真空鍍膜：濺射鍍膜：濺射鍍膜是指在真空條件下，利用獲得功能的粒子（如氬離子）轟擊靶材料表面，使靶材表面原子獲得足夠的能量而逃逸的過程稱為濺射。在真空條件下充入氬氣(Ar)，并在高電壓下使氬氣進行輝光放電，可使氬(Ar)原子電離成氬離子(Ar+)。氬離子在電場力的作用下，加速轟擊以鍍料制作的陰極靶材，靶材會被濺射出來而沉積到工件表面。被濺射的靶材沉積到基材表面，就稱作濺射鍍膜。濺射鍍膜中的入射離子，一般采用輝光放電獲得，在10-2Pa～10Pa范圍。真空鍍膜機的優(yōu)點:其封口性能好，尤其包裝粉末狀產(chǎn)品時，不會污染封口部分，保證了包裝的密封性能。金華UV真空鍍膜

真空鍍膜：技術(shù)優(yōu)點：鍍層質(zhì)量好：離子鍍的鍍層組織致密、無小孔、無氣泡、厚度均勻。甚至棱面和凹槽都可均勻鍍復(fù)，不致形成金屬瘤。象螺紋一類的零件也能鍍復(fù)，有高硬度、高耐磨性（低摩擦系數(shù)）、很好的耐腐蝕性和化學(xué)穩(wěn)定性等特點，膜層的壽命更長；同時膜層能夠大幅度提高工件的外觀裝飾性能。清洗過程簡化：現(xiàn)有鍍膜工藝，多數(shù)均要求事先對工件進行嚴格清洗，既復(fù)雜又費事。然而，離子鍍工藝自身就有一種離子轟擊清洗作用，并且這一作用還一直延續(xù)于整個鍍膜過程。清洗效果極好，能使鍍層直接貼近基體，有效地增強了附著力，簡化了大量的鍍前清洗工作。真空鍍膜機從蒸發(fā)源蒸發(fā)的分子通過等離子區(qū)時發(fā)生電離。

針對PVD制備薄膜應(yīng)力的解決辦法主要有：1.提高襯底溫度，有利于薄膜和襯底間原子擴散，并加速反應(yīng)過程，有利于形成擴散附著，降低內(nèi)應(yīng)力；2.熱退火處理，薄膜中存在的各種缺陷是產(chǎn)生本征應(yīng)力的主要原因，這些缺陷一般都是非平衡缺陷，有自行消失的傾向，但需要外界給予活化能。對薄膜進行熱處理，非平衡缺陷大量消失，薄膜內(nèi)應(yīng)力降低；3.添加亞層控制多層薄膜應(yīng)力，利用應(yīng)變相消原理，在薄膜層之間再沉積一層薄膜，控制工藝使其呈現(xiàn)與結(jié)構(gòu)薄膜相反的應(yīng)力狀態(tài)，緩解應(yīng)力帶來的破壞作用，整體上抵消內(nèi)部應(yīng)力

原子層沉積(atomiclayer deposition，ALD)技術(shù)，亦稱原子層外延(atomiclayer epitaxy，ALE）技術(shù)，是一種基于有序、表面自飽和反應(yīng)的化學(xué)氣相薄膜沉積技術(shù)。原子層沉積技術(shù)起源于上世紀六七十年代，由前蘇聯(lián)科學(xué)家Aleskovskii和Koltsov報道，隨后，基于電致發(fā)光薄膜平板顯示器對高質(zhì)量ZnS: Mn薄膜材料的需求，由芬蘭Suntalo博士發(fā)展并完善。然而，受限于其復(fù)雜的表面化學(xué)過程等因素，原子層沉積技術(shù)在開始并沒有取得較大發(fā)展，直到上世紀九十年代，隨著半導(dǎo)體工業(yè)的興起，對各種元器件尺寸，集成度等方面的要求越來越高，原子層沉積技術(shù)才迎來發(fā)展的黃金階段。進入21世紀，隨著適應(yīng)各種制備需求的商品化ALD儀器的研制成功，無論在基礎(chǔ)研究還是實際應(yīng)用方面，原子層沉積技術(shù)都受到人們越來越多的關(guān)注。真空鍍膜在鋼材、鎳、鈾、金剛石表面鍍鈦金屬薄膜,提高了鋼材、鈾、金剛石等材料的耐腐蝕性能。

電子束蒸發(fā)蒸鍍?nèi)珂u(W）、鉬（Mo）等高熔點材料，跟常規(guī)金屬蒸鍍，蒸鍍方式需有所蓋上。根據(jù)之前的鍍膜經(jīng)驗，需要在坩堝的結(jié)構(gòu)上做一定的改進。高熔點的材料采用錠或者顆粒狀放在坩堝當中，因為水冷坩堝導(dǎo)熱過快，材料難以達到其蒸發(fā)的溫度。經(jīng)過實驗的驗證，蒸發(fā)高熔點的材料可以采用材料薄片來蒸鍍，如將1mm材料薄片架空于碳坩堝上沿，材料只能通過坩堝邊沿來導(dǎo)熱，減緩散熱速率，有利于達到蒸發(fā)的熔點。采用此方法可滿足蒸鍍50nm以下的材料薄膜。真空鍍膜鍍料的氣化：即通入交流電后，使鍍料蒸發(fā)氣化。朝陽真空鍍膜廠家

真空濺鍍通常指的是磁控濺鍍，屬于高速低溫濺鍍法。金華UV真空鍍膜

原子層沉積技術(shù)和其他薄膜制備技術(shù)。與傳統(tǒng)的薄膜制備技術(shù)相比，原子層沉積技術(shù)優(yōu)勢明顯。傳統(tǒng)的溶液化學(xué)方法以及濺射或蒸鍍等物理方法（PVD）由于缺乏表面控制性或存在濺射陰影區(qū)，不適于在三維復(fù)雜結(jié)構(gòu)襯底表面進行沉積制膜。化學(xué)氣相沉積（CVD）方法需對前驅(qū)體擴散以及反應(yīng)室溫度均勻性嚴格控制，難以滿足薄膜均勻性和薄厚精確控制的要求。相比之下，原子層沉積技術(shù)基于表面自限制、自飽和吸附反應(yīng)，具有表面控制性，所制備薄膜具有優(yōu)異的三維共形性、大面積的均勻性等特點，適應(yīng)于復(fù)雜高深寬比襯底表面沉積制膜，同時還能保證精確的亞單層膜厚控制。因此，原子層沉積技術(shù)在微電子、能源、信息等領(lǐng)域得到應(yīng)用。金華UV真空鍍膜