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材料刻蝕相關圖片
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材料刻蝕基本參數
  • 產地
  • 廣東
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  • 科學院
  • 型號
  • 齊全
  • 是否定制
材料刻蝕企業商機

濕法刻蝕是化學清洗方法中的一種,化學清洗在半導體制造行業中的應用,是用化學方法有選擇地從硅片表面去除不需要材料的過程。其基本目的是在涂膠的硅片上正確地復制掩膜圖形,有圖形的光刻膠層在刻蝕中不受到腐蝕源明顯的侵蝕,這層掩蔽膜用來在刻蝕中保護硅片上的特殊區域而選擇性地刻蝕掉未被光刻膠保護的區域。從半導體制造業一開始,濕法刻蝕就與硅片制造聯系在一起。雖然濕法刻蝕已經逐步開始被法刻蝕所取代,但它在漂去氧化硅、去除殘留物、表層剝離以及大尺寸圖形刻蝕應用等方面仍然起著重要的作用。與干法刻蝕相比,濕法刻蝕的好處在于對下層材料具有高的選擇比,對器件不會帶來等離子體損傷,并且設備簡單。晶圓的不同點刻蝕速率不同的情況稱為非均勻性,通常以百分比表示。蕪湖刻蝕

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選擇比指的是在同一刻蝕條件下一種材料與另一種材料相比刻蝕速率快很多,它定義為被刻蝕材料的刻蝕速率與另一種材料的刻蝕速率的比。基本內容:高選擇比意味著只刻除想要刻去的那一層材料。一個高選擇比的刻蝕工藝不刻蝕下面一層材料(刻蝕到恰當的深度時停止)并且保護的光刻膠也未被刻蝕。圖形幾何尺寸的縮小要求減薄光刻膠厚度。高選擇比在較先進的工藝中為了確保關鍵尺寸和剖面控制是必需的。特別是關鍵尺寸越小,選擇比要求越高。刻蝕較簡單較常用分類是:干法刻蝕和濕法刻蝕。深圳龍崗ICP刻蝕刻蝕用單晶硅材料和芯片用單晶硅材料在制造環節上有諸多相似之處。

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二氧化硅的干法刻蝕方法是:刻蝕原理氧化物的等離子體刻蝕工藝大多采用含有氟碳化合物的氣體進行刻蝕。使用的氣體有四氟化碳(CF)、八氟丙烷(C,F8)、三氟甲烷(CHF3)等,常用的是CF和CHFCF的刻蝕速率比較高但對多晶硅的選擇比不好,CHF3的聚合物生產速率較高,非等離子體狀態下的氟碳化合物化學穩定性較高,且其化學鍵比SiF的化學鍵強,不會與硅或硅的氧化物反應。選擇比的改變在當今半導體工藝中,Si02的干法刻蝕主要用于接觸孔與金屬間介電層連接洞的非等向性刻蝕方面。前者在S102下方的材料是Si,后者則是金屬層,通常是TiN(氮化鈦),因此在Si02的刻蝕中,Si07與Si或TiN的刻蝕選擇比是一個比較重要的因素。

刻蝕技術,是在半導體工藝,按照掩模圖形或設計要求對半導體襯底表面或表面覆蓋薄膜進行選擇性腐蝕或剝離的技術。刻蝕技術不僅是半導體器件和集成電路的基本制造工藝,而且還應用于薄膜電路、印刷電路和其他微細圖形的加工。刻蝕還可分為濕法刻蝕和干法刻蝕。普通的刻蝕過程大致如下:先在表面涂敷一層光致抗蝕劑,然后透過掩模對抗蝕劑層進行選擇性曝光,由于抗蝕劑層的已曝光部分和未曝光部分在顯影液中溶解速度不同,經過顯影后在襯底表面留下了抗蝕劑圖形,以此為掩模就可對襯底表面進行選擇性腐蝕。如果襯底表面存在介質或金屬層,則選擇腐蝕以后,圖形就轉移到介質或金屬層上。刻蝕的工藝所用化學物質取決于要刻蝕的薄膜類型。

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在半導體制造中有兩種基本的刻蝕工藝:干法刻蝕和濕法腐蝕。干法刻蝕是把硅片表面曝露于氣態中產生的等離子體,等離子體通過光刻膠中開出的窗口,與硅片發生物理或化學反應(或這兩種反應),從而去掉曝露的表面材料。干法刻蝕是亞微米尺寸下刻蝕器件的較重要方法。而在濕法腐蝕中,液體化學試劑(如酸、堿和溶劑等)以化學方式去除硅片表面的材料。濕法腐蝕一般只是用在尺寸較大的情況下(大于3微米)。濕法腐蝕仍然用來腐蝕硅片上某些層或用來去除干法刻蝕后的殘留物。干法刻蝕是芯片制造領域較主要的表面材料去除方法,擁有更好的剖面控制。深圳離子刻蝕

在物理上,等離子體刻蝕劑由反應室、真空系統、氣體供應、終點檢測和電源組成。蕪湖刻蝕

光刻膠是另一個剝離的例子。總的來說,有圖形刻蝕和無圖形刻蝕工藝條件能夠采用干法刻蝕或濕法腐蝕技術來實現。為了復制硅片表面材料上的掩膜圖形,刻蝕必須滿足一些特殊的要求。包括幾方面刻蝕參數:刻蝕速率、刻蝕剖面、刻蝕偏差、選擇比、均勻性、殘留物、聚合物、等離子體誘導損傷、顆粒玷污和缺陷等。刻蝕是用化學或物理方法有選擇的從硅片表面去除不需要的材料的過程。刻蝕的基本目標是在涂膠的硅片上正確的復制掩模圖形。有圖形的光刻膠層在刻蝕中不受腐蝕源明顯的侵蝕。蕪湖刻蝕

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