SDRAM模塊SDRAM介紹：SDRAM是SynchronousDynamicRandomAccessMemory（同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器）的簡稱，是使用很的一種存儲(chǔ)器，一般應(yīng)用在200MHz以下，常用在33MHz、90MHz、100MHz、125MHz、133MHz等。其中同步是指時(shí)鐘頻率與SDRAM控制器如CPU前端其時(shí)鐘頻率與CPU前端總線的系統(tǒng)時(shí)鐘頻率相同，并且內(nèi)部命令的發(fā)送和數(shù)據(jù)的傳輸都以它為準(zhǔn)；動(dòng)態(tài)是指存儲(chǔ)陣列需要不斷刷新來保證數(shù)據(jù)不丟失；隨機(jī)是指數(shù)據(jù)不是線性一次存儲(chǔ)，而是自由指定地址進(jìn)行數(shù)據(jù)的讀寫。為了配合SDRAM控制芯片的總線位寬，必須配合適當(dāng)數(shù)量的SDRAM芯片顆粒，如32位的CPU芯片，如果用位寬16bit的SDRAM芯片就需要2片，而位寬8bit的SDRAM芯片則就需要4片。是某廠家的SDRAM芯片封裝示意圖，圖中列出了16bit、8bit、4bit不同位寬的信號(hào)網(wǎng)絡(luò)管腳分配情況以及信號(hào)網(wǎng)絡(luò)說明。PCB設(shè)計(jì)布局以及整體思路。十堰設(shè)計(jì)PCB設(shè)計(jì)教程

關(guān)鍵信號(hào)布線（1）射頻信號(hào)：優(yōu)先在器件面走線并進(jìn)行包地、打孔處理，線寬8Mil以上且滿足阻抗要求，如下圖所示。不相關(guān)的線不允許穿射頻區(qū)域。SMA頭部分與其它部分做隔離單點(diǎn)接地。（2）中頻、低頻信號(hào)：優(yōu)先與器件走在同一面并進(jìn)行包地處理，線寬≥8Mil，如下圖所示。數(shù)字信號(hào)不要進(jìn)入中頻、低頻信號(hào)布線區(qū)域。（3）時(shí)鐘信號(hào)：時(shí)鐘走線長度＞500Mil時(shí)必須內(nèi)層布線，且距離板邊＞200Mil，時(shí)鐘頻率≥100M時(shí)在換層處增加回流地過孔。（4）高速信號(hào)：5G以上的高速串行信號(hào)需同時(shí)在過孔處增加回流地過孔。正規(guī)PCB設(shè)計(jì)怎么樣關(guān)鍵信號(hào)的布線應(yīng)該遵循哪些基本原則？

電源模塊擺放電源模塊要遠(yuǎn)離易受干擾的電路，如ADC、DAC、RF、時(shí)鐘等電路模塊，發(fā)熱量大的電源模塊，需要拉大與其它電路的距離，與其他模塊的器件保持3mm以上的距離。不同模塊的用法電源，靠近模塊擺放，負(fù)載為整板電源供電的模塊優(yōu)先擺放在總電源輸入端。其它器件擺放（1）JTAG接口及外部接口芯片靠近板邊擺放，便于插拔,客戶有指定位置除外。（2）驅(qū)動(dòng)電路靠近接口擺放。（3）測溫電路靠近發(fā)熱量大的電源模塊或功耗比較高的芯片擺放,擺放時(shí)確定正反面。（4）光耦、繼電器、隔離變壓器、共模電感等隔離器件的輸入輸出模塊分開擺放,隔離間距40Mil以上。（5）熱敏感元件（電解電容、晶振）遠(yuǎn)離大功率的功能模塊、散熱器，風(fēng)道末端，器件絲印邊沿距離＞400Mil。

疊層方案，疊層方案子流程：設(shè)計(jì)參數(shù)確認(rèn)→層疊評(píng)估→基本工藝、層疊和阻抗信息確認(rèn)。設(shè)計(jì)參數(shù)確認(rèn)（1）發(fā)《PCBLayout業(yè)務(wù)資料及要求》給客戶填寫。（2）確認(rèn)客戶填寫信息完整、正確。板厚與客戶要求一致,注意PCI或PCIE板厚1.6mm等特殊板卡板厚要求;板厚≤1.0mm時(shí)公差±0.1mm，板厚＞1.0mm是公差±10%。其他客戶要求無法滿足時(shí)，需和工藝、客戶及時(shí)溝通確認(rèn)，需滿足加工工藝要求。層疊評(píng)估疊層評(píng)估子流程：評(píng)估走線層數(shù)→評(píng)估平面層數(shù)→層疊評(píng)估。（1）評(píng)估走線層數(shù)：以設(shè)計(jì)文件中布線密集的區(qū)域?yàn)橹饕獏⒖?，評(píng)估走線層數(shù)，一般為BGA封裝的器件或者排數(shù)較多的接插件，以信號(hào)管腳為6排的1.0mm的BGA，放在top層，BGA內(nèi)兩孔間只能走一根信號(hào)線為例，少層數(shù)的評(píng)估可以參考以下幾點(diǎn)：及次信號(hào)需換層布線的過孔可以延伸至BGA外（一般在BGA本體外擴(kuò)5mm的禁布區(qū)范圍內(nèi)），此類過孔要擺成兩孔間穿兩根信號(hào)線的方式。次外層以內(nèi)的兩排可用一個(gè)內(nèi)層出線。再依次內(nèi)縮的第五，六排則需要兩個(gè)內(nèi)層出線。根據(jù)電源和地的分布情況，結(jié)合bottom層走線，多可以減少一個(gè)內(nèi)層。結(jié)合以上5點(diǎn)，少可用2個(gè)內(nèi)走線層完成出線。京曉科技帶您梳理PCB設(shè)計(jì)中的各功能要求。

DDR與SDRAM信號(hào)的不同之處，1、DDR的數(shù)據(jù)信號(hào)與地址\控制信號(hào)是參考不同的時(shí)鐘信號(hào)，數(shù)據(jù)信號(hào)參考DQS選通信號(hào)，地址\控制信號(hào)參考CK\CK#差分時(shí)鐘信號(hào)；而SDRAM信號(hào)的數(shù)據(jù)、地址、控制信號(hào)是參考同一個(gè)時(shí)鐘信號(hào)。2、數(shù)據(jù)信號(hào)參考的時(shí)鐘信號(hào)即DQS信號(hào)是上升沿和下降沿都有效，即DQS信號(hào)的上升沿和下降沿都可以觸發(fā)和鎖存數(shù)據(jù)，而SDRAM的時(shí)鐘信號(hào)只有在上升沿有效，相對(duì)而言DDR的數(shù)據(jù)速率翻倍。3、DDR的數(shù)據(jù)信號(hào)通常分成幾組，如每8位數(shù)據(jù)信號(hào)加一位選通信號(hào)DQS組成一組，同一組的數(shù)據(jù)信號(hào)參考相同組里的選通信號(hào)。4、為DDRSDRAM接口同步工作示意圖，數(shù)據(jù)信號(hào)與選通信號(hào)分成多組，同組內(nèi)的數(shù)據(jù)信號(hào)參考同組內(nèi)的選通信號(hào)；地址、控制信號(hào)參考CK\CK#差分時(shí)鐘信號(hào)。京曉科技給您分享屏蔽罩設(shè)計(jì)的具體實(shí)例。宜昌高速PCB設(shè)計(jì)規(guī)范

PCB設(shè)計(jì)的整體模塊布局。十堰設(shè)計(jì)PCB設(shè)計(jì)教程

射頻、中頻電路（3）射頻電路的PCBLAYOUT注意事項(xiàng)1、在同一個(gè)屏蔽腔體內(nèi)，布局時(shí)應(yīng)該按RF主信號(hào)流一字布局，由于空間限制，如果在同一個(gè)屏蔽腔內(nèi)，RF主信號(hào)的元器件不能采用一字布局時(shí)，可以采用L形布局，比較好不要用U字形布局，在使用U字形布局前，一定要對(duì)U形布局的輸出與輸入間的隔離度要做仔細(xì)分析，確保不會(huì)出問題。2、相同單元的布局要保證完全相同，例如TRX有多個(gè)接收通道和發(fā)射通道。3、布局時(shí)就要考慮RF主信號(hào)走向，和器件間的相互耦合作用。4、感性器件應(yīng)防止互感，與鄰近的電感垂直放置中的電感布局。5、把高功率RF放大器(HPA)和低噪音放大器(LNA)隔離開來，簡單地說，就是讓高功率RF發(fā)射電路遠(yuǎn)離低功率RF接收電路，或者讓它們交替工作，而不是同時(shí)工作，高功率電路有時(shí)還可包括RF緩沖器和壓控制振蕩器(VCO)。6、確保PCB板上高功率區(qū)至少有一整塊地，且沒有過孔，銅皮面積越大越好。7、RF輸出要遠(yuǎn)離RF輸入，或者采取屏蔽隔離措施，防止輸出信號(hào)串到輸入端。8、敏感的模擬信號(hào)應(yīng)該遠(yuǎn)離高速數(shù)字信號(hào)和RF信號(hào)。十堰設(shè)計(jì)PCB設(shè)計(jì)教程

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