ICT測試點添加ICT測試點添加注意事項：（1）測試點焊盤≥32mil；（2）測試點距離板邊緣≥3mm；（3）相鄰測試點的中心間距≥60Mil。（4）測試點邊緣距離非Chip器件本體邊緣≥20mil，Chip器件焊盤邊緣≥10mil，其它導體邊緣≥12mil。（5）整板必須有3個孔徑≥2mm的非金屬化定位孔，且在板子的對角線上非對稱放置。（6）優先在焊接面添加ICT測試點，正面添加ICT測試點需經客戶確認。（7）電源、地網絡添加ICT測試點至少3個以上且均勻放置。（8）優先采用表貼焊盤測試點，其次采用通孔測試點，禁止直接將器件通孔管腳作為測試點使用。（9）優先在信號線上直接添加測試點或者用扇出的過孔作為測試點，采用Stub方式添加ICT測試點時，Stub走線長不超過150Mil。（10）2.5Ghz以上的高速信號網絡禁止添加測試點。（11）測試點禁止在器件、散熱片、加固件、拉手條、接插件、壓接件、條形碼、標簽等正下方，以防止被器件或物件覆蓋。（12）差分信號增加測試點，必須對稱添加，即同時在差分線對的兩個網絡的同一個地方對稱加測試點PCB設置中PCI-E板卡設計要求是什么？孝感什么是PCB設計

布線優化布線優化的步驟：連通性檢查→DRC檢查→STUB殘端走線及過孔檢查→跨分割走線檢查→走線串擾檢查→殘銅率檢查→走線角度檢查。（1）連通性檢查：整板連通性為100%，未連接網絡需確認并記錄《項目設計溝通記錄》中。（2）整板DRC檢查：對整板DRC進行檢查、修改、確認、記錄。（3）Stub殘端走線及過孔檢查：整板檢查Stub殘端走線及孤立過孔并刪除。（4）跨分割區域檢查：檢查所有分隔帶區域，并對在分隔帶上的阻抗線進行調整。（5）走線串擾檢查：所有相鄰層走線檢查并調整。（6）殘銅率檢查：對稱層需檢查殘銅率是否對稱并進行調整。（7）走線角度檢查：整板檢查直角、銳角走線。專業PCB設計原理整板布線的工藝技巧和規則。

PCBLAYOUT規范PCBLayout整個流程是：網表導入-結構繪制-設計規劃-布局-布線-絲印調整-Gerber輸出。1.1網表導入網表導入子流程如下：創建PCB文件→設置庫路徑→導入網表。創建PCB文件（1）建立一個全新PCBLayout文件，并對其命名。（2）命名方式：“項目名稱+日期+版本狀態”，名稱中字母全部大寫，以日期加上版本狀態為后綴，用以區分設計文件進度。舉例：ABC123_1031A1其中ABC123為項目名稱，1031為日期，A1為版本狀態，客戶有特殊指定要求的除外。（3）改版沿用上一版的PCB文件。設置庫路徑（1）將封裝庫文件放入LIB文件夾內或庫文件內，由客戶提供的封裝及經我司封裝組確認的封裝可直接加入LIB文件夾內或庫文件內，未經審核的封裝文件，不得放入LIB文件夾內或庫文件內。（2）對設計文件設置庫路徑，此路徑指向該項目文件夾下的LIB文件夾或庫文件，路徑指向必須之一，禁止設置多指向路徑。

電源模塊擺放電源模塊要遠離易受干擾的電路，如ADC、DAC、RF、時鐘等電路模塊，發熱量大的電源模塊，需要拉大與其它電路的距離，與其他模塊的器件保持3mm以上的距離。不同模塊的用法電源，靠近模塊擺放，負載為整板電源供電的模塊優先擺放在總電源輸入端。其它器件擺放（1）JTAG接口及外部接口芯片靠近板邊擺放，便于插拔,客戶有指定位置除外。（2）驅動電路靠近接口擺放。（3）測溫電路靠近發熱量大的電源模塊或功耗比較高的芯片擺放,擺放時確定正反面。（4）光耦、繼電器、隔離變壓器、共模電感等隔離器件的輸入輸出模塊分開擺放,隔離間距40Mil以上。（5）熱敏感元件（電解電容、晶振）遠離大功率的功能模塊、散熱器，風道末端，器件絲印邊沿距離＞400Mil。如何設計PCB布線規則？

DDRII新增特性，ODT（ On Die Termination）,DDR匹配放在PCB電路板上，而DDRII則把匹配直接設計到DRAM芯片內部，用來改善信號品質，這使得DDRII的拓撲結構較DDR簡單，布局布線也相對較容易一些。說明：ODT（On-Die Termination）即芯片內部匹配終結，可以節省PCB面積，另一方面因為數據線的串聯電阻位置很難兼顧讀寫兩個方向的要求。而在DDR2芯片提供一個ODT引腳來控制芯片內部終結電阻的開關狀態。寫操作時，DDR2作為接收端，ODT引腳為高電平打開芯片內部的終結電阻，讀操作時，DDR2作為發送端，ODT引腳為低電平關閉芯片內部的終結電阻。ODT允許配置的阻值包括關閉、75Ω、150Ω、50Ω四種模式。ODT功能只針對DQ\DM\DQS等信號，而地址和控制仍然需要外部端接電阻。LDO外圍電路布局要求是什么？荊州哪里的PCB設計銷售電話

不同存儲容量及不同數據寬度的器件有所不同。孝感什么是PCB設計

存儲模塊介紹：存儲器分類在我們的設計用到的存儲器有SRAM、DRAM、EEPROM、Flash等，其中DDR系列用的是多的，其DDR-DDR4的詳細參數如下：DDR采用TSSOP封裝技術，而DDR2和DDR3內存均采用FBGA封裝技術。TSSOP封裝的外形尺寸較大，呈長方形，其優點是成本低、工藝要求不高，缺點是傳導效果差，容易受干擾，散熱不理想，而FBGA內存顆粒精致小巧，體積大約只有DDR內存顆粒的三分之一，有效地縮短信號傳輸距離，在抗干擾、散熱等方面更有優勢，而DDR4采用3DS(3-DimensionalStack)三維堆疊技術來增大單顆芯片容量，封裝外形則與DDR2、DDR3差別不大。制造工藝不斷提高，從DDR到DDR2再到DDR3內存，其制造工藝都在不斷改善，更高工藝水平會使內存電氣性能更好，成本更低；DDR內存顆粒大范圍采用0.13微米制造工藝，而DDR2采用了0.09微米制造工藝，DDR3則采用了全新65nm制造工藝，而DDR4使用20nm以下的工藝來制造，從DDR～DDR4的具體參數如下表所示。孝感什么是PCB設計

武漢京曉科技有限公司是我國高端PCB設計與制造，高速PCB設計，企業級PCB定制專業化較早的有限責任公司（自然）之一，公司始建于2020-06-17，在全國各個地區建立了良好的商貿渠道和技術協作關系。公司主要提供武漢京曉科技有限公司成立于2020年06月17日，注冊地位于洪山區和平鄉徐東路7號湖北華天大酒店第7層1房26室，法定代表人為董彪。經營范圍包括雙面、多層印制線路板的設計；電子產品研發、設計、銷售及技術服務；電子商務平臺運營；教育咨詢（不含教育培訓）；貨物或技術進出口。（涉及許可經營項目，應取得相關部門許可后方可經營）等領域內的業務，產品滿意，服務可高，能夠滿足多方位人群或公司的需要。產品已銷往多個國家和地區，被國內外眾多企業和客戶所認可。