△V（B）=V（B0）-V（BR）。一般△V（B）應小于2伏。雙向觸發二極管的正向轉折電壓值一般有三個等級：20-60V、100-150V、200-250V。由于轉折電壓都大于20V，可以用萬用表電阻擋正反向測雙向二極管，表針均應不動（RX10k),但還不能完全確定它就是好的。檢測它的好壞，并能提供大于250V的直流電壓的電源，檢測時通過管子的電流不要大于是5mA。用晶體管耐壓測試器檢測十分方便。如沒有，可用兆歐表按圖6所示進行測量（正、反各一次），電壓大的一次V（BR）。例如：測一只DB3型二極管，***次為27.5V，反向后再測為28V，則△V（B）=V（B0）-V（BR）=28V-27.5V=0.5V<2V,表明該管對稱性很好。為了保證使用安全，規定了最高反向工作電壓值。青浦區哪里二極管聯系人
反向電流反向電流是指二極管在常溫（25℃）和比較高反向電壓作用***過二極管的反向電流。反向電流越小，管子的單方向導電性能越好。值得注意的是反向電流與溫度有著密切的關系，大約溫度每升高10℃，反向電流增大一倍。例如2AP1型鍺二極管，在25℃時反向電流若為250μA，溫度升高到35℃，反向電流將上升到500μA，依此類推，在75℃時，它的反向電流已達8mA，不僅失去了單方向導電特性，還會使管子過熱而損壞。又如，2CP10型硅二極管，25℃時反向電流*為5μA，溫度升高到75℃時，反向電流也不過160μA。故硅二極管比鍺二極管在高溫下具有較好的穩定性。 [4]青浦區哪里二極管聯系人二極管的導通和截止，則相當于開關的接通與斷開 [2]。
二極管的電路符號如圖1所示。二極管有兩個電極，由P區引出的電極是正極，又叫陽極；由N區引出的電極是負極，又叫陰極。三角箭頭方向表示正向電流的方向，二極管的文字符號用VD表示。 [4]二極管的主要原理就是利用PN結的單向導電性，在PN結上加上引線和封裝就成了一個二極管。晶體二極管為一個由P型半導體和N型半導體形成的PN結，在其界面處兩側形成空間電荷層，并建有自建電場。當不存在外加電壓時，由于PN結兩邊載流子濃度差引起的擴散電流和自建電場引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態。
當正向電壓大于死區電壓以后，PN結內電場被克服，二極管正向導通，電流隨電壓增大而迅速上升。在正常使用的電流范圍內，導通時二極管的端電壓幾乎維持不變，這個電壓稱為二極管的正向電壓。 [4]當二極管兩端的正向電壓超過一定數值 ，內電場很快被削弱，特性電流迅速增長，二極管正向導通。 叫做門坎電壓或閾值電壓，硅管約為0.5V，鍺管約為0.1V。硅二極管的正向導通壓降約為0.6~0.8V，鍺二極管的正向導通壓降約為0.2~0.3V。 [4]反向特性外加反向電壓不超過一定范圍時，通過二極管的電流是少數載流子漂移運動所形成反向電流。由于反向電流很小，二極管處于截止狀態。這個反向電流又稱為反向飽和電流或漏電流，二極管的反向飽和電流受溫度影響很大。 [4]隨著外加電場的增加，擴散運動進一步增強，漂移運動減弱。
因硼原子只有三個價電子，它與周圍的硅原子形成共價鍵，因缺少一個電子，在晶體中便產生一個空位，當相鄰共價鍵上的電子獲得能量時就有可能填補這個空位，使硼原子成了不能移動的負離子，而原來的硅原子的共價鍵則因缺少一個電子，形成了空穴，但整個半導體仍呈中性。這種P型半導體中以空穴導電為主，空穴為多數載流子，自由電子為少數載流子。 [6]N型半導體形成的原理和P型原理相似。在本征半導體中摻入五價原子，如磷等。摻入后，它與硅原子形成共價鍵，產生了自由電子。在N型半導體中，電子為多數載流子，空穴為少數載流子。 [6]P型半導體是在本征半導體（一種完全純凈的、結構完整的半導體晶體）摻入少量三價元素雜質，如硼等。青浦區哪里二極管聯系人
不同類型的二極管有不同的特性參數。青浦區哪里二極管聯系人
由于現代的開關電源工作頻率都在20khz以上，比起一般的整流二極管，快速恢復二極管和超快速恢復二極管的反向恢復時間減小到了毫微秒極。因此，**提高了電源的效率。據經驗，在選擇快速恢復二極管時,其反向恢復時間至少應該比開關晶體管的上升時間低三倍。這兩種整流二極管還減少了開關電壓尖峰。而這種尖峰直接影響輸出直流電壓的紋波。雖然某些稱為軟恢復型整流二極管的噪聲較小，但是它們的反向恢復時間trr較長，反向電流Irm也較大.因此使得開關損耗較大。快速恢復整流二極管和超快恢復整流二極管在開關電源中作為整流器使用時,是否需要散熱器,要根據電路的最大功率決定。一般情況下，這些二極管再制造時允許的結溫在175度。生產廠家對其產品都有技術說明，提供給設計者去計算比較大的輸出工作電流、電壓、及外殼溫度等。青浦區哪里二極管聯系人
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