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  • 深圳龍華反應離子束刻蝕,材料刻蝕
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材料刻蝕基本參數
  • 產地
  • 廣東
  • 品牌
  • 科學院
  • 型號
  • 齊全
  • 是否定制
材料刻蝕企業商機

濕法刻蝕是化學清洗方法中的一種,也是化學清洗在半導體制造行業中的應用,是用化學方法有選擇地從硅片表面去除不需要材料的過程。其基本目的是在涂膠的硅片上正確地復制掩膜圖形,有圖形的光刻膠層在刻蝕中不受到腐蝕源明顯的侵蝕,這層掩蔽膜用來在刻蝕中保護硅片上的特殊區域而選擇性地刻蝕掉未被光刻膠保護的區域。從半導體制造業一開始,濕法刻蝕就與硅片制造聯系在一起。雖然濕法刻蝕已經逐步開始被法刻蝕所取代,但它在漂去氧化硅、去除殘留物、表層剝離以及大尺寸圖形刻蝕應用等方面仍然起著重要的作用。與干法刻蝕相比,濕法刻蝕的好處在于對下層材料具有高的選擇比,對器件不會帶來等離子體損傷,并且設備簡單。工藝所用化學物質取決于要刻蝕的薄膜類型。干法刻蝕優點是:潔凈度高。深圳龍華反應離子束刻蝕

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    刻蝕原理介紹主要工藝參數刻蝕液更換頻率的管控刻蝕不良的產生原因單擊此處編輯母版標題樣式單擊此處編輯母版標題樣式刻蝕工藝介紹辛小剛刻蝕原理介紹刻蝕主要工藝參數刻蝕液更換頻率的管控刻蝕不良原因分析刻蝕是用一定比例的酸液把玻璃上未受光刻膠保護的Metal/ITO膜通過化學反應去除掉,較終形成制程所需要的圖形??涛g種類目前我司的刻蝕種類主要分兩種:1、Metal刻蝕刻蝕液主要成分:磷酸、硝酸、醋酸、水。Metal:合金金屬2、ITO刻蝕刻蝕液主要成分:鹽酸、硝酸、水。ITO:氧化銦錫(混合物)Metal刻蝕前后:ITO刻蝕前后:刻蝕前后對比照片12345刻蝕液濃度刻蝕溫度刻蝕速度噴淋流量過刻量刻蝕液的濃度對刻蝕效果影響較大,所以我們主要通過:來料檢驗、首片確認、定期更換的方法來保證。 河南刻蝕加工廠干法刻蝕是芯片制造領域較主要的表面材料去除方法,擁有更好的剖面控制。

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    等離子刻蝕是將電磁能量(通常為射頻(RF))施加到含有化學反應成分(如氟或氯)的氣體中實現。等離子會釋放帶正電的離子來撞擊晶圓以去除(刻蝕)材料,并和活性自由基產生化學反應,與刻蝕的材料反應形成揮發性或非揮發性的殘留物。離子電荷會以垂直方向射入晶圓表面。這樣會形成近乎垂直的刻蝕形貌,這種形貌是現今密集封裝芯片設計中制作細微特征所必需的。一般而言,高蝕速率(在一定時間內去除的材料量)都會受到歡迎。反應離子刻蝕(RIE)的目標是在物理刻蝕和化學刻蝕之間達到較佳平衡,使物理撞擊(刻蝕率)強度足以去除必要的材料,同時適當的化學反應能形成易于排出的揮發性殘留物或在剩余物上形成保護性沉積(選擇比和形貌控制)。采用磁場增強的RIE工藝,通過增加離子密度而不增加離子能量(可能會損失晶圓)的方式,改進了處理過程。

干刻蝕是一類較新型,但迅速為半導體工業所采用的技術。其利用電漿(plasma)來進行半導體薄膜材料的刻蝕加工。其中電漿必須在真空度約10至0.001Torr的環境下,才有可能被激發出來;而干刻蝕采用的氣體,或轟擊質量頗巨,或化學活性極高,均能達成刻蝕的目的。干刻蝕基本上包括離子轟擊與化學反應兩部份刻蝕機制。偏「離子轟擊」效應者使用氬氣(argon),加工出來之邊緣側向侵蝕現象極微。而偏化學反應效應者則采氟系或氯系氣體(如四氟化碳CF4),經激發出來的電漿,即帶有氟或氯之離子團,可快速與芯片表面材質反應。刪轎厚干刻蝕法可直接利用光阻作刻蝕之阻絕遮幕,不必另行成長阻絕遮幕之半導體材料。而其較重要的優點,能兼顧邊緣側向侵蝕現象極微與高刻蝕率兩種優點,換言之,本技術中所謂活性離子刻蝕已足敷頁堡局滲次微米線寬制程技術的要求,而正被大量使用。按材料來分,刻蝕主要分成3種:金屬刻蝕、介質刻蝕、和硅刻蝕。

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鋁膜濕法刻蝕:對于鋁和鋁合金層有選擇性的刻蝕溶液是居于磷酸的。遺憾的是,鋁和磷酸反應的副產物是微小的氫氣泡。這些氣泡附著在晶圓表面,并阻礙刻蝕反應。結果既可能產生導致相鄰引線短路的鋁橋連,又可能在表面形成不希望出現的雪球的鋁點。特殊配方鋁刻蝕溶液的使用緩解了這個問題。典型的活性溶液成分配比是:16:1:1:2。除了特殊配方外,典型的鋁刻蝕工藝還會包含以攪拌或上下移動晶圓舟的攪動。有時超聲波或兆頻超聲波也用來去除氣泡。干法刻蝕優點是:可控性。紹興干法刻蝕

物理和化學綜合作用機理中,離子轟擊的物理過程可以通過濺射去除表面材料,具有比較強的方向性。深圳龍華反應離子束刻蝕

等離子體刻蝕機要求相同的元素是:化學刻蝕劑和能量源。物理上,等離子體刻蝕劑由反應室、真空系統、氣體供應、終點檢測和電源組成。晶圓被送入反應室,并由真空系統把內部壓力降低。在真空建立起來后,將反應室內充入反應氣體。對于二氧化硅刻蝕,氣體一般使用CF4和氧的混合劑。電源通過在反應室中的電極創造了一個射頻電場。能量場將混合氣體激發或等離子體狀態。在激發狀態,氟刻蝕二氧化硅,并將其轉化為揮發性成分由真空系統排出。ICP刻蝕設備能夠進行(氮化鎵)、(氮化硅)、(氧化硅)、(鋁鎵氮)等半導體材料進行刻蝕。深圳龍華反應離子束刻蝕

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