DDR2模塊相對(duì)于DDR內(nèi)存技術(shù)（有時(shí)稱(chēng)為DDRI），DDRII內(nèi)存可進(jìn)行4bit預(yù)讀取。兩倍于標(biāo)準(zhǔn)DDR內(nèi)存的2BIT預(yù)讀取，這就意味著，DDRII擁有兩倍于DDR的預(yù)讀系統(tǒng)命令數(shù)據(jù)的能力，因此，DDRII則簡(jiǎn)單的獲得兩倍于DDR的完整的數(shù)據(jù)傳輸能力；DDR采用了支持2.5V電壓的SSTL-2電平標(biāo)準(zhǔn)，而DDRII采用了支持1.8V電壓的SSTL-18電平標(biāo)準(zhǔn)；DDR采用的是TSOP封裝，而DDRII采用的是FBGA封裝，相對(duì)于DDR，DDRII不僅獲得的更高的速度和更高的帶寬，而且在低功耗、低發(fā)熱量及電器穩(wěn)定性方面有著更好的表現(xiàn)。DDRII內(nèi)存技術(shù)比較大的突破點(diǎn)其實(shí)不在于用戶(hù)們所認(rèn)為的兩倍于DDR的傳輸能力，而是在采用更低發(fā)熱量、更低功耗的情況下，DDRII可以獲得更快的頻率提升，突破標(biāo)準(zhǔn)DDR的400MHZ限制。PCB設(shè)計(jì)中如何評(píng)估平面層數(shù)？荊州如何PCB設(shè)計(jì)規(guī)范

放置固定結(jié)構(gòu)件（1）各固定器件坐標(biāo)、方向、1腳位置、頂?shù)讓臃胖门c結(jié)構(gòu)圖固定件完全一致，并將器件按照結(jié)構(gòu)圖形對(duì)應(yīng)放置。（2）當(dāng)有如下列情形時(shí)，需將問(wèn)題描述清楚并記錄到《項(xiàng)目設(shè)計(jì)溝通記錄》中，同時(shí)郵件通知客戶(hù)修改確認(rèn)。結(jié)構(gòu)圖形與部分管腳不能完全重合；結(jié)構(gòu)圖形1腳標(biāo)識(shí)與封裝1腳焊盤(pán)指示不符；結(jié)構(gòu)圖形指示孔徑與封裝孔徑不符；文字描述、標(biāo)注尺寸等和結(jié)構(gòu)圖實(shí)際不一致；其他有疑問(wèn)的地方。（3）安裝孔坐標(biāo)、孔徑、頂?shù)讓优c結(jié)構(gòu)圖完全一致。（4）安裝孔、定位孔為NPTH且保留焊環(huán)時(shí)，焊環(huán)離孔距離8Mil以上，焊盤(pán)單邊比孔大33mil（5）固定結(jié)構(gòu)件放置完畢后，對(duì)器件賦予不可移動(dòng)屬性。（6）在孔符層進(jìn)行尺寸標(biāo)注，標(biāo)注單位為公制（mm），精度小數(shù)點(diǎn)后2位，尺寸公差根據(jù)客戶(hù)結(jié)構(gòu)圖要求。（7）工藝邊或者拼版如使用V-CUT，需進(jìn)行標(biāo)注。（8）如設(shè)計(jì)過(guò)程中更改結(jié)構(gòu)，按照結(jié)構(gòu)重新繪制板框、繪制結(jié)構(gòu)特殊區(qū)域和放置固定構(gòu)件。客戶(hù)無(wú)具體的結(jié)構(gòu)要求時(shí)，應(yīng)根據(jù)情況記錄到《項(xiàng)目設(shè)計(jì)溝通記錄》中。（9）子卡、母卡對(duì)插/扣設(shè)計(jì)黃岡專(zhuān)業(yè)PCB設(shè)計(jì)不同存儲(chǔ)容量及不同數(shù)據(jù)寬度的器件有所不同。

工藝、層疊和阻抗信息確認(rèn)（1）與客戶(hù)確認(rèn)阻抗類(lèi)型，常見(jiàn)阻抗類(lèi)型如下：常規(guī)阻抗：?jiǎn)味?0歐姆，差分100歐姆。特殊阻抗：射頻線(xiàn)單端50歐姆、75歐姆隔層參考，USB接口差分90歐姆，RS485串口差分120歐姆。（2）傳遞《PCBLayout業(yè)務(wù)資料及要求》中的工藝要求、層疊排布信息和阻抗要求至工藝工程師，由工藝工程師生成《PCB加工工藝要求說(shuō)明書(shū)》，基于以下幾點(diǎn)進(jìn)行說(shuō)明：信號(hào)層夾在電源層和地層之間時(shí),信號(hào)層靠近地層。差分間距≤2倍線(xiàn)寬。相鄰信號(hào)層間距拉大。阻抗線(xiàn)所在的層號(hào)。（3）檢查《PCB加工工藝要求說(shuō)明書(shū)》信息是否有遺漏，錯(cuò)誤，核對(duì)無(wú)誤后再與客戶(hù)進(jìn)行確認(rèn)。

添加特殊字符（1）靠近器件管腳擺放網(wǎng)絡(luò)名，擺放要求同器件字符，（2）板名、版本絲印：放置在PCB的元件面，水平放置，比元件位號(hào)絲印大（常規(guī)絲印字符寬度10Mil，高度80Mil）；扣板正反面都需要有板名絲印，方便識(shí)別。添加特殊絲印（1）條碼：條碼位置應(yīng)靠近PCB板名版本號(hào)，且長(zhǎng)邊必須與傳送方向平行，區(qū)域內(nèi)不能有焊盤(pán)直徑大于0.5mm的導(dǎo)通孔，如有導(dǎo)通孔則必須用綠油覆蓋。條碼位置必須符合以下要求，否則無(wú)法噴碼或貼標(biāo)簽。1、預(yù)留區(qū)域?yàn)橥繚M(mǎn)油墨的絲印區(qū)。2、尺寸為22.5mmX6.5mm。3、絲印區(qū)外20mm范圍內(nèi)不能有高度超過(guò)25mm的元器件。2）其他絲印：所有射頻PCB建議添加標(biāo)準(zhǔn)“RF”的絲印字樣。對(duì)于過(guò)波峰焊的過(guò)板方向有明確規(guī)定的PCB,如設(shè)計(jì)了偷錫焊盤(pán)、淚滴焊盤(pán)或器件焊接方向，需要用絲印標(biāo)示出過(guò)板方向。如果有扣板散熱器，要用絲印將扣板散熱器的輪廓按真實(shí)大小標(biāo)示出來(lái)。放靜電標(biāo)記的優(yōu)先位置是PCB的元件面，采用標(biāo)準(zhǔn)的封裝庫(kù)。在板名旁留出生產(chǎn)序列號(hào)的空間，字體格式、大小由客戶(hù)確認(rèn)。京曉科技與您分享等長(zhǎng)線(xiàn)處理的具體步驟。

DDRII新增特性，ODT（ On Die Termination）,DDR匹配放在PCB電路板上，而DDRII則把匹配直接設(shè)計(jì)到DRAM芯片內(nèi)部，用來(lái)改善信號(hào)品質(zhì)，這使得DDRII的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)較DDR簡(jiǎn)單，布局布線(xiàn)也相對(duì)較容易一些。說(shuō)明：ODT（On-Die Termination）即芯片內(nèi)部匹配終結(jié)，可以節(jié)省PCB面積，另一方面因?yàn)閿?shù)據(jù)線(xiàn)的串聯(lián)電阻位置很難兼顧讀寫(xiě)兩個(gè)方向的要求。而在DDR2芯片提供一個(gè)ODT引腳來(lái)控制芯片內(nèi)部終結(jié)電阻的開(kāi)關(guān)狀態(tài)。寫(xiě)操作時(shí)，DDR2作為接收端，ODT引腳為高電平打開(kāi)芯片內(nèi)部的終結(jié)電阻，讀操作時(shí)，DDR2作為發(fā)送端，ODT引腳為低電平關(guān)閉芯片內(nèi)部的終結(jié)電阻。ODT允許配置的阻值包括關(guān)閉、75Ω、150Ω、50Ω四種模式。ODT功能只針對(duì)DQ\DM\DQS等信號(hào)，而地址和控制仍然需要外部端接電阻。DDR3的PCB布局布線(xiàn)要求是什么？荊門(mén)什么是PCB設(shè)計(jì)銷(xiāo)售電話(huà)

LDO外圍電路布局要求是什么？荊州如何PCB設(shè)計(jì)規(guī)范

ADC/DAC電路：（2）模擬地與數(shù)字地處理：大多數(shù)ADC、DAC往往依據(jù)數(shù)據(jù)手冊(cè)和提供的參考設(shè)計(jì)進(jìn)行地分割處理，通常情況是將PCB地層分為模擬地AGND和數(shù)字地DGND，然后將二者單點(diǎn)連接，（3）模擬電源和數(shù)字電源當(dāng)電源入口只有統(tǒng)一的數(shù)字地和數(shù)字電源時(shí)，在電源入口處通過(guò)將數(shù)字地加磁珠或電感，將數(shù)字地拆分成成模擬地；同樣在電源入口處將數(shù)字電源通過(guò)磁珠或電感拆分成模擬電源。負(fù)載端所有的數(shù)字電源都通過(guò)入口處數(shù)字電源生成、模擬電源都通過(guò)經(jīng)過(guò)磁珠或電感隔離后的模擬電源生成。如果在電源入口處（外部提供的電源）既有模擬地又有數(shù)字地、既有模擬電源又有數(shù)字電源，板子上所有的數(shù)字電源都用入口處的數(shù)字電源生成、模擬電源都用入口處的模擬電源生成。ADC和DAC器件的模擬電源一般采用LDO進(jìn)行供電，因?yàn)槠潆娏餍　⒓y波小，而DC/DC會(huì)引入較大開(kāi)關(guān)電源噪聲，嚴(yán)重影響ADC/DAC器件性能，因此，模擬電路應(yīng)該采用LDO進(jìn)行供電。荊州如何PCB設(shè)計(jì)規(guī)范

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