DDRII新增特性，ODT（ On Die Termination）,DDR匹配放在PCB電路板上，而DDRII則把匹配直接設計到DRAM芯片內部，用來改善信號品質，這使得DDRII的拓撲結構較DDR簡單，布局布線也相對較容易一些。說明：ODT（On-Die Termination）即芯片內部匹配終結，可以節省PCB面積，另一方面因為數據線的串聯電阻位置很難兼顧讀寫兩個方向的要求。而在DDR2芯片提供一個ODT引腳來控制芯片內部終結電阻的開關狀態。寫操作時，DDR2作為接收端，ODT引腳為高電平打開芯片內部的終結電阻，讀操作時，DDR2作為發送端，ODT引腳為低電平關閉芯片內部的終結電阻。ODT允許配置的阻值包括關閉、75Ω、150Ω、50Ω四種模式。ODT功能只針對DQ\DM\DQS等信號，而地址和控制仍然需要外部端接電阻。PCB典型的電路設計指導。湖北PCB設計廠家

 射頻、中頻電路（2）屏蔽腔的設計1、應把不同模塊的射頻單元用腔體隔離，特別是敏感電路和強烈輻射源之間，在大功率多級放大器中，也應保證級與級之間隔開。2、印刷電路板的腔體應做開窗處理、方便焊接屏蔽殼。3、在屏蔽腔體上設計兩排開窗過孔屏，過孔應相互錯開，同排過孔間距為150Mil。4、在腔體的拐角處應設計3mm的金屬化固定孔，保證其固定屏蔽殼。5、腔體的周邊為密封的，一般接口的線要引入腔體里采用帶狀線的結構；而腔體內部不同模塊之間可以采用微帶線的結構，這樣內部的屏蔽腔采用開槽處理，開槽的寬度一般為3mm、微帶線走在中間。6、屏蔽罩設計實例隨州正規PCB設計銷售PCB設計中如何評估平面層數？

整板扇出（1）對板上已處理的表層線和過孔按照規則進行相應的調整。（2）格點優先選用25Mil的，其次采用5Mil格點，過孔扇出在格點上，相同器件過孔走線采用復制方式，保證過孔上下左右對齊、常見分立器件的扇出形式（3）8MIL過孔中心間距35MIL以上，10MIL過孔中心間距40MIL以上，以免將平面層隔斷；差分過孔間距一般為30Mil（或過孔邊緣距為8Mil）。（4）芯片電源管腳先過電容再打過孔（5）所有電源/地管腳就近打孔，高速差分過孔附近30-50Mil內加回流地孔，模塊內通過表層線直連，無法連接的打過孔處理。（6）電源輸出過孔打在輸出濾波電容之后，電源輸入過孔扇出在輸入濾波電容之前，過孔數目滿足電源載流要求，過孔通流能力參照，地孔數不少于電源過孔數。

SDRAM各管腳功能說明：1、CLK是由系統時鐘驅動的，SDRAM所有的輸入信號都是在CLK的上升沿采樣，CLK還用于觸發內部計數器和輸出寄存器；2、CKE為時鐘使能信號，高電平時時鐘有效，低電平時時鐘無效，CKE為低電平時SDRAM處于預充電斷電模式和自刷新模式。此時包括CLK在內的所有輸入Buffer都被禁用，以降低功耗，CKE可以直接接高電平。3、CS#為片選信號，低電平有效，當CS#為高時器件內部所有的命令信號都被屏蔽，同時，CS#也是命令信號的一部分。4、RAS#、CAS#、WE#分別為行選擇、列選擇、寫使能信號，低電平有效，這三個信號與CS#一起組合定義輸入的命令。5、DQML，DQMU為數據掩碼信號。寫數據時，當DQM為高電平時對應的寫入數據無效，DQML與DQMU分別對應于數據信號的低8位與高8位。6、A<0..12>為地址總線信號，在讀寫命令時行列地址都由該總線輸入。7、BA0、BA1為BANK地址信號，用以確定當前的命令操作對哪一個BANK有效。8、DQ<0..15>為數據總線信號，讀寫操作時的數據信號通過該總線輸出或輸入。PCB設計布局以及整體思路。

ADC/DAC電路：（2）模擬地與數字地處理：大多數ADC、DAC往往依據數據手冊和提供的參考設計進行地分割處理，通常情況是將PCB地層分為模擬地AGND和數字地DGND，然后將二者單點連接，（3）模擬電源和數字電源當電源入口只有統一的數字地和數字電源時，在電源入口處通過將數字地加磁珠或電感，將數字地拆分成成模擬地；同樣在電源入口處將數字電源通過磁珠或電感拆分成模擬電源。負載端所有的數字電源都通過入口處數字電源生成、模擬電源都通過經過磁珠或電感隔離后的模擬電源生成。如果在電源入口處（外部提供的電源）既有模擬地又有數字地、既有模擬電源又有數字電源，板子上所有的數字電源都用入口處的數字電源生成、模擬電源都用入口處的模擬電源生成。ADC和DAC器件的模擬電源一般采用LDO進行供電，因為其電流小、紋波小，而DC/DC會引入較大開關電源噪聲，嚴重影響ADC/DAC器件性能，因此，模擬電路應該采用LDO進行供電。PCB設計的基礎流程是什么？湖北PCB設計廠家

PCB設計的整體模塊布局。湖北PCB設計廠家

存儲模塊介紹：存儲器分類在我們的設計用到的存儲器有SRAM、DRAM、EEPROM、Flash等，其中DDR系列用的是多的，其DDR-DDR4的詳細參數如下：DDR采用TSSOP封裝技術，而DDR2和DDR3內存均采用FBGA封裝技術。TSSOP封裝的外形尺寸較大，呈長方形，其優點是成本低、工藝要求不高，缺點是傳導效果差，容易受干擾，散熱不理想，而FBGA內存顆粒精致小巧，體積大約只有DDR內存顆粒的三分之一，有效地縮短信號傳輸距離，在抗干擾、散熱等方面更有優勢，而DDR4采用3DS(3-DimensionalStack)三維堆疊技術來增大單顆芯片容量，封裝外形則與DDR2、DDR3差別不大。制造工藝不斷提高，從DDR到DDR2再到DDR3內存，其制造工藝都在不斷改善，更高工藝水平會使內存電氣性能更好，成本更低；DDR內存顆粒大范圍采用0.13微米制造工藝，而DDR2采用了0.09微米制造工藝，DDR3則采用了全新65nm制造工藝，而DDR4使用20nm以下的工藝來制造，從DDR～DDR4的具體參數如下表所示。湖北PCB設計廠家

武漢京曉科技有限公司坐落在洪山區和平鄉徐東路7號湖北華天大酒店第7層1房26室，是一家專業的武漢京曉科技有限公司成立于2020年06月17日，注冊地位于洪山區和平鄉徐東路7號湖北華天大酒店第7層1房26室，法定代表人為董彪。經營范圍包括雙面、多層印制線路板的設計；電子產品研發、設計、銷售及技術服務；電子商務平臺運營；教育咨詢（不含教育培訓）；貨物或技術進出口。（涉及許可經營項目，應取得相關部門許可后方可經營）公司。公司目前擁有較多的高技術人才，以不斷增強企業重點競爭力，加快企業技術創新，實現穩健生產經營。誠實、守信是對企業的經營要求，也是我們做人的基本準則。公司致力于打造高品質的高端PCB設計與制造，高速PCB設計，企業級PCB定制。公司深耕高端PCB設計與制造，高速PCB設計，企業級PCB定制，正積蓄著更大的能量，向更廣闊的空間、更寬泛的領域拓展。