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MEMS微納米加工基本參數(shù)
  • 品牌
  • 勃望初芯半導(dǎo)體
  • 型號(hào)
  • MEMS微納米加工
MEMS微納米加工企業(yè)商機(jī)

MEMS傳感器的主要應(yīng)用領(lǐng)域有哪些?

運(yùn)動(dòng)追蹤在運(yùn)動(dòng)員的日常訓(xùn)練中,MEMS傳感器可以用來(lái)進(jìn)行3D人體運(yùn)動(dòng)測(cè)量,通過(guò)基于聲學(xué)TOF,或者基于光學(xué)的TOF技術(shù),對(duì)每一個(gè)動(dòng)作進(jìn)行記錄,教練們對(duì)結(jié)果分析,反復(fù)比較,以便提高運(yùn)動(dòng)員的成績(jī)。隨著MEMS技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展,MEMS傳感器的價(jià)格也會(huì)隨著降低,這在大眾健身房中也可以廣泛應(yīng)用。在滑雪方面,3D運(yùn)動(dòng)追蹤中的壓力傳感器、加速度傳感器、陀螺儀以及GPS可以讓使用者獲得極精確的觀察能力,除了可提供滑雪板的移動(dòng)數(shù)據(jù)外,還可以記錄使用者的位置和距離。在沖浪方面也是如此,安裝在沖浪板上的3D運(yùn)動(dòng)追蹤,可以記錄海浪高度、速度、沖浪時(shí)間、漿板距離、水溫以及消耗的熱量等信息。 太赫茲柔性電極以 PI 為基底構(gòu)建雙面結(jié)構(gòu),適用于非侵入式生物檢測(cè)與材料無(wú)損探測(cè)。天津MEMS微納米加工產(chǎn)品介紹

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三維微納結(jié)構(gòu)的跨尺度加工技術(shù):跨尺度加工技術(shù)實(shí)現(xiàn)了從納米級(jí)到毫米級(jí)結(jié)構(gòu)的一體化制造,滿足復(fù)雜微流控系統(tǒng)對(duì)多尺度功能單元的需求。公司結(jié)合電子束光刻(EBL,分辨率10nm)、紫外光刻(分辨率1μm)與機(jī)械加工(精度10μm),在單一基板上構(gòu)建跨3個(gè)數(shù)量級(jí)的微結(jié)構(gòu)。例如,在類***培養(yǎng)芯片中,納米級(jí)表面紋理(粗糙度Ra<50nm)促進(jìn)細(xì)胞黏附,微米級(jí)流道(寬度50μm)控制營(yíng)養(yǎng)物質(zhì)輸送,毫米級(jí)進(jìn)樣口(直徑1mm)兼容外部管路。加工過(guò)程中,通過(guò)工藝分層設(shè)計(jì),先進(jìn)行納米結(jié)構(gòu)制備(如EBL定義細(xì)胞外基質(zhì)蛋白圖案),再通過(guò)紫外光刻形成中層流道,***機(jī)械加工完成宏觀接口,各層結(jié)構(gòu)對(duì)準(zhǔn)誤差<±2μm。該技術(shù)突破了單一工藝的尺度限制,實(shí)現(xiàn)了功能的跨尺度集成,在芯片實(shí)驗(yàn)室(Lab-on-a-Chip)中具有重要應(yīng)用。公司已成功制備包含10nm電極間隙、1μm流道與1mm閥門的復(fù)合芯片,用于單分子電信號(hào)檢測(cè),信號(hào)分辨率提升至10fA,為納米生物技術(shù)與微流控工程的交叉融合提供了關(guān)鍵制造能力。多功能MEMS微納米加工的技術(shù)服務(wù)可降解聚合物加工工藝儲(chǔ)備,為體內(nèi)短期植入檢測(cè)芯片提供生物相容性材料解決方案。

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硅基金屬電極加工工藝與生物相容性優(yōu)化:在硅片、LN(鈮酸鋰)、LT(鉭酸鋰)、藍(lán)寶石、石英等基板上加工金屬電極,需兼顧電學(xué)性能與生物相容性。公司采用濺射沉積與剝離工藝,首先在基板表面沉積50-200nm的鈦/金種子層,增強(qiáng)金屬與基板的附著力;然后旋涂光刻膠并曝光顯影,形成電極圖案;再濺射1-5μm厚度的金/鉑金屬層,***通過(guò)**剝離得到完整電極結(jié)構(gòu)。電極線條寬度可控制在10-500μm,邊緣粗糙度<5μm,接觸電阻<1Ω?cm2。針對(duì)植入式醫(yī)療器件,表面采用聚乙二醇(PEG)涂層處理,通過(guò)硅烷偶聯(lián)劑共價(jià)鍵合,涂層厚度5-10nm,可將蛋白吸附量降低90%以上,炎癥反應(yīng)發(fā)生率下降60%。該技術(shù)應(yīng)用于神經(jīng)電極時(shí),16通道電極陣列的信號(hào)噪聲比>20dB,可穩(wěn)定記錄單個(gè)神經(jīng)元放電信號(hào)達(dá)3個(gè)月以上。在傳感器領(lǐng)域,硅基金電極對(duì)葡萄糖的檢測(cè)靈敏度達(dá)100μA?mM?1?cm?2,線性范圍0.01-10mM,適用于血糖監(jiān)測(cè)芯片。公司支持多種金屬材料(如鈦、鉑、銥)與基板的組合加工,滿足不同應(yīng)用場(chǎng)景對(duì)電極導(dǎo)電性、耐腐蝕性的需求。

MEMS制作工藝-太赫茲超導(dǎo)混頻陣列的MEMS體硅集成天線與封裝技術(shù):

太赫茲波是天文探測(cè)領(lǐng)域的重要波段,太赫茲波探測(cè)對(duì)提升人類認(rèn)知宇宙的能力有重要意義。太赫茲超導(dǎo)混頻接收機(jī)是具有代表性的高靈敏天文探測(cè)設(shè)備。天線及混頻芯片封裝是太赫茲接收前端系統(tǒng)的關(guān)鍵組件。當(dāng)前,太赫茲超導(dǎo)接收機(jī)多采用單獨(dú)的金屬喇叭天線和金屬封裝,很難進(jìn)行高集成度陣列擴(kuò)展。大規(guī)模太赫茲陣列接收機(jī)發(fā)展很大程度受到天線及芯片封裝技術(shù)的制約。課題擬研究基于MEMS體硅工藝技術(shù)的適合大規(guī)模太赫茲超導(dǎo)接收陣列應(yīng)用的0.4THz以上頻段高性能集成波紋喇叭天線,及該天線與超導(dǎo)混頻芯片一體化封裝。通過(guò)電磁場(chǎng)理論分析、電磁場(chǎng)數(shù)值建模與仿真、低溫超導(dǎo)實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證等手段, SU8 硅片 / 石英片微流控模具加工技術(shù),支持 6 英寸以下基板單套或套刻的高精度結(jié)構(gòu)復(fù)制。

天津MEMS微納米加工產(chǎn)品介紹,MEMS微納米加工

國(guó)內(nèi)政策大力推動(dòng)MEMS產(chǎn)業(yè)發(fā)展:國(guó)家政策大力支持傳感器發(fā)展,國(guó)內(nèi)MEMS企業(yè)擁有好的發(fā)展環(huán)境。我國(guó)高度重視MEMS和傳感器技術(shù)發(fā)展,在2017年工信部出臺(tái)的《智能傳感器產(chǎn)業(yè)三年行動(dòng)指南(2017-2019)》中,明確指出要著力突破硅基MEMS加工技術(shù)、MEMS與互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)集成、非硅模塊化集成等工藝技術(shù),推動(dòng)發(fā)展器件級(jí)、晶圓級(jí)MEMS封裝和系統(tǒng)級(jí)測(cè)試技術(shù)。國(guó)家政策高度支持MEMS制造企業(yè)研發(fā)創(chuàng)新,政策驅(qū)動(dòng)下,國(guó)內(nèi)MEMS制造企業(yè)獲得發(fā)展良機(jī)。MEMS微納米加工的未來(lái)發(fā)展是什么?四川MEMS微納米加工特征

隨著科技的不斷進(jìn)步,MEMS 微納米加工的精度正在持續(xù)提高,趨近于原子級(jí)別的操控。天津MEMS微納米加工產(chǎn)品介紹

智能手機(jī)迎5G換機(jī)潮,傳感器及RFMEMS用量逐年提升。一方面,5G加速滲透,拉動(dòng)智能手機(jī)市場(chǎng)恢復(fù)增長(zhǎng):今年10月份國(guó)內(nèi)5G手機(jī)出貨量占比已達(dá)64%;智能手機(jī)整體出貨量方面,在5G的帶動(dòng)下,根據(jù)IDC今年的預(yù)測(cè),2021年智能手機(jī)出貨量相比2020年將增長(zhǎng)11.6%,2020-2024年CAGR達(dá)5.2%。另一方面,單機(jī)傳感器和RFMEMS用量不斷提升,以iPhone為例,2007年的iPhone2G到2020年的iPhone12,手機(jī)智能化程度不斷升,功能不斷豐富,指紋識(shí)別、3Dtouch、ToF、麥克風(fēng)組合、深度感知(LiDAR)等功能的加入,使得傳感器數(shù)量(包含非MEMS傳感器)由當(dāng)初的5個(gè)增加為原來(lái)的4倍至20個(gè)以上;5G升級(jí)帶來(lái)的頻段增加也有望明顯提升單機(jī)RF MEMS價(jià)值量。天津MEMS微納米加工產(chǎn)品介紹

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