熱式氣體流量控制器在雙靶磁控濺射儀的應用：雙室磁控濺射沉積系統是帶有進樣室的高真空多功能磁控濺射鍍膜設備。它可用于在高真空背景下，充入高純氬氣，采用磁控濺射方式制備各種金屬膜、介質膜、半導體膜。雙靶磁控濺射儀是一款高真空鍍膜設備，可用于制備單層或多層鐵電薄膜、導電薄膜、合金薄膜、半導體薄膜、陶瓷薄膜、介質薄膜、光學薄膜、氧化物薄膜、硬質薄膜、聚四氟乙烯薄膜等。本公司生產的DC系列的數字型熱式氣體流量控制器在該設備中使用，產品采用全數字架構，新型的傳感制作工藝，通訊方式兼容：0-5V、4-20mA、RS485通訊模式，一鍵切換通訊信號，操作簡單方便。磁控濺射技術在光學薄膜(如增透膜)、低輻射玻璃和透明導電玻璃等方面也得到應用。四川脈沖磁控濺射用處
真空磁控濺射鍍膜技術所鍍玻璃多用于建筑玻璃和汽車玻璃這兩大用處。一般來說這些介質膜多是氧化鋅、二氧化錫、二氧化鈦、二氧化硅之類的可鍍于玻璃上。真空磁控濺射鍍膜技術在車窗玻璃上的用處。用真空磁控濺射鍍膜設備可在車窗玻璃鍍涂二氧化鈦，這個鍍層可以賦予車窗自清潔效果，有一定的防霧、防露水的效用。磁控濺射工藝的主要優點是可以使用反應性或非反應性鍍膜工藝來沉積這些材料的膜層，并且可以很好地控制膜層成分、膜厚、膜厚均勻性和膜層機械性能等。浙江金屬磁控濺射優點平衡靶源多用于半導體光學膜，非平衡多用于磨損裝飾膜。
磁控濺射鍍膜就是在真空中利用荷能粒子轟擊靶表面，使被轟擊出的粒子沉積在基片上的技術。通常，利用低壓惰性氣體輝光放電來產生入射離子。陰極靶由鍍膜材料制成，基片作為陽極，真空室中通入0.1-10Pa的氬氣或其它惰性氣體，在陰極（靶）1-3KV直流負高壓或13.56MHz的射頻電壓作用下產生輝光放電。電離出的氬離子轟擊靶表面，使得靶原子濺出并沉積在基片上，形成薄膜。濺射方法很多，主要有二級濺射、三級或四級濺射、磁控濺射、對靶濺射、射頻濺射、偏壓濺射、非對稱交流射頻濺射、離子束濺射以及反應濺射等。
近年來磁控濺射技能發展十分迅速，代表性辦法有平衡平衡磁控濺射、反響磁控濺射、中頻磁控濺射及高能脈沖磁控濺射等等。放電發生的等離子體中，氬氣正離子在電場效果下向陰極移動，與靶材外表磕碰，受磕碰而從靶材外表濺射出的靶材原子稱為濺射原子。磁控濺射不只應用于科研及工業范疇，已延伸到許多日常生活用品，主要應用在化學氣相堆積制膜困難的薄膜制備。磁控濺射技能在制備電子封裝及光學薄膜方面已有多年，特別是先進的中頻非平衡磁控濺射技能也已在光學薄膜、通明導電玻璃等方面得到應用。磁控濺射是在低氣壓下進行高速濺射,為此需要提高氣體的離化率。
談到磁控濺射，首先就要說濺射技術。濺射技術是指使得具有一定能量的粒子轟擊材料表面，使得固體材料表面的原子或分子分離，飛濺落于另一物體表面形成鍍膜的技術。被粒子轟擊的材料稱為靶材，而被鍍膜的固體材料稱為基片。首先由極板發射出粒子，這些粒子一般是電子，接著使它們在外電場加速下與惰性氣體分子一般是氬氣分子（即Ar原子）碰撞，使得其電離成Ar離子和二次電子。Ar離子會受到電場的作用，以高速轟擊靶材，使靶材表面原子或分子飛濺出去，落于基片表面沉積下來形成薄膜。真空磁控濺射鍍膜特別適用于反應沉積鍍膜。浙江金屬磁控濺射優點
磁控濺射是入射粒子和靶的碰撞過程。四川脈沖磁控濺射用處
磁控濺射技術得以普遍的應用,是由該技術有別于其它鍍膜方法的特點所決定的。其特點可歸納為:可制備成靶材的各種材料均可作為薄膜材料,包括各種金屬、半導體、鐵磁材料,以及絕緣的氧化物、陶瓷等物質,尤其適合高熔點和低蒸汽壓的材料沉積鍍膜在適當條件下多元靶材共濺射方式,可沉積所需組分的混合物、化合物薄膜;在濺射的放電氣中加入氧、氮或其它活性氣體,可沉積形成靶材物質與氣體分子的化合物薄膜;控制真空室中的氣壓、濺射功率,基本上可獲得穩定的沉積速率,通過精確地控制濺射鍍膜時間,容易獲得均勻的高精度的膜厚,且重復性好;濺射粒子幾乎不受重力影響,靶材與基片位置可自由安排;基片與膜的附著強度是一般蒸鍍膜的10倍以上,且由于濺射粒子帶有高能量,在成膜面會繼續表面擴散而得到硬且致密的薄膜,同時高能量使基片只要較低的溫度即可得到結晶膜;薄膜形成初期成核密度高,故可生產厚度10nm以下的極薄連續膜。四川脈沖磁控濺射用處
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