電子束蒸發是基于鎢絲的蒸發.大約 5 到 10 kV 的電流通過鎢絲(位于沉積區域外以避免污染)并將其加熱到發生電子熱離子發射的點.使用永磁體或電磁體將電子聚焦并導向蒸發材料(放置在坩堝中).在電子束撞擊蒸發丸表面的過程中,其動能轉化為熱量,釋放出高能量(每平方英寸數百萬瓦以上).因此,容納蒸發材料的爐床必須水冷以避免熔化.電子束蒸發與熱蒸發的區別在于:電子束蒸發是用一束電子轟擊物體,產生高能量進行蒸發, 熱蒸發通過加熱完成這一過程.與熱蒸發相比,電子束蒸發提供了高能量;但將薄膜的厚度控制在 5nm 量級將是困難的.在這種情況下,帶有厚度監控器的良好熱蒸發器將更合適。真空鍍膜中離子鍍的鍍層無小孔。南通真空鍍膜涂料

電子束蒸發蒸鍍如鎢(W）、鉬（Mo）等高熔點材料，需要在坩堝的結構上做一定的改進，以提高鍍膜的效率。高熔點的材料采用錠或者顆粒狀放在坩堝當中，因為水冷坩堝導熱過快，材料難以達到其蒸發的溫度。經過實驗的驗證，蒸發高熔點的材料可以用薄片來蒸鍍，將1mm材料薄片架空于碳坩堝上沿，薄片只能通過坩堝邊沿來導熱，散熱速率慢，有利于達到材料蒸發的熔點。經驗證，采用此種方式鍍膜，薄膜均勻性良好，采用此方法可滿足蒸鍍50nm以下的材料薄膜。廣州納米涂層真空鍍膜真空鍍膜機類金剛石薄膜通過蒸餾或濺射等方式在塑件表面沉積各種金屬和非金屬薄膜。

真空鍍膜：真空涂層技術的發展：真空涂層技術起步時間不長，國際上在上世紀六十年代才出現將CVD（化學氣相沉積）技術應用于硬質合金刀具上。由于該技術需在高溫下進行（工藝溫度高于1000oC），涂層種類單一，局限性很大，起初并未得到推廣。到了上世紀七十年代末，開始出現PVD（物理的氣相沉積）技術，之后在短短的二、三十年間PVD涂層技術得到迅猛發展，究其原因：其在真空密封的腔體內成膜，幾乎無任何環境污染問題，有利于環保；其能得到光亮、華貴的表面，在顏色上，成熟的有七彩色、銀色、透明色、金黃色、黑色、以及由金黃色到黑色之間的任何一種顏色，能夠滿足裝飾性的各種需要；可以輕松得到其他方法難以獲得的高硬度、高耐磨性的陶瓷涂層、復合涂層，應用在工裝、模具上面，可以使壽命成倍提高，較好地實現了低成本、收益的效果；此外，PVD涂層技術具有低溫、高能兩個特點，幾乎可以在任何基材上成膜，因此，應用范圍十分廣闊，其發展神速也就不足為奇。

電子束蒸發是基于鎢絲的蒸發。大約 5 到 10 kV 的電流通過鎢絲（位于沉積區域外以避免污染）并將其加熱到發生電子熱離子發射的點。使用永磁體或電磁體將電子聚焦并導向蒸發材料（放置在坩堝中）。在電子束撞擊蒸發丸表面的過程中，其動能轉化為熱量，釋放出高能量（每平方英寸數百萬瓦以上）。因此，容納蒸發材料的爐床必須水冷以避免熔化。電子束蒸發設備結構簡單，成本低廉，而且可以蒸發高熔點材料，在蒸鍍合金時可以實現快速蒸發，避免合金的分餾，其鍍膜質量也可以達到較高水平，可以廣泛應用于激光器腔面鍍膜以及玻璃等各種光學材料表面鍍膜，是一種可易于實現大批量生產的成熟鍍膜技術。電子束蒸發是真空鍍膜技術的一種。

利用PECVD生長的氧化硅薄膜具有以下優點：1.均勻性和重復性好，可大面積成膜，適合批量生長2.可在低溫下成膜，對基底要求比較低3.臺階覆蓋性比較好 4.薄膜成分和厚度容易控制，生長方法階段 5.應用范圍廣，設備簡單，易于產業化。評價氧化硅薄膜的質量，簡單的方法是采用BOE腐蝕氧化硅薄膜，腐蝕速率越慢，薄膜質量越致密，反之，腐蝕速率越快，薄膜質量越差。另外，沉積速率的快慢也會影響到薄膜的質量，沉積速率過快，會導致氧化硅薄膜速率過快，說明薄膜質量比較差。真空鍍膜技術四五十年代開始出現工業應用。商丘真空鍍膜工藝

真空鍍膜機爐體與爐門為了充分利用爐體的內部空間，減輕真空系統的負載。南通真空鍍膜涂料

磁控濺射技術可制備裝飾薄膜、硬質薄膜、耐腐蝕摩擦薄膜、超導薄膜、磁性薄膜、光學薄膜，以及各種具有特殊功能的薄膜，是一種十分有效的薄膜沉積方法，在各個工業領域應用非常廣。“濺射”是指具有一定能量的粒子（一般為Ar+離子）轟擊固體（靶材）表面，使得固體（靶材）分子或原子離開固體，從表面射出，沉積到被鍍工件上。磁控濺射是在靶材表面建立與電場正交磁場，電子受電場加速作用的同時受到磁場的束縛作用，運動軌跡成擺線，增加了電子和帶電粒子以及氣體分子相碰撞的幾率，提高了氣體的離化率，提高了沉積速率。南通真空鍍膜涂料