DDR的PCB布局、布線要求1、DDR數據信號線的拓撲結構，在布局時保證緊湊的布局，即控制器與DDR芯片緊湊布局，需要注意DDR數據信號是雙向的，串聯端接電阻放在中間可以同時兼顧數據讀/寫時良好的信號完整性。2、對于DDR信號數據信號DQ是參考選通信號DQS的，數據信號與選通信號是分組的；如8位數據DQ信號+1位數據掩碼DM信號+1位數據選通DQS信號組成一組，如是32位數據信號將分成4組，如是64位數據信號將分成8組，每組里面的所有信號在布局布線時要保持拓撲結構的一致性和長度上匹配，這樣才能保證良好的信號完整性和時序匹配關系，要保證過孔數目相同。數據線同組（DQS、DM、DQ[7:0]）組內等長為20Mil，不同組的等長范圍為200Mil，時鐘線和數據線的等長范圍≤1000Mil。3、對于DDR信號，需要注意串擾的影響，布線時拉開與同層相鄰信號的間距，時鐘線與其它線的間距要保證3W線寬，數據線與地址線和控制線的間距要保證3W線寬，數據線內或地址線和控制線內保證2W線寬；如果兩個信號層相鄰，要使相鄰兩層的信號走線正交。疊層方案子流程以及規則設置。荊州常規PCB設計原理

 DDR模塊，DDRSDRAM全稱為DoubleDataRateSDRAM，中文名為“雙倍數據率SDRAM”，是在SDRAM的基礎上改進而來，人們習慣稱為DDR，DDR本質上不需要提高時鐘頻率就能加倍提高SDRAM的數據傳輸速率，它允許在時鐘的上升沿和下降沿讀取數據，因而其速度是標準SDRAM的兩倍。（1）DDRSDRAM管腳功能說明：圖6-1-5-1為512MDDR（8M×16bit×4Bank）的66-pinTSOP封裝圖和各引腳及功能簡述1、CK/CK#是DDR的全局時鐘，DDR的所有命令信號，地址信號都是以CK/CK#為時序參考的。2、CKE為時鐘使能信號，與SDRAM不同的是，在進行讀寫操作時CKE要保持為高電平，當CKE由高電平變為低電平時，器件進入斷電模式（所有BANK都沒有時）或自刷新模式（部分BANK時），當CKE由低電平變為高電平時，器件從斷電模式或自刷新模式中退出。3、CS#為片選信號，低電平有效。當CS#為高時器件內部的命令解碼將不工作。同時，CS#也是命令信號的一部分。4、RAS#、CAS#、WE#分別為行選擇、列選擇、寫使能信號，低電平有效。這三個信號與CS#一起組成了DDR的命令信號。什么是PCB設計功能不同存儲容量及不同數據寬度的器件有所不同。

DDR與SDRAM信號的不同之處，1、DDR的數據信號與地址\控制信號是參考不同的時鐘信號，數據信號參考DQS選通信號，地址\控制信號參考CK\CK#差分時鐘信號；而SDRAM信號的數據、地址、控制信號是參考同一個時鐘信號。2、數據信號參考的時鐘信號即DQS信號是上升沿和下降沿都有效，即DQS信號的上升沿和下降沿都可以觸發和鎖存數據，而SDRAM的時鐘信號只有在上升沿有效，相對而言DDR的數據速率翻倍。3、DDR的數據信號通常分成幾組，如每8位數據信號加一位選通信號DQS組成一組，同一組的數據信號參考相同組里的選通信號。4、為DDRSDRAM接口同步工作示意圖，數據信號與選通信號分成多組，同組內的數據信號參考同組內的選通信號；地址、控制信號參考CK\CK#差分時鐘信號。

繪制各禁止布局、布線、限高、亮銅、挖空、銑切、開槽、厚度削邊區域大小，形狀與結構圖完全一致，所在層由各EDA軟件確定。對以上相應區域設置如下特性：禁布區設置禁止布局、禁止布線屬性；限高區域設置對應高度限制屬性；亮銅區域鋪相應網絡屬性銅皮和加SolderMask；板卡金屬導軌按結構圖要求鋪銅皮和加SolderMask，距導軌內沿2mm范圍內，禁止布線、打孔、放置器件。挖空、銑切、開槽區域周邊0.5mm范圍增加禁止布局、布線區域，客戶有特殊要求除外。如何梳理PCB設計布局模塊框圖？

SDRAM時鐘源同步和外同步1、源同步：是指時鐘與數據同時在兩個芯片之間間傳輸，不需要外部時鐘源來給SDRAM提供時鐘，CLK由SDRAM控制芯片（如CPU）輸出，數據總線、地址總線、控制總線信號由CLK來觸發和鎖存，CLK必須與數據總線、地址總線、控制總線信號滿足一定的時序匹配關系才能保證SDRAM正常工作，即CLK必須與數據總線、地址總線、控制總線信號在PCB上滿足一定的傳輸線長度匹配。2、外同步：由外部時鐘給系統提供參考時鐘，數據從發送到接收需要兩個時鐘，一個鎖存發送數據，一個鎖存接收數據，在一個時鐘周期內完成，對于SDRAM及其控制芯片，參考時鐘CLK1、CLK2由外部時鐘驅動產生，此時CLK1、CLK2到達SDRAM及其控制芯片的延時必須滿足數據總線、地址總線及控制總線信號的時序匹配要求，即CLK1、CLK2必須與數據總線、地址總線、控制總線信號在PCB上滿足一定的傳輸線長度匹配。如圖6-1-4-3所示。LDO外圍電路布局要求是什么？隨州高速PCB設計布局

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DDRII新增特性，ODT（ On Die Termination）,DDR匹配放在PCB電路板上，而DDRII則把匹配直接設計到DRAM芯片內部，用來改善信號品質，這使得DDRII的拓撲結構較DDR簡單，布局布線也相對較容易一些。說明：ODT（On-Die Termination）即芯片內部匹配終結，可以節省PCB面積，另一方面因為數據線的串聯電阻位置很難兼顧讀寫兩個方向的要求。而在DDR2芯片提供一個ODT引腳來控制芯片內部終結電阻的開關狀態。寫操作時，DDR2作為接收端，ODT引腳為高電平打開芯片內部的終結電阻，讀操作時，DDR2作為發送端，ODT引腳為低電平關閉芯片內部的終結電阻。ODT允許配置的阻值包括關閉、75Ω、150Ω、50Ω四種模式。ODT功能只針對DQ\DM\DQS等信號，而地址和控制仍然需要外部端接電阻。荊州常規PCB設計原理

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