影響成品率和掩模版壽命,對準精度的提高也受到較多的限制。一般認為,接觸式曝光只適于分立元件和中、小規模集成電路的生產。非接觸式曝光主要指投影曝光。在投影曝光系統中,掩膜圖形經光學系統成像在感光層上,掩模與晶片上的感光膠層不接觸,不會引起損傷和沾污,成品率較高,對準精度也高,能滿足高集成度器件和電路生產的要求。但投影曝光設備復雜,技術難度高,因而不適于低檔產品的生產。現代應用較廣的是 1:1倍的全反射掃描曝光系統和x:1倍的在硅片上直接分步重復曝光系統。表面有顆粒、滴膠后精致時間過長,部分光刻膠固話,解決的方法主要有更換光刻膠。
光刻膠行業具有極高的行業壁壘,因此在全球范圍其行業都呈現寡頭壟斷的局面。光刻膠行業長年被日本和美國專業公司壟斷。目前前五大廠商就占據了全球光刻膠市場87%的份額,行業集中度高。并且高分辨率的KrF和ArF半導體光刻膠中心技術亦基本被日本和美國企業所壟斷,產品絕大多數出自日本和美國公司。整個光刻膠市場格局來看,日本是光刻膠行業的巨頭聚集地。目前中國大陸對于電子材料,特別是光刻膠方面對國外依賴較高。所以在半導體材料方面的國產代替是必然趨勢。廣東省科學院半導體研究所。常用的光刻機是掩模對準光刻,所以它被稱為掩模對準系統。珠海激光直寫光刻
接觸式曝光具有分辨率高、復印面積大、復印精度好、曝光設備簡單、操作方便和生產效率高等特點。珠海激光直寫光刻
光刻膠按應用領域分類,可分為PCB光刻膠、顯示面板光刻膠、半導體光刻膠及其他光刻膠。全球市場上不同種類光刻膠的市場結構較為均衡。智研咨詢的數據還顯示,受益于半導體、顯示面板、PCB產業東移的趨勢,自2011年至今,光刻膠中國本土供應規模年華增長率達到11%,高于全球平均5%的增速。2019年中國光刻膠市場本土企業銷售規模約70億元,全球占比約10%,發展空間巨大。目前,中國本土光刻膠以PCB用光刻膠為主,平板顯示、半導體用光刻膠供應量占比極低。珠海激光直寫光刻
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