干刻蝕是一類較新型，但迅速為半導體工業所采用的技術，GaN材料刻蝕工藝。其利用電漿來進行半導體薄膜材料的刻蝕加工。其中電漿必須在真空度約10至0.001Torr的環境下，才有可能被激發出來；而干刻蝕采用的氣體，或轟擊質量頗巨，或化學活性極高，均能達成刻蝕的目的，GaN材料刻蝕工藝。干刻蝕基本上包括離子轟擊與化學反應兩部份刻蝕機制。偏「離子轟擊」效應者使用氬氣(argon)，加工出來之邊緣側向侵蝕現象極微。而偏化學反應效應者則采氟系或氯系氣體(如四氟化碳CF4)，經激發出來的電漿，即帶有氟或氯之離子團，可快速與芯片表面材質反應。刪轎厚干刻蝕法可直接利用光阻作刻蝕之阻絕遮幕，不必另行成長阻絕遮幕之半導體材料。而其較重要的優點，能兼顧邊緣側向侵蝕現象極微與高刻蝕率兩種優點，換言之，本技術中所謂活性離子刻蝕已足敷頁堡局滲次微米線寬制程技術的要求，而正被大量使用。按材料來分，刻蝕主要分成3種：金屬刻蝕、介質刻蝕、和硅刻蝕。吉林氮化鎵材料刻蝕外協

“刻蝕”指的是用化學和物理方法有選擇地從硅片表面去除不需要的材料，主要是晶圓制造中不可或缺的關鍵步驟。刻蝕技術按工藝可以分為濕法刻蝕與干法刻蝕，其中干法刻蝕是目前8英寸、12英寸先進制程中的主要刻蝕手段，干法刻蝕又多以“等離子體刻蝕”為主導。在刻蝕環節中，硅電極產生高電壓，令刻蝕氣體形成電離狀態，其與芯片同時處于刻蝕設備的同一腔體中，并隨著刻蝕進程而逐步被消耗，因此刻蝕電極也需要達到與晶圓一樣的半導體級的純度（11個9）。深圳鹽田刻蝕液干法刻蝕優點是：靈活性。

在等離子蝕刻工藝中，發生著許多的物理現象。當在腔體中使用電極或微波產生一個強電場的時候,這個電場會加速所有的自由電子并提高他們的內部能量(由于宇宙射線的原因,在任何環境中都會存在一些自由電子)。自由電子與氣體中的原子/分子發生撞擊,如果在碰撞過程中,電子傳遞了足夠的能量給原子/分子,就會發生電離現象,并且產生正離子和其他自由電子若碰撞傳遞的能量不足以激發電離現象則無法產生穩定且能發生反應的中性物當足夠的能量提供給系統,一個穩定的,氣相等離子體包含自由電子,正離子和反應中性物等離子蝕刻工藝中等離子體中的原子、分子離子、反應中性物通過物理和化學方式移除襯底表面的材料。純物理蝕刻采用強電場來加速正原子離子（通常使用重量較重,惰性的氬原子）朝向襯底，加速過程將能量傳遞給了離子,當它們撞擊到襯底表面時,內部的能量傳遞給襯底表面的原子,如果足夠的能量被傳遞,襯底表面的原子會被噴射到氣體中,較終被真空系統抽走。

反應離子刻蝕：這種刻蝕過程同時兼有物理和化學兩種作用。輝光放電在零點幾到幾十帕的低真空下進行。硅片處于陰極電位，放電時的電位大部分降落在陰極附近。大量帶電粒子受垂直于硅片表面的電場加速，垂直入射到硅片表面上,以較大的動量進行物理刻蝕,同時它們還與薄膜表面發生強烈的化學反應，產生化學刻蝕作用。選擇合適的氣體組分，不僅可以獲得理想的刻蝕選擇性和速度，還可以使活性基團的壽命短，這就有效地阻止了因這些基團在薄膜表面附近的擴散所能造成的側向反應，較大提高了刻蝕的各向異性特性。反應離子刻蝕是超大規模集成電路工藝中比較有發展前景的一種刻蝕方法刻蝕，英文為Etch，它是半導體制造工藝，微電子IC制造工藝以及微納制造工藝中的一種相當重要的步驟。

二氧化硅的干法刻蝕方法是：刻蝕原理氧化物的等離子體刻蝕工藝大多采用含有氟碳化合物的氣體進行刻蝕。使用的氣體有四氟化碳(CF)、八氟丙烷(C，F8)、三氟甲烷(CHF3)等，常用的是CF和CHFCF的刻蝕速率比較高但對多晶硅的選擇比不好，CHF3的聚合物生產速率較高，非等離子體狀態下的氟碳化合物化學穩定性較高，且其化學鍵比SiF的化學鍵強，不會與硅或硅的氧化物反應。選擇比的改變在當今半導體工藝中，Si02的干法刻蝕主要用于接觸孔與金屬間介電層連接洞的非等向性刻蝕方面。前者在S102下方的材料是Si，后者則是金屬層，通常是TiN（氮化鈦），因此在Si02的刻蝕中，Si07與Si或TiN的刻蝕選擇比是一個比較重要的因素。在物理上，等離子體刻蝕劑由反應室、真空系統、氣體供應、終點檢測和電源組成。離子刻蝕

干法刻蝕是芯片制造領域較主要的表面材料去除方法，擁有更好的剖面控制。吉林氮化鎵材料刻蝕外協

刻蝕，它是半導體制造工藝，微電子IC制造工藝以及微納制造工藝中的一種相當重要的步驟。是與光刻相聯系的圖形化處理的一種主要工藝。所謂刻蝕，實際上狹義理解就是光刻腐蝕，先通過光刻將光刻膠進行光刻曝光處理，然后通過其它方式實現腐蝕處理掉所需除去的部分。刻蝕是用化學或物理方法有選擇地從硅片表面去除不需要的材料的過程，其基本目標是在涂膠的硅片上正確地復制掩模圖形。隨著微制造工藝的發展，廣義上來講，刻蝕成了通過溶液、反應離子或其它機械方式來剝離、去除材料的一種統稱，成為微加工制造的一種普適叫法。吉林氮化鎵材料刻蝕外協