PCBLAYOUT規范PCBLayout整個流程是：網表導入-結構繪制-設計規劃-布局-布線-絲印調整-Gerber輸出。1.1網表導入網表導入子流程如下：創建PCB文件→設置庫路徑→導入網表。創建PCB文件（1）建立一個全新PCBLayout文件，并對其命名。（2）命名方式：“項目名稱+日期+版本狀態”，名稱中字母全部大寫，以日期加上版本狀態為后綴，用以區分設計文件進度。舉例：ABC123_1031A1其中ABC123為項目名稱，1031為日期，A1為版本狀態，客戶有特殊指定要求的除外。（3）改版沿用上一版的PCB文件。設置庫路徑（1）將封裝庫文件放入LIB文件夾內或庫文件內，由客戶提供的封裝及經我司封裝組確認的封裝可直接加入LIB文件夾內或庫文件內，未經審核的封裝文件，不得放入LIB文件夾內或庫文件內。（2）對設計文件設置庫路徑，此路徑指向該項目文件夾下的LIB文件夾或庫文件，路徑指向必須之一，禁止設置多指向路徑。PCB設置中PCI-E板卡設計要求是什么？鄂州高速PCB設計走線

ADC和DAC是數字信號和模擬信號的接口，在通信領域，射頻信號轉換為中頻信號，中頻信號經過ADC轉換成數字信號，經過數字算法處理后，再送入DAC轉換成中頻，再進行了變頻為射頻信號發射出去。（1）ADC和DAC的PCBLAYOUT1、布局原則：優先兼顧ADC、DAC前端模擬電路，嚴格按照原理圖電路順序呈一字型對ADC、DAC前端模擬電路布局。2、ADC、DAC本身通道要分開，不同通道的ADC、DAC也要分開。3、ADC、DAC前端模擬電路放置在模擬區，ADC、DAC數字輸出電路放置在數字區，因此，ADC、DAC器件實際上跨區放置，一般在A/D之間將模擬地和數字地相連或加磁珠處理。4、如果有多路模擬輸入或者多路模擬輸出的情況，在每路之間也要做地分割處理，然后在芯片處做單點接地處理。5、開關電源、時鐘電路、大功率器件遠離ADC、DAC器件和信號。6、時鐘電路對稱放置在ADC、DAC器件中間。7、發送信號通常比接收信號強很多。因此，對發送電路和接收電路必須進行隔離處理，否則微弱的接收信號會被發送電路串過來的強信號所干擾，可通過地平面進行屏蔽隔離，對ADC、DAC器件增加屏蔽罩，或者使發送電路遠離接收電路，截斷之間的耦合途徑。孝感高速PCB設計價格大全疊層方案子流程以及規則設置。

DDR的PCB布局、布線要求4、對于DDR的地址及控制信號，如果掛兩片DDR顆粒時拓撲建議采用對稱的Y型結構，分支端靠近信號的接收端，串聯電阻靠近驅動端放置（5mm以內），并聯電阻靠近接收端放置（5mm以內），布局布線要保證所有地址、控制信號拓撲結構的一致性及長度上的匹配。地址、控制、時鐘線（遠端分支結構）的等長范圍為≤200Mil。5、對于地址、控制信號的參考差分時鐘信號CK\CK#的拓撲結構，布局時串聯電阻靠近驅動端放置，并聯電阻靠近接收端放置，布線時要考慮差分線對內的平行布線及等長(≤5Mil)要求。6、DDR的IO供電電源是2.5V，對于控制芯片及DDR芯片，為每個IO2.5V電源管腳配備退耦電容并靠近管腳放置，在允許的情況下多扇出幾個孔，同時芯片配備大的儲能大電容；對于1.25VVTT電源，該電源的質量要求非常高，不允許出現較大紋波，1.25V電源輸出要經過充分的濾波，整個1.25V的電源通道要保持低阻抗特性，每個上拉至VTT電源的端接電阻為其配備退耦電容。

工藝、層疊和阻抗信息確認（1）與客戶確認阻抗類型，常見阻抗類型如下：常規阻抗：單端50歐姆，差分100歐姆。特殊阻抗：射頻線單端50歐姆、75歐姆隔層參考，USB接口差分90歐姆，RS485串口差分120歐姆。（2）傳遞《PCBLayout業務資料及要求》中的工藝要求、層疊排布信息和阻抗要求至工藝工程師，由工藝工程師生成《PCB加工工藝要求說明書》，基于以下幾點進行說明：信號層夾在電源層和地層之間時,信號層靠近地層。差分間距≤2倍線寬。相鄰信號層間距拉大。阻抗線所在的層號。（3）檢查《PCB加工工藝要求說明書》信息是否有遺漏，錯誤，核對無誤后再與客戶進行確認。PCB設計布局以及整體思路。

關鍵信號布線（1）射頻信號：優先在器件面走線并進行包地、打孔處理，線寬8Mil以上且滿足阻抗要求，如下圖所示。不相關的線不允許穿射頻區域。SMA頭部分與其它部分做隔離單點接地。（2）中頻、低頻信號：優先與器件走在同一面并進行包地處理，線寬≥8Mil，如下圖所示。數字信號不要進入中頻、低頻信號布線區域。（3）時鐘信號：時鐘走線長度＞500Mil時必須內層布線，且距離板邊＞200Mil，時鐘頻率≥100M時在換層處增加回流地過孔。（4）高速信號：5G以上的高速串行信號需同時在過孔處增加回流地過孔。PCB設計中FPGA管腳的交換注意事項。荊州設計PCB設計布局

ADC和DAC前端電路布線規則。鄂州高速PCB設計走線

 DDR模塊，DDRSDRAM全稱為DoubleDataRateSDRAM，中文名為“雙倍數據率SDRAM”，是在SDRAM的基礎上改進而來，人們習慣稱為DDR，DDR本質上不需要提高時鐘頻率就能加倍提高SDRAM的數據傳輸速率，它允許在時鐘的上升沿和下降沿讀取數據，因而其速度是標準SDRAM的兩倍。（1）DDRSDRAM管腳功能說明：圖6-1-5-1為512MDDR（8M×16bit×4Bank）的66-pinTSOP封裝圖和各引腳及功能簡述1、CK/CK#是DDR的全局時鐘，DDR的所有命令信號，地址信號都是以CK/CK#為時序參考的。2、CKE為時鐘使能信號，與SDRAM不同的是，在進行讀寫操作時CKE要保持為高電平，當CKE由高電平變為低電平時，器件進入斷電模式（所有BANK都沒有時）或自刷新模式（部分BANK時），當CKE由低電平變為高電平時，器件從斷電模式或自刷新模式中退出。3、CS#為片選信號，低電平有效。當CS#為高時器件內部的命令解碼將不工作。同時，CS#也是命令信號的一部分。4、RAS#、CAS#、WE#分別為行選擇、列選擇、寫使能信號，低電平有效。這三個信號與CS#一起組成了DDR的命令信號。鄂州高速PCB設計走線

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