MEMS發展的目標在于，通過微型化、集成化來探索新原理、新功能的元件和系統，開辟一個新技術領域和產業。MEMS可以完成大尺寸機電系統所不能完成的任務，也可嵌入大尺寸系統中，把自動化、智能化和可靠性水平提高到一個新的水平。21世紀MEMS將逐步從實驗室走向實用化，對工農業、信息、環境、生物工程、醫療、空間技術和科學發展產生重大影響。MEMS(微機電系統)大量用于汽車安全氣囊，而后以MEMS傳感器的形式被大量應用在汽車的各個領域，隨著MEMS技術的進一步發展，以及應用終端“輕、薄、短、小”的特點，對小體積高性能的MEMS產品需求增勢迅猛，消費電子、醫療等領域也大量出現了MEMS產品的身影。金屬流道 PDMS 芯片與 PET 基板鍵合，實現柔性微流控芯片與剛性電路的高效集成。山東采用微納米加工的MEMS微納米加工
MEMS四種刻蝕工藝的不同需求：
絕緣層上的硅蝕刻即SOI器件刻蝕：先進的微機電組件包含精細的可移動性零組件，例如應用于加速計、陀螺儀、偏斜透鏡(tiltingmirrors).共振器(resonators)、閥門、泵、及渦輪葉片等組件的懸臂梁。這些許多的零組件，是以深硅蝕刻方法在晶圓的正面制造，接著藉由橫方向的等向性底部蝕刻的方法從基材脫離，此方法正是典型的表面細微加工技術。而此技術有一項特點是以掩埋的一層材料氧化硅作為針對非等向性蝕刻的蝕刻終止層，達成以等向性蝕刻實現組件與基材間脫離的結構(如懸臂梁)。由于二氧化硅在硅蝕刻工藝中，具有高蝕刻選擇比且在各種尺寸的絕緣層上硅晶材料可輕易生成的特性，通常被采用作為掩埋的蝕刻終止層材料。 遼寧MEMS微納米加工客服電話MEMS被認為是21世紀很有前途的技術之一。
微納結構的多圖拼接測量技術：針對大尺寸微納結構的完整表征，公司開發了多圖拼接測量技術，結合SEM與圖像算法實現亞微米級精度的全景成像。首先通過自動平移臺對樣品進行網格掃描，獲取多幅局部SEM圖像（分辨率5nm，視野范圍10-100μm）；然后利用特征點匹配算法（如SIFT/SURF）進行圖像配準，誤差＜±2nm/100μm；通過融合算法生成完整的拼接圖像，可覆蓋10mm×10mm區域。該技術應用于微流控芯片的流道檢測時，可快速識別全長10cm流道內的微小缺陷（如5μm以下的毛刺或堵塞），檢測效率較單圖測量提升10倍。在納米壓印模具檢測中，多圖拼接可精確分析100μm×100μm范圍內的結構一致性，特征尺寸偏差＜±1%。公司自主開發的拼接軟件支持實時預覽與缺陷標記，輸出包含尺寸標注、粗糙度分析的檢測報告，為微納加工的質量控制提供了高效工具，尤其適用于復雜三維結構與大面積陣列的計量需求。
PDMS金屬流道芯片的復合加工工藝：PDMS金屬流道芯片通過在柔性PDMS流道內集成金屬鍍層，實現流體控制與電信號檢測的一體化設計。加工流程包括：首先利用軟光刻技術在硅模上制備50-200μm寬度的流道結構，澆筑PDMS預聚體并固化成型；然后通過氧等離子體處理流道表面，使其親水化以促進金屬前驅體吸附；采用磁控濺射技術沉積50-200nm厚度的金/鉑金屬層，經化學鍍增厚至1-5μm，形成連續導電流道；***與PET基板通過等離子體鍵合密封，確保流體無泄漏。金屬流道的表面粗糙度＜50nm，電阻＜10Ω/cm，適用于電化學檢測、電滲泵驅動等場景。典型應用如微流控電化學傳感器，在10μL/min流速下，對葡萄糖的檢測靈敏度達50μA?mM?1?cm?2，線性范圍0.1-20mM，檢測下限＜50μM。公司開發的自動化生產線可實現流道尺寸的精細控制（誤差＜±2%），并支持金屬層圖案化設計，如叉指電極、螺旋流道等，滿足不同傳感器的定制需求，為生物檢測與環境監測領域提供了柔性化、集成化的解決方案。臺階儀與 SEM 測量技術確保微納結構尺寸精度，支撐深硅刻蝕、薄膜沉積等工藝質量管控。
微流控芯片的自動化檢測與統計分析：公司建立了基于機器視覺的微流控芯片自動化檢測系統，實現尺寸測量、缺陷識別與性能統計的全流程智能化。檢測設備配備6MPUSB3.0攝像頭與遠心光學鏡頭，配合步進電機平移臺（精度±1μm），可對芯片流道、微孔、電極等結構進行掃描。通過自研算法自動識別特征區域，測量參數包括高度（分辨率0.1μm）、周長、面積、寬度、半徑等，數據重復性誤差＜±0.5%。缺陷檢測模塊采用深度學習模型，可識別＜5μm的毛刺、缺口、氣泡等缺陷，準確率＞99%。檢測系統實時生成統計報告，包含CPK、均值、標準差等質量參數，支持SPC過程控制。在PDMS芯片檢測中，單芯片檢測時間＜2分鐘，效率較人工檢測提升20倍，良品率統計精度達0.1%。該系統已集成至量產產線，實現從原材料入庫到成品出廠的全鏈路質量追溯，為微流控芯片的標準化生產提供了可靠保障，尤其適用于高精度醫療檢測芯片與工業控制芯片的質量管控。弧形柱子點陣加工技術通過激光直寫與刻蝕實現仿生結構，優化細胞黏附與流體動力學特性。MEMSMEMS微納米加工之超透鏡定制
MEMS常見的產品-壓力傳感器。山東采用微納米加工的MEMS微納米加工
MEA柔性電極的MEMS制造工藝：公司開發的腦機接口用MEA（微電極陣列）柔性電極，采用聚酰亞胺或PDMS作為柔性基底，通過光刻、金屬蒸鍍與電化學沉積工藝，構建高密度“觸凸”式電極陣列。電極點直徑可縮至20微米，間距50微米，表面修飾PEDOT:PSS導電聚合物，電荷注入容量（CIC）達2mC/cm2，信噪比（SNR）提升至25dB以上。制造過程中，通過激光切割與等離子體鍵合技術，實現電極與柔性電路的可靠封裝。該工藝支持定制化設計，例如針對癲癇監測的16通道電極，植入后機械應力降低70%，使用壽命延長至3年。此外，電極陣列可集成于類***培養芯片，實時監測神經元放電頻率與網絡同步性，為神經退行性疾病研究提供動態數據支持。山東采用微納米加工的MEMS微納米加工
