高壓SOI工藝在MEMS芯片中的應用創新：高壓SOI（絕緣體上硅）工藝是制備高耐壓、低功耗MEMS芯片的**技術，公司在0.18μm節點實現了發射與開關電路的集成創新。通過SOI襯底的埋氧層（厚度1μm）隔離高壓器件與低壓控制電路，耐壓能力達200V以上，漏電流＜1nA，適用于神經電刺激、超聲驅動等高壓場景。在神經電子芯片中，高壓SOI工藝實現了128通道**驅動，每通道輸出脈沖寬度1-1000μs可調，幅度0-100V可控，脈沖邊沿抖動＜5ns，確保精細的神經信號調制。與傳統體硅工藝相比，SOI芯片的寄生電容降低40%，功耗節省30%，芯片面積縮小50%。公司優化了SOI晶圓的鍵合與減薄工藝，將襯底厚度控制在100μm以下，支持芯片的柔性化封裝。該技術突破了高壓器件與低壓電路的集成瓶頸，推動MEMS芯片向高集成度、高可靠性方向發展，在植入式醫療設備、工業控制傳感器等領域具有廣闊應用前景。自研超聲收發芯片輸出電壓達 ±100V、電流 1A，部分性能指標超越國際品牌 TI。現代化MEMS微納米加工廠家

在MEMS微納加工領域，公司通過“材料創新+工藝突破”雙輪驅動，為醫療健康、生物傳感等場景提供高精度、定制化的微納器件解決方案。公司依托逾700平米的6英寸MEMS產線，可加工玻璃、硅片、PDMS、硬質塑料等多種基材的微納結構，覆蓋從納米級（0.5-5μm）到百微米級（10-100μm）的尺度需求。其**技術包括深硅刻蝕、親疏水改性、多重轉印工藝等，能夠實現復雜三維微流道、高深寬比微孔陣列及柔性電極的精密成型，滿足腦機接口、類***電生理研究、微針給藥等前沿醫療應用的嚴苛要求。中國臺灣MEMS微納米加工規格PDMS 金屬流道加工技術可在柔性流道內沉積金屬鍍層，實現電化學檢測與流體控制一體化。

MEMS制作工藝-微流控芯片：

微流控芯片技術(Microfluidics)是把生物、化學、醫學分析過程的樣品制備、反應、分離、檢測等基本操作單元集成到一塊微米尺度的芯片上，自動完成分析全過程。微流控芯片（microfluidicchip）是當前微全分析系統（MiniaturizedTotalAnalysisSystems）發展的熱點領域。

微流控芯片分析以芯片為操作平臺,同時以分析化學為基礎,以微機電加工技術為依托,以微管道網絡為結構特征,以生命科學為目前主要應用對象，是當前微全分析系統領域發展的重點。它的目標是把整個化驗室的功能,包括采樣、稀釋、加試劑、反應、分離、檢測等集成在微芯片上,且可以多次使用。

MEMS具有以下幾個基本特點，微型化、智能化、多功能、高集成度和適于大批量生產。MEMS技術的目標是通過系統的微型化、集成化來探索具有新原理、新功能的元件和系統。 MEMS技術是一種典型的多學科交叉的前沿性研究領域，幾乎涉及到自然及工程科學的所有領域，如電子技術、機械技術、物理學、化學、生物醫學、材料科學、能源科學等。MEMS是一個單獨的智能系統，可大批量生產，其系統尺寸在幾毫米乃至更小，其內部結構一般在微米甚至納米量級。例如，常見的MEMS產品尺寸一般都在3mm×3mm×1.5mm，甚至更小。微機電系統在國民經濟和更高級別的系統方面將有著廣泛的應用前景。主要民用領域是電子、醫學、工業、汽車和航空航天系統。自動化檢測系統基于機器視覺，實現微流控芯片尺寸測量、缺陷識別與統計分析一體化。

通過MEMS技術制作的生物傳感器，圍繞細胞分選檢測、生物分子檢測、人工聽覺微系統等方向，突破了高通量細胞圖形化、片上細胞聚焦分選、耳蝸內聲電混合刺激、高時空分辨率相位差分檢測等一批具有自主知識產權的關鍵技術，取得了一批原創性成果，研制了具有世界很高水平的高通量原位細胞多模式檢測系統、流式細胞儀、系列流式細胞檢測芯片等檢測儀器，打破了相關領域國際廠商的技術封鎖和壟斷。總之，面向醫療健康領域的重大需求，經過多年持續的努力，我們取得一系列具有國際先進水平的科研成果，部分技術處于國際前列地位，其中多項技術尚屬國際開創。MEMS傳感器的主要應用領域有哪些？國產MEMS微納米加工圖片

跨尺度加工技術結合 EBL 與紫外光刻，在單一基板構建納米至毫米級復合微納結構。現代化MEMS微納米加工廠家

MEMS制作工藝-太赫茲超材料器件應用前景：

在通信系統、雷達屏蔽、空間勘測等領域都有著重要的應用前景，近年來受到學術界的關注。基于微米納米技術設計的周期微納超材料能夠在太赫茲波段表現出優異的敏感特性，特別是可與石墨烯二維材料集成設計，獲得更優的頻譜調制特性。因此、將太赫茲超材料和石墨烯二維材料集成，通過理論研究、軟件仿真、流片測試實現了石墨烯太赫茲調制器的制備。能夠在低頻帶濾波和高頻帶超寬帶濾波的太赫茲濾波器，通過測試驗證了理論和仿真的正確性，將超材料與石墨烯集成制備的太赫茲調制器可對太赫茲波進行調制。 現代化MEMS微納米加工廠家