電磁兼容問題沒有照EMC（電磁兼容）規(guī)格設(shè)計(jì)的電子設(shè)備，很可能會(huì)散發(fā)出電磁能量，并且干擾附近的電器。EMC對(duì)電磁干擾（EMI），電磁場(chǎng)（EMF）和射頻干擾（RFI）等都規(guī)定了大的限制。這項(xiàng)規(guī)定可以確保該電器與附近其它電器的正常運(yùn)作。EMC對(duì)一項(xiàng)設(shè)備，散射或傳導(dǎo)到另一設(shè)備的能量有嚴(yán)格的限制，并且設(shè)計(jì)時(shí)要減少對(duì)外來EMF、EMI、RFI等的磁化率。換言之，這項(xiàng)規(guī)定的目的就是要防止電磁能量進(jìn)入或由裝置散發(fā)出。這其實(shí)是一項(xiàng)很難解決的問題，一般大多會(huì)使用電源和地線層，或是將PCB放進(jìn)金屬盒子當(dāng)中以解決這些問題。電源和地線層可以防止信號(hào)層受干擾，金屬盒的效用也差不多。對(duì)這些問題我們就不過于深入了。電路的速度得看如何照EMC規(guī)定做了。內(nèi)部的EMI，像是導(dǎo)體間的電流耗損，會(huì)隨著頻率上升而增強(qiáng)。如果兩者之間的的電流差距過大，那么一定要拉長(zhǎng)兩者間的距離。這也告訴我們?nèi)绾伪苊飧邏海约白岆娐返碾娏飨慕档?span style="color:#f00;">低。布線的延遲率也很重要，所以長(zhǎng)度自然越短越好。所以布線良好的小PCB，會(huì)比大PCB更適合在高速下運(yùn)作。·電位差較大的元器件要遠(yuǎn)離,防止意外放電。深圳高效PCB培訓(xùn)銷售電話

在現(xiàn)代科技發(fā)展快速的時(shí)代，電子產(chǎn)品已經(jīng)成為我們生活中不可或缺的一部分。其中，PCB（Printed Circuit Board印刷電路板）作為電子產(chǎn)品中重要的組成部分之一，起到了承載和連接電子元器件的重要作用。由于其廣泛應(yīng)用于電腦、手機(jī)、家電等眾多領(lǐng)域，對(duì)PCB的需求量也日益增長(zhǎng)。因此，掌握PCB設(shè)計(jì)和制造技術(shù)成為了現(xiàn)代人不可或缺的一項(xiàng)技能。為了滿足不同人群對(duì)PCB技術(shù)的需求，許多相關(guān)的培訓(xùn)機(jī)構(gòu)相繼涌現(xiàn)。這些培訓(xùn)機(jī)構(gòu)致力于向?qū)W員傳授PCB的相關(guān)知識(shí)和技能，幫助他們迅速掌握并應(yīng)用于實(shí)際項(xiàng)目中。哪里的PCB培訓(xùn)功能時(shí)鐘、總線、片選信號(hào)要遠(yuǎn)離I/O線和接插件。

(3)電源線、地線及印制導(dǎo)線在印制板上的排列要恰當(dāng)，盡量做到短而直，以減小信號(hào)線與回線之間所形成的環(huán)路面積。(4)時(shí)鐘發(fā)生器盡量*近到用該時(shí)鐘的器件。(5)石英晶體振蕩器外殼要接地。(6)用地線將時(shí)鐘區(qū)圈起來，時(shí)鐘線盡量短。(7)印制板盡量使用45°折線而不用90°折線布線以減小高頻信號(hào)對(duì)外的發(fā)射與耦合。(8)單面板和雙面板用單點(diǎn)接電源和單點(diǎn)接地；電源線、地線盡量粗。(9)I/O驅(qū)動(dòng)電路盡量*近印刷板邊的接插件，讓其盡快離開印刷板。

存儲(chǔ)模塊介紹：存儲(chǔ)器分類在我們的設(shè)計(jì)用到的存儲(chǔ)器有SRAM、DRAM、EEPROM、Flash等，其中DDR系列用的是多的，其DDR-DDR4的詳細(xì)參數(shù)如下：DDR采用TSSOP封裝技術(shù)，而DDR2和DDR3內(nèi)存均采用FBGA封裝技術(shù)。TSSOP封裝的外形尺寸較大，呈長(zhǎng)方形，其優(yōu)點(diǎn)是成本低、工藝要求不高，缺點(diǎn)是傳導(dǎo)效果差，容易受干擾，散熱不理想，而FBGA內(nèi)存顆粒精致小巧，體積大約只有DDR內(nèi)存顆粒的三分之一，有效地縮短信號(hào)傳輸距離，在抗干擾、散熱等方面更有優(yōu)勢(shì)，而DDR4采用3DS(3-DimensionalStack)三維堆疊技術(shù)來增大單顆芯片容量，封裝外形則與DDR2、DDR3差別不大。制造工藝不斷提高，從DDR到DDR2再到DDR3內(nèi)存，其制造工藝都在不斷改善，更高工藝水平會(huì)使內(nèi)存電氣性能更好，成本更低；DDR內(nèi)存顆粒大范圍采用0.13微米制造工藝，而DDR2采用了0.09微米制造工藝，DDR3則采用了全新65nm制造工藝，而DDR4使用20nm以下的工藝來制造，從DDR～DDR4的具體參數(shù)如下表所示。同類型插裝元器件在X或Y方向上應(yīng)朝一個(gè)方向放置。

關(guān)鍵信號(hào)布線（1）射頻信號(hào)：優(yōu)先在器件面走線并進(jìn)行包地、打孔處理，線寬8Mil以上且滿足阻抗要求，如下圖所示。不相關(guān)的線不允許穿射頻區(qū)域。SMA頭部分與其它部分做隔離單點(diǎn)接地。（2）中頻、低頻信號(hào)：優(yōu)先與器件走在同一面并進(jìn)行包地處理，線寬≥8Mil，如下圖所示。數(shù)字信號(hào)不要進(jìn)入中頻、低頻信號(hào)布線區(qū)域。（3）時(shí)鐘信號(hào)：時(shí)鐘走線長(zhǎng)度＞500Mil時(shí)必須內(nèi)層布線，且距離板邊＞200Mil，時(shí)鐘頻率≥100M時(shí)在換層處增加回流地過孔。（4）高速信號(hào)：5G以上的高速串行信號(hào)需同時(shí)在過孔處增加回流地過孔。除了理論知識(shí)和實(shí)踐技能的培養(yǎng)，綜合素質(zhì)的提升也是PCB培訓(xùn)的重要目標(biāo)之一。湖北PCB培訓(xùn)廠家

對(duì)PCB 上的大面積銅箔,為防變形可設(shè)計(jì)成網(wǎng)格形狀。深圳高效PCB培訓(xùn)銷售電話

DDR的PCB布局、布線要求4、對(duì)于DDR的地址及控制信號(hào)，如果掛兩片DDR顆粒時(shí)拓?fù)浣ㄗh采用對(duì)稱的Y型結(jié)構(gòu)，分支端靠近信號(hào)的接收端，串聯(lián)電阻靠近驅(qū)動(dòng)端放置（5mm以內(nèi)），并聯(lián)電阻靠近接收端放置（5mm以內(nèi)），布局布線要保證所有地址、控制信號(hào)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的一致性及長(zhǎng)度上的匹配。地址、控制、時(shí)鐘線（遠(yuǎn)端分支結(jié)構(gòu)）的等長(zhǎng)范圍為≤200Mil。5、對(duì)于地址、控制信號(hào)的參考差分時(shí)鐘信號(hào)CK\CK#的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，布局時(shí)串聯(lián)電阻靠近驅(qū)動(dòng)端放置，并聯(lián)電阻靠近接收端放置，布線時(shí)要考慮差分線對(duì)內(nèi)的平行布線及等長(zhǎng)(≤5Mil)要求。6、DDR的IO供電電源是2.5V，對(duì)于控制芯片及DDR芯片，為每個(gè)IO2.5V電源管腳配備退耦電容并靠近管腳放置，在允許的情況下多扇出幾個(gè)孔，同時(shí)芯片配備大的儲(chǔ)能大電容；對(duì)于1.25VVTT電源，該電源的質(zhì)量要求非常高，不允許出現(xiàn)較大紋波，1.25V電源輸出要經(jīng)過充分的濾波，整個(gè)1.25V的電源通道要保持低阻抗特性，每個(gè)上拉至VTT電源的端接電阻為其配備退耦電容。深圳高效PCB培訓(xùn)銷售電話