干刻蝕是一類較新型，但迅速為半導體工業所采用的技術。其利用電漿(plasma)來進行半導體薄膜材料的刻蝕加工。其中電漿必須在真空度約10至0.001Torr的環境下，才有可能被激發出來；而干刻蝕采用的氣體，或轟擊質量頗巨，或化學活性極高，均能達成刻蝕的目的。干刻蝕基本上包括離子轟擊與化學反應兩部份刻蝕機制。偏「離子轟擊」效應者使用氬氣(argon)，加工出來之邊緣側向侵蝕現象極微。而偏化學反應效應者則采氟系或氯系氣體(如四氟化碳CF4)，經激發出來的電漿，即帶有氟或氯之離子團，可快速與芯片表面材質反應。刪轎厚干刻蝕法可直接利用光阻作刻蝕之阻絕遮幕，不必另行成長阻絕遮幕之半導體材料。而其較重要的優點，能兼顧邊緣側向侵蝕現象極微與高刻蝕率兩種優點，換言之，本技術中所謂活性離子刻蝕已足敷頁堡局滲次微米線寬制程技術的要求，而正被大量使用。等離子刻蝕是將電磁能量（通常為射頻（RF））施加到含有化學反應成分的氣體中實現。深圳坪山濕法刻蝕
反應離子刻蝕：這種刻蝕過程同時兼有物理和化學兩種作用。輝光放電在零點幾到幾十帕的低真空下進行。硅片處于陰極電位，放電時的電位大部分降落在陰極附近。大量帶電粒子受垂直于硅片表面的電場加速，垂直入射到硅片表面上,以較大的動量進行物理刻蝕,同時它們還與薄膜表面發生強烈的化學反應，產生化學刻蝕作用。選擇合適的氣體組分，不僅可以獲得理想的刻蝕選擇性和速度，還可以使活性基團的壽命短，這就有效地阻止了因這些基團在薄膜表面附近的擴散所能造成的側向反應，較大提高了刻蝕的各向異性特性。反應離子刻蝕是超大規模集成電路工藝中比較有發展前景的一種刻蝕方法廣州刻蝕設備在微細加工中，刻蝕和清洗處理過程包括許多內容。
ArF浸沒式兩次曝光技術已被業界認為是32nm節點較具競爭力的技術；在更低的22nm節點甚至16nm節點技術中，浸沒式光刻技術一般也具有相當大的優勢。浸沒式光刻技術所面臨的挑戰主要有：如何解決曝光中產生的氣泡和污染等缺陷的問題；研發和水具有良好的兼容性且折射率大于1．8的光刻膠的問題；研發折射率較大的光學鏡頭材料和浸沒液體材料；以及有效數值孔徑NA值的拓展等問題。針對這些難題挑戰，國內外學者以及公司已經做了相關研究并提出相應的對策。浸沒式光刻機將朝著更高數值孔徑發展，以滿足更小光刻線寬的要求。
溫度越高刻蝕效率就越高，但是溫度過高工藝方面波動就越大，只要通過設備自帶溫控器和點檢確認?？涛g流片的速度與刻蝕速率密切相關噴淋流量的大小決定了基板表面藥液置換速度的快慢，流量控制可保證基板表面藥液濃度均勻。過刻量即測蝕量，適當增加測試量可有效控制刻蝕中的點狀不良作業數量管控：每天對生產數量及時記錄，達到規定作業片數及時更換。作業時間管控：由于藥液的揮發，所以如果在規定更換時間未達到相應的生產片數藥液也需更換。首片和抽檢管控：作業時需先進行首片確認，且在作業過程中每批次進行抽檢（時間間隔約25min）。1、大面積刻蝕不干凈：刻蝕液濃度下降、刻蝕溫度變化。2、刻蝕不均勻：噴淋流量異常、藥液未及時沖洗干凈等。3、過刻蝕：刻蝕速度異常、刻蝕溫度異常等。浸沒式光刻機將朝著更高數值孔徑發展，以滿足更小光刻線寬的要求。
刻蝕也可以分成有圖形刻蝕和無圖形刻蝕。有圖形刻蝕采用掩蔽層（有圖形的光刻膠）來定義要刻蝕掉的表面材料區域，只有硅片上被選擇的這一部分在刻蝕過程中刻掉。有圖形刻蝕可用來在硅片上制作多種不同的特征圖形，包括柵、金屬互連線、通孔、接觸孔和溝槽。無圖形刻蝕、反刻或剝離是在整個硅片沒有掩模的情況下進行的，這種刻蝕工藝用于剝離掩模層（如STI氮化硅剝離和用于制備晶體管注入側墻的硅化物工藝后鈦的剝離）。反刻是在想要把某一層膜的總的厚度減小時采用的（如當平坦化硅片表面時需要減小形貌特征）。光刻是平面型晶體管和集成電路生產中的一個主要工藝。廣州刻蝕
刻蝕原理氧化物的等離子體刻蝕工藝大多采用含有氟碳化合物的氣體進行刻蝕。深圳坪山濕法刻蝕
光刻膠是另一個剝離的例子。總的來說，有圖形刻蝕和無圖形刻蝕工藝條件能夠采用干法刻蝕或濕法腐蝕技術來實現。為了復制硅片表面材料上的掩膜圖形，刻蝕必須滿足一些特殊的要求。包括幾方面刻蝕參數：刻蝕速率、刻蝕剖面、刻蝕偏差、選擇比、均勻性、殘留物、聚合物、等離子體誘導損傷、顆粒玷污和缺陷等?？涛g是用化學或物理方法有選擇的從硅片表面去除不需要的材料的過程?？涛g的基本目標是在涂膠的硅片上正確的復制掩模圖形。有圖形的光刻膠層在刻蝕中不受腐蝕源明顯的侵蝕。深圳坪山濕法刻蝕
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