整板布線，1）所有焊盤必須從中心出線,線路連接良好，（2）矩形焊盤出線與焊盤長邊成180度角或0度角出線，焊盤內(nèi)部走線寬度必須小于焊盤寬度，BGA焊盤走線線寬不大于焊盤的1/2，走線方式，（3）所有拐角處45度走線，禁止出現(xiàn)銳角和直角走線，（4）走線到板邊的距離≥20Mil，距離參考平面的邊沿滿足3H原則，（5）電感、晶體、晶振所在器件面區(qū)域內(nèi)不能有非地網(wǎng)絡(luò)外的走線和過孔。（6）光耦、變壓器、共模電感、繼電器等隔離器件本體投影區(qū)所有層禁止布線和鋪銅。（7）金屬殼體正下方器件面禁止有非地網(wǎng)絡(luò)過孔存在，非地網(wǎng)絡(luò)過孔距離殼體1mm以上。（8）不同地間或高低壓間需進行隔離。（9）差分線需嚴(yán)格按照工藝計算的差分線寬和線距布線；（10）相鄰信號層推薦正交布線方式，無法正交時，相互錯開布線，（11）PCB LAYOUT中的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)指的是芯片與芯片之間的連接方式，不同的總線特點不一樣，所采用的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)也不一樣，多拓?fù)涞幕ミB。PCB設(shè)計中電氣方面的注意事項。黃岡打造PCB設(shè)計規(guī)范

SDRAM的端接1、時鐘采用∏型(RCR)濾波，∏型濾波的布局要緊湊，布線時不要形成Stub。2、控制總線、地址總線采用在源端串接電阻或者直連。3、數(shù)據(jù)線有兩種端接方法，一種是在CPU和SDRAM中間串接電阻，另一種是分別在CPU和SDRAM兩端串接電阻，具體的情況可以根據(jù)仿真確定。SDRAM的PCB布局布線要求1、對于數(shù)據(jù)信號，如果32bit位寬數(shù)據(jù)總線中的低16位數(shù)據(jù)信號掛接其它如boot、flashmemory、244\245緩沖器等的情況，SDRAM作為接收器即寫進程時，首先要保證SDRAM接收端的信號完整性，將SDRAM芯片放置在信號鏈路的遠端，對于地址及控制信號的也應(yīng)該如此處理。2、對于掛了多片SDRAM芯片和其它器件如boot、flashmemory、244\245緩沖器等的情況，從信號完整性角度來考慮，SDRAM芯片及boot、flashmemory、244\245緩沖器等集中緊湊布局。3、源端匹配電阻應(yīng)靠近輸出管腳放置，退耦電容靠近器件電源管腳放置。4、SDRAM的數(shù)據(jù)、地址線推薦采用菊花鏈布線線和遠端分支方式布線，Stub線頭短。5、對于SDRAM總線，一般要對SDRAM的時鐘、數(shù)據(jù)、地址及控制信號在源端要串聯(lián)上33歐姆或47歐姆的電阻，否則此時總線上的過沖大，可能影響信號完整性和時序,有可能會損害芯片。湖北定制PCB設(shè)計晶體電路布局布線要求有哪些？

電源、地處理，（1）不同電源、地網(wǎng)絡(luò)銅皮分割帶優(yōu)先≥20Mil，在BGA投影區(qū)域內(nèi)分隔帶小為10Mil。（2）開關(guān)電源按器件資料單點接地，電感下不允許走線；（3）電源、地網(wǎng)絡(luò)銅皮的最小寬度處滿足電源、地電流大小的通流能力，參考4.8銅皮寬度通流表。（4）電源、地平面的換層處過孔數(shù)量必須滿足電流載流能力，參考4.8過孔孔徑通流表。（5）3個以上相鄰過孔反焊盤邊緣間距≥4Mil，禁止出現(xiàn)過孔割斷銅皮的情況，（6）模擬電源、模擬地只在模擬區(qū)域劃分，數(shù)字電源、數(shù)字地只在數(shù)字區(qū)域劃分，投影區(qū)域在所有層面禁止重疊，如下如圖所示。建議在模擬區(qū)域的所有平面層鋪模擬地處理（7）跨區(qū)信號線從模擬地和數(shù)字地的橋接處穿過（8）電源層相對地層內(nèi)縮必須≥20Mil，優(yōu)先40Mil（9）單板孤立銅皮要逐一確認(rèn)、不需要的要逐一刪除（10）室溫情況下，壓差在10V以上的網(wǎng)絡(luò)，同層必須滿足安規(guī)≥20Mil要求，壓差每增加1V,間距增加1Mil。（11）在疊層不對稱時，信號層鋪電源、地網(wǎng)絡(luò)銅皮，且銅皮、銅線面積占整板總面積50%以上，以防止成品PCB翹曲。

存儲模塊介紹：存儲器分類在我們的設(shè)計用到的存儲器有SRAM、DRAM、EEPROM、Flash等，其中DDR系列用的是多的，其DDR-DDR4的詳細(xì)參數(shù)如下：DDR采用TSSOP封裝技術(shù)，而DDR2和DDR3內(nèi)存均采用FBGA封裝技術(shù)。TSSOP封裝的外形尺寸較大，呈長方形，其優(yōu)點是成本低、工藝要求不高，缺點是傳導(dǎo)效果差，容易受干擾，散熱不理想，而FBGA內(nèi)存顆粒精致小巧，體積大約只有DDR內(nèi)存顆粒的三分之一，有效地縮短信號傳輸距離，在抗干擾、散熱等方面更有優(yōu)勢，而DDR4采用3DS(3-DimensionalStack)三維堆疊技術(shù)來增大單顆芯片容量，封裝外形則與DDR2、DDR3差別不大。制造工藝不斷提高，從DDR到DDR2再到DDR3內(nèi)存，其制造工藝都在不斷改善，更高工藝水平會使內(nèi)存電氣性能更好，成本更低；DDR內(nèi)存顆粒大范圍采用0.13微米制造工藝，而DDR2采用了0.09微米制造工藝，DDR3則采用了全新65nm制造工藝，而DDR4使用20nm以下的工藝來制造，從DDR～DDR4的具體參數(shù)如下表所示。DDR模塊中管腳功能說明。

規(guī)則設(shè)置子流程：層疊設(shè)置→物理規(guī)則設(shè)置→間距規(guī)則設(shè)置→差分線規(guī)則設(shè)置→特殊區(qū)域規(guī)則設(shè)置→時序規(guī)則設(shè)置◆層疊設(shè)置：根據(jù)《PCB加工工藝要求說明書》上的層疊信息，在PCB上進行對應(yīng)的規(guī)則設(shè)置。◆物理規(guī)則設(shè)置（1）所有阻抗線線寬滿足《PCB加工工藝要求說明書》中的阻抗信息，非阻抗線外層6Mil,內(nèi)層5Mil。（2）電源/地線：線寬>=15Mil。（3）整板過孔種類≤2,且過孔孔環(huán)≥4Mil，Via直徑與《PCBLayout工藝參數(shù)》一致，板厚孔徑比滿足制造工廠或客戶要求，過孔設(shè)置按《PCBLayout工藝參數(shù)》要求。◆間距規(guī)則設(shè)置：根據(jù)《PCBLayout工藝參數(shù)》中的間距要求設(shè)置間距規(guī)則，阻抗線距與《PCB加工工藝要求說明書》要求一致。此外，應(yīng)保證以下參數(shù)與《PCBLayout工藝參數(shù)》一致，以免短路：（1）內(nèi)外層導(dǎo)體到安裝孔或定位孔邊緣距離；（2）內(nèi)外層導(dǎo)體到郵票孔邊緣距離；（3）內(nèi)外層導(dǎo)體到V-CUT邊緣距離；（4）外層導(dǎo)體到導(dǎo)軌邊緣距離；（5）內(nèi)外層導(dǎo)體到板邊緣距離；◆差分線規(guī)則設(shè)置（1）滿足《PCB加工工藝要求說明書》中差分線的線寬/距要求。（2）差分線信號與任意信號的距離≥20Mil。PCB設(shè)計中FPGA管腳的交換注意事項。黃石正規(guī)PCB設(shè)計怎么樣

DDR與SDRAM信號的不同之處在哪？黃岡打造PCB設(shè)計規(guī)范

射頻、中頻電路（3）射頻電路的PCBLAYOUT注意事項1、在同一個屏蔽腔體內(nèi)，布局時應(yīng)該按RF主信號流一字布局，由于空間限制，如果在同一個屏蔽腔內(nèi)，RF主信號的元器件不能采用一字布局時，可以采用L形布局，比較好不要用U字形布局，在使用U字形布局前，一定要對U形布局的輸出與輸入間的隔離度要做仔細(xì)分析，確保不會出問題。2、相同單元的布局要保證完全相同，例如TRX有多個接收通道和發(fā)射通道。3、布局時就要考慮RF主信號走向，和器件間的相互耦合作用。4、感性器件應(yīng)防止互感，與鄰近的電感垂直放置中的電感布局。5、把高功率RF放大器(HPA)和低噪音放大器(LNA)隔離開來，簡單地說，就是讓高功率RF發(fā)射電路遠離低功率RF接收電路，或者讓它們交替工作，而不是同時工作，高功率電路有時還可包括RF緩沖器和壓控制振蕩器(VCO)。6、確保PCB板上高功率區(qū)至少有一整塊地，且沒有過孔，銅皮面積越大越好。7、RF輸出要遠離RF輸入，或者采取屏蔽隔離措施，防止輸出信號串到輸入端。8、敏感的模擬信號應(yīng)該遠離高速數(shù)字信號和RF信號。黃岡打造PCB設(shè)計規(guī)范

武漢京曉科技有限公司匯集了大量的優(yōu)秀人才，集企業(yè)奇思，創(chuàng)經(jīng)濟奇跡，一群有夢想有朝氣的團隊不斷在前進的道路上開創(chuàng)新天地，繪畫新藍圖，在湖北省等地區(qū)的電工電氣中始終保持良好的信譽，信奉著“爭取每一個客戶不容易，失去每一個用戶很簡單”的理念，市場是企業(yè)的方向，質(zhì)量是企業(yè)的生命，在公司有效方針的領(lǐng)導(dǎo)下，全體上下，團結(jié)一致，共同進退，齊心協(xié)力把各方面工作做得更好，努力開創(chuàng)工作的新局面，公司的新高度，未來武漢京曉科技供應(yīng)和您一起奔向更美好的未來，即使現(xiàn)在有一點小小的成績，也不足以驕傲，過去的種種都已成為昨日我們只有總結(jié)經(jīng)驗，才能繼續(xù)上路，讓我們一起點燃新的希望，放飛新的夢想！