真空鍍膜:離子鍍:離子鍍基本原理是在真空條件下,采用某種等離子體電離技術,使鍍料原子部分電離成離子,同時產生許多高能量的中性原子,在被鍍基體上加負偏壓。這樣在深度負偏壓的作用下,離子沉積于基體表面形成薄膜。離子鍍借助于惰性氣體輝光放電,使鍍料(如金屬鈦)氣化蒸發離子化,離子經電場加速,以較高能量轟擊工件表面,此時如通入二氧化碳、氮氣等反應氣體,便可在工件表面獲得TiC、TiN覆蓋層,硬度高達2000HV。離子鍍技術較早在1963年由D。M。Mattox提出。1972年,Bunshah&Juntz推出活性反應蒸發離子鍍(AREIP),該方法可以沉積TiN、TiC等超硬膜。1972年Moley&Smith發展完善了空心熱陰極離子鍍,1973年又發展出射頻離子鍍(RFIP)。20世紀80年代又發展出磁控濺射離子鍍(MSIP)和多弧離子鍍(MAIP)。離子鍍是物理的氣相沉積方法中應用較普遍的一種鍍膜工藝。真空濺鍍可根據基材和靶材的特性直接濺射不用涂底漆。揚州納米涂層真空鍍膜
常用的薄膜制備方式主要有兩種,其中一種是物理法氣相沉積(PVD),PVD的方法有磁控濺射鍍膜、電子束蒸發鍍膜、熱阻蒸發等。另一種是化學法氣相沉積(CVD),主要有常壓CVD、LPCVD(低壓沉積法)、PECVD(等離子體增強沉積法)等方法。真空鍍膜的工藝流程:真空鍍膜的工藝流程一般依次為:前處理及化學清洗(材料進行有機清洗和無機清洗)→襯底真空中烘烤加熱→等離子體清洗→金屬離子轟擊→鍍金屬過渡層→鍍膜(通入反應氣體)。揚州納米涂層真空鍍膜真空鍍膜是在真空室內把材料的原子從加熱源離析出來打到被鍍物體的表面上。
磁控濺射的工作原理是指電子在電場E的作用下,在飛向基片過程中與氬原子發生碰撞,使其電離產生出Ar正離子和新的電子;新電子飛向基片,Ar離子在電場作用下加速飛向陰極靶,并以高能量轟擊靶表面,使靶材發生濺射。在濺射粒子中,中性的靶原子或分子沉積在基片上形成薄膜,而產生的二次電子會受到電場和磁場作用,產生E(電場)×B(磁場)所指的方向漂移,簡稱E×B漂移,其運動軌跡近似于一條擺線。若為環形磁場,則電子就以近似擺線形式在靶表面做圓周運動,它們的運動路徑不僅很長,而且被束縛在靠近靶表面的等離子體區域內,并且在該區域中電離出大量的Ar 來轟擊靶材,從而實現了高的沉積速率。
LPCVD工藝在襯底表面淀積一層均勻的介質薄膜,在微納加工當中用于結構層材料、絕緣層、掩模材料,LPCVD工藝淀積的材料有多晶硅、氮化硅、磷硅玻璃。不同的材料淀積采用不同的氣體。LPCVD反應的能量源是熱能,通常其溫度在500℃-1000℃之間,壓力在0.1Torr-2Torr以內,影響其沉積反應的主要參數是溫度、壓力和氣體流量,它的主要特征是因為在低壓環境下,反應氣體的平均自由程及擴散系數變大,膜厚均勻性好、臺階覆蓋性好。目前采用LPCVD工藝制作的主要材料有:多晶硅、單晶硅、非晶硅、氮化硅等。真空鍍膜在所有被鍍材料中,以塑料較為常見。
真空鍍膜的方法:分子束外延:分子束外延(MBE)是一中很特殊的真空鍍膜工藝,是在10-8Pa的超高真空條件下,將薄膜的諸組分元素的分子束流,在嚴格的監控之下,直接噴射到襯底表面。MBE的突出優點在于能生長極薄的單晶膜層,并且能精確地控制膜厚和組分與摻雜適于制作微波,光電和多層結構器件,從而為制作集成光學和超大規模集成電路提供了有力手段。利用反應分子束外延法制備TiO2薄膜時,不需要考慮中間的化學反應,又不受質量傳輸的影響,并且利用開閉擋板(快門)來實現對生長和中斷的瞬時控制,因此膜的組分和摻雜濃度可隨著源的變化而迅速調整。MBE的襯底溫度Z低,因此有減少自摻雜的優點。真空鍍膜在鋼材、鎳、鈾、金剛石表面鍍鈦金屬薄膜,提高了鋼材、鈾、金剛石等材料的耐腐蝕性能。山東真空鍍膜價格
在真空中制備膜層,包括鍍制晶態的金屬、半導體、絕緣體等單質或化合物膜。揚州納米涂層真空鍍膜
真空鍍膜:電子束蒸發可以蒸發高熔點材料,比起一般的電阻加熱蒸發熱效率高、束流密度大、蒸發速度快,制成的薄膜純度高、質量好,厚度可以較準確地控制,可以普遍應用于制備高純薄膜和導電玻璃等各種光學材料薄膜。電子束蒸發的特點是不會或很少覆蓋在目標三維結構的兩側,通常只會沉積在目標表面。這是電子束蒸發和濺射的區別。常見于半導體科研工業領域。利用加速后的電子能量打擊材料標靶,使材料標靶蒸發升騰。較終沉積到目標上。揚州納米涂層真空鍍膜