光刻層間對準，即套刻精度（Overlay），保證圖形與硅片上已經存在的圖形之間的對準。曝光中較重要的兩個參數是：曝光能量（Energy）和焦距（Focus）。如果能量和焦距調整不好，就不能得到要求的分辨率和大小的圖形。表現為圖形的關鍵尺寸超出要求的范圍。曝光方法：a、接觸式曝光（ContactPrinting）。掩膜板直接與光刻膠層接觸。曝光出來的圖形與掩膜板上的圖形分辨率相當，設備簡單。缺點：光刻膠污染掩膜板；掩膜板的磨損，壽命很低（只能使用5～25次）；1970前使用，分辨率〉0.5μm。b、接近式曝光（ProximityPrinting）。非接觸式曝光，掩膜板與光刻膠層的略微分開，可以避免與光刻膠直接接觸而引起的掩膜板損傷。曝光光刻加工工廠

光刻技術是集成電路制造中利用光學- 化學反應原理和化學、物理刻蝕方法，將電路圖形傳遞到單晶表面或介質層上，形成有效圖形窗口或功能圖形的工藝技術。隨著半導體技術的發展，光刻技術傳遞圖形的尺寸限度縮小了2～3個數量級（從毫米級到亞微米級），已從常規光學技術發展到應用電子束、 X射線、微離子束、激光等新技術；使用波長已從4000埃擴展到 0.1埃數量級范圍。光刻技術成為一種精密的微細加工技術。光刻技術是指在光照作用下，借助光致抗蝕劑（又名光刻膠）將掩膜版上的圖形轉移到基片上的技術。其主要過程為：首先紫外光通過掩膜版照射到附有一層光刻膠薄膜的基片表面，引起曝光區域的光刻膠發生化學反應；再通過顯影技術溶解去除曝光區域或未曝光區域的光刻膠（前者稱正性光刻膠，后者稱負性光刻膠），使掩膜版上的圖形被復制到光刻膠薄膜上；較后利用刻蝕技術將圖形轉移到基片上。廣東硅片光刻影響光刻膠均勻性的參數：旋轉加速度，加速越快越均勻。

光刻曝光系統：接觸式曝光和非接觸式曝光的區別，在于曝光時掩模與晶片間相對關系是貼緊還是分開。接觸式曝光具有分辨率高、復印面積大、復印精度好、曝光設備簡單、操作方便和生產效率高等特點。但容易損傷和沾污掩模版和晶片上的感光膠涂層,影響成品率和掩模版壽命,對準精度的提高也受到較多的限制。一般認為，接觸式曝光只適于分立元件和中、小規模集成電路的生產。非接觸式曝光主要指投影曝光。在投影曝光系統中，掩膜圖形經光學系統成像在感光層上，掩模與晶片上的感光膠層不接觸,不會引起損傷和沾污,成品率較高，對準精度也高，能滿足高集成度器件和電路生產的要求。但投影曝光設備復雜，技術難度高，因而不適于低檔產品的生產。現代應用較廣的是 1:1倍的全反射掃描曝光系統和x:1倍的在硅片上直接分步重復曝光系統。

常用的光刻膠主要是兩種，正性光刻膠（positive photoresist）被曝光的部分會被顯影劑去除，負性光刻膠(negative photoresist)未被曝光的部分會被顯影劑去除。正性光刻膠主要應用于腐蝕和刻蝕工藝，而負膠工藝主要應用于剝離工藝（lift-off）。光刻是微納加工當中不可或缺的工藝，主要是起到圖形化轉移的作用。常規的光刻分為有掩膜光刻和無掩膜光刻。無掩膜光刻主要是電子束曝光和激光直寫光，有掩膜光刻主要是接觸式曝光、非接觸式曝光和stepper光刻。對于有掩膜光刻，首先需要設計光刻版，常用的設計軟件有CAD、L-edit等軟件。接觸式曝光具有分辨率高、復印面積大、復印精度好、曝光設備簡單、操作方便和生產效率高等特點。

光刻（Photolithography)是一種圖形轉移的方法，在微納加工當中不可或缺的技術。光刻是一個比較大的概念，其實它是有多步工序所組成的。1.清洗：清洗襯底表面的有機物。2.旋涂：將光刻膠旋涂在襯底表面。3.曝光。將光刻版與襯底對準，在紫外光下曝光一定的時間。4.顯影：將曝光后的襯底在顯影液下顯影一定的時間，受過紫外線曝光的地方會溶解在顯影液當中。5.后烘。將顯影后的襯底放置熱板上后烘，以增強光刻膠與襯底之前的粘附力。光刻是將掩模版上的圖形轉移到涂有光致抗蝕劑（或稱光刻膠）的襯底上，通過一系列生產步驟將硅片表面薄膜的特定部分除去的一種圖形轉移技術。光刻技術是借用照相技術、平板印刷技術的基礎上發展起來的半導體關鍵工藝技術。光刻涂膠四周呈現放射性條紋，主要可能的原因是光刻膠有顆粒、襯底未清洗干凈。曝光光刻加工工廠

表面有顆粒、滴膠后精致時間過長，部分光刻膠固話，解決的方法主要有更換光刻膠。曝光光刻加工工廠

一般微電子化學品具有一定的腐蝕性，對生產設備有較高的要求，且生產環境需要進行無塵或微塵處理。制備較優微電子化學品還需要全封閉、自動化的工藝流程，以避免污染，提高質量。因此，光刻膠等微電子化學品生產在安全生產、環保設備、生產工藝系統、過程控制體系以及研發投資等方面要求較高。如果沒有強大的資金實力，企業就難以在設備、研發和技術服務上取得競爭優勢，以提升可持續發展能力。因此，光刻膠這樣的微電子化學品行業具備較高的資金壁壘。曝光光刻加工工廠

廣東省科學院半導體研究所目前已成為一家集產品研發、生產、銷售相結合的服務型企業。公司成立于2016-04-07，自成立以來一直秉承自我研發與技術引進相結合的科技發展戰略。公司主要產品有微納加工技術服務，真空鍍膜技術服務，紫外光刻技術服務，材料刻蝕技術服務等，公司工程技術人員、行政管理人員、產品制造及售后服務人員均有多年行業經驗。并與上下游企業保持密切的合作關系。芯辰實驗室,微納加工集中了一批經驗豐富的技術及管理專業人才，能為客戶提供良好的售前、售中及售后服務，并能根據用戶需求，定制產品和配套整體解決方案。我們本著客戶滿意的原則為客戶提供微納加工技術服務，真空鍍膜技術服務，紫外光刻技術服務，材料刻蝕技術服務產品售前服務，為客戶提供周到的售后服務。價格低廉優惠，服務周到，歡迎您的來電！