刻蝕是按照掩模圖形或設計要求對半導體襯底表面或表面覆蓋薄膜進行選擇性刻蝕的技術(shù)，它是半導體制造工藝，微電子IC制造工藝以及微納制造工藝中的一種相當重要的步驟。是與光刻相聯(lián)系的圖形化處理的一種主要工藝。刻蝕分為干法刻蝕和濕法腐蝕。原位芯片目前掌握多種刻蝕工藝，并會根據(jù)客戶的需求，設計刻蝕效果好且性價比高的刻蝕解決方案。刻蝕技術(shù)主要應用于半導體器件，集成電路制造，薄膜電路，印刷電路和其他微細圖形的加工等。廣東省科學院半導體研究所。刻蝕工藝：把未能被抗蝕劑掩蔽的薄膜層除去，從而在薄膜上得到與抗蝕劑膜上完全相同圖形的工藝。深圳光明刻蝕

工藝所用化學物質(zhì)取決于要刻蝕的薄膜型號。介電刻蝕應用中通常使用含氟的化學物質(zhì)。硅和金屬刻蝕使用含氯成分的化學物質(zhì)。在工藝中可能會對一個薄膜層或多個薄膜層執(zhí)行特定的刻蝕步驟。當需要處理多層薄膜時，以及刻蝕中必須停在某個特定薄膜層而不對其造成損傷時，刻蝕工藝的選擇比就變得非常重要。選擇比是兩個刻蝕速率的比率：被去除層的刻蝕速率與被保護層的刻蝕速率（例如刻蝕掩膜或終止層）。掩模或停止層）通常都希望有更高的選擇比。MEMS材料刻蝕價格在硅材料刻蝕當中，硅針的刻蝕需要用到各向同性刻蝕，硅柱的刻蝕需要用到各項異性刻蝕。廣州白云半導體刻蝕反應離子刻蝕（RIE）是當前常用技術(shù)路徑，屬于物理和化學混合刻蝕。

    刻蝕原理介紹主要工藝參數(shù)刻蝕液更換頻率的管控刻蝕不良的產(chǎn)生原因單擊此處編輯母版標題樣式單擊此處編輯母版標題樣式刻蝕工藝介紹辛小剛刻蝕原理介紹刻蝕主要工藝參數(shù)刻蝕液更換頻率的管控刻蝕不良原因分析刻蝕是用一定比例的酸液把玻璃上未受光刻膠保護的Metal/ITO膜通過化學反應去除掉，較終形成制程所需要的圖形。刻蝕種類目前我司的刻蝕種類主要分兩種：1、Metal刻蝕刻蝕液主要成分：磷酸、硝酸、醋酸、水。Metal：合金金屬2、ITO刻蝕刻蝕液主要成分：鹽酸、硝酸、水。ITO：氧化銦錫（混合物）Metal刻蝕前后：ITO刻蝕前后：刻蝕前后對比照片12345刻蝕液濃度刻蝕溫度刻蝕速度噴淋流量過刻量刻蝕液的濃度對刻蝕效果影響較大，所以我們主要通過：來料檢驗、首片確認、定期更換的方法來保證。

干法刻蝕也可以根據(jù)被刻蝕的材料類型來分類。按材料來分，刻蝕一般分成三種：金屬刻蝕、介質(zhì)刻蝕、和硅刻蝕。介質(zhì)刻蝕是用于介質(zhì)材料的刻蝕，如二氧化硅。接觸孔和通孔結(jié)構(gòu)的制作需要刻蝕介質(zhì)，從而在ILD中刻蝕出窗口，而具有高深寬比（窗口的深與寬的比值）的窗口刻蝕具有一定的挑戰(zhàn)性。硅刻蝕（包括多晶硅）應用于需要去除硅的場合，如刻蝕多晶硅晶體管柵和硅槽電容。金屬刻蝕主要是在金屬層上去掉鋁合金復合層，制作出互連線。廣東省科學院半導體研究所。晶圓不同點刻蝕速率不同的情況稱為非均勻性（或者稱為微負載），通常以百分比表示。干法刻蝕優(yōu)點是：重復性好。

    等離子刻蝕是將電磁能量（通常為射頻（RF））施加到含有化學反應成分（如氟或氯）的氣體中實現(xiàn)。等離子會釋放帶正電的離子來撞擊晶圓以去除（刻蝕）材料，并和活性自由基產(chǎn)生化學反應，與刻蝕的材料反應形成揮發(fā)性或非揮發(fā)性的殘留物。離子電荷會以垂直方向射入晶圓表面。這樣會形成近乎垂直的刻蝕形貌，這種形貌是現(xiàn)今密集封裝芯片設計中制作細微特征所必需的。一般而言，高蝕速率（在一定時間內(nèi)去除的材料量）都會受到歡迎。反應離子刻蝕（RIE）的目標是在物理刻蝕和化學刻蝕之間達到較佳平衡，使物理撞擊（刻蝕率）強度足以去除必要的材料，同時適當?shù)幕瘜W反應能形成易于排出的揮發(fā)性殘留物或在剩余物上形成保護性沉積（選擇比和形貌控制）。采用磁場增強的RIE工藝，通過增加離子密度而不增加離子能量（可能會損失晶圓）的方式，改進了處理過程。 隨著光刻膠技術(shù)的進步，只需要一次涂膠，兩次光刻和一次刻蝕的雙重光刻工藝也成為可能。廣州白云半導體刻蝕

刻蝕流片的速度與刻蝕速率密切相關噴淋流量的大小決定基板表面藥液置換速度的快慢。深圳光明刻蝕

介質(zhì)刻蝕是用于介質(zhì)材料的刻蝕，如二氧化硅。干法刻蝕優(yōu)點是：各向異性好，選擇比高，可控性、靈活性、重復性好，細線條操作安全，易實現(xiàn)自動化，無化學廢液，處理過程未引入污染，潔凈度高。缺點是：成本高，設備復雜。干法刻蝕主要形式有純化學過程（如屏蔽式，下游式，桶式），純物理過程（如離子銑），物理化學過程，常用的有反應離子刻蝕RIE，離子束輔助自由基刻蝕ICP等。干法刻蝕方式比較多，一般有：濺射與離子束銑蝕，等離子刻蝕（PlasmaEtching），高壓等離子刻蝕，高密度等離子體（HDP）刻蝕，反應離子刻蝕（RIE）。另外，化學機械拋光CMP，剝離技術(shù)等等也可看成是廣義刻蝕的一些技術(shù)。深圳光明刻蝕

廣東省科學院半導體研究所坐落于長興路363號，是集設計、開發(fā)、生產(chǎn)、銷售、售后服務于一體，電子元器件的服務型企業(yè)。公司在行業(yè)內(nèi)發(fā)展多年，持續(xù)為用戶提供整套微納加工技術(shù)服務，真空鍍膜技術(shù)服務，紫外光刻技術(shù)服務，材料刻蝕技術(shù)服務的解決方案。公司主要經(jīng)營微納加工技術(shù)服務，真空鍍膜技術(shù)服務，紫外光刻技術(shù)服務，材料刻蝕技術(shù)服務等，我們始終堅持以可靠的產(chǎn)品質(zhì)量，良好的服務理念，優(yōu)惠的服務價格誠信和讓利于客戶，堅持用自己的服務去打動客戶。芯辰實驗室,微納加工致力于開拓國內(nèi)市場，與電子元器件行業(yè)內(nèi)企業(yè)建立長期穩(wěn)定的伙伴關系，公司以產(chǎn)品質(zhì)量及良好的售后服務，獲得客戶及業(yè)內(nèi)的一致好評。廣東省科學院半導體研究所本著先做人，后做事，誠信為本的態(tài)度，立志于為客戶提供微納加工技術(shù)服務，真空鍍膜技術(shù)服務，紫外光刻技術(shù)服務，材料刻蝕技術(shù)服務行業(yè)解決方案，節(jié)省客戶成本。歡迎新老客戶來電咨詢。