主要由傳感器、作動器（執行器）和微能源三大部分組成，但現在其主要都是傳感器比較多。
特點：1.和半導體電路相同，使用刻蝕，光刻等微納米MEMS制造工藝，不需要組裝，調整；2.進一步的將機械可動部，電子線路，傳感器等集成到一片硅板上；3.它很少占用地方，可以在一般的機器人到不了的狹窄場所或條件惡劣的地方使用4.由于工作部件的質量小，高速動作可能；5.由于它的尺寸很小，熱膨脹等的影響小；6.它產生的力和積蓄的能量很小，本質上比較安全。 深反應離子刻蝕是 MEMS 微納米加工中常用的刻蝕工藝，可用于制造高深寬比的微結構。黑龍江MEMS微納米加工一體化
MEMS制作工藝-太赫茲超導混頻陣列的MEMS體硅集成天線與封裝技術：
太赫茲波是天文探測領域的重要波段，太赫茲波探測對提升人類認知宇宙的能力有重要意義。太赫茲超導混頻接收機是具有代表性的高靈敏天文探測設備。天線及混頻芯片封裝是太赫茲接收前端系統的關鍵組件。當前，太赫茲超導接收機多采用單獨的金屬喇叭天線和金屬封裝，很難進行高集成度陣列擴展。大規模太赫茲陣列接收機發展很大程度受到天線及芯片封裝技術的制約。課題擬研究基于MEMS體硅工藝技術的適合大規模太赫茲超導接收陣列應用的0.4THz以上頻段高性能集成波紋喇叭天線，及該天線與超導混頻芯片一體化封裝。通過電磁場理論分析、電磁場數值建模與仿真、低溫超導實驗驗證等手段， 代理MEMS微納米加工之聲表面波器件定制柔性電極表面改性技術通過 PEG 復合涂層，降低蛋白吸附 90% 并提升體內植入生物相容性。
微機電系統是指集微型傳感器、執行器以及信號處理和控制電路、接口電路、通信和電源于一體的微型機電系統，是一個智能系統。主要由傳感器、作動器和微能源三大部分組成。微機電系統具有以下幾個基本特點，微型化、智能化、多功能、高集成度。微機電系統。它是通過系統的微型化、集成化來探索具有新原理、新功能的元件和系統微機電系統。微機電系統涉及航空航天、信息通信、生物化學、醫療、自動控制、消費電子以及兵器等應用領域。微機電系統的制造工藝主要有集成電路工藝、微米/納米制造工藝、小機械工藝和其他特種加工工種。微機電系統技術基礎主要包括設計與仿真技術、材料與加工技術、封裝與裝配技術、測量與測試技術、集成與系統技術等。
超薄PDMS與光學玻璃的鍵合工藝優化：超薄PDMS（100μm以上）與光學玻璃的鍵合技術實現了柔性微流控芯片與高透光基板的集成，適用于熒光顯微成像、單細胞觀測等場景。鍵合前，PDMS基板經氧等離子體處理（功率50W，時間20秒）實現表面羥基化，光學玻璃通過UV-Ozone清洗去除有機物污染；然后在潔凈環境下對準貼合，施加0.2MPa壓力并室溫固化2小時，形成不可逆共價鍵，透光率＞95%@400-800nm，鍵合界面缺陷率＜1%。超薄PDMS的柔韌性（彈性模量1-3MPa）可減少玻璃基板的應力集中，耐彎曲半徑＞10mm，適用于動態培養環境下的細胞觀測。在單分子檢測芯片中，鍵合后的玻璃表面可直接進行熒光標記物修飾，背景噪聲較傳統塑料基板降低60%，檢測靈敏度提升至單分子級別。公司開發的自動對準系統，定位精度±2μm，支持4英寸晶圓級批量鍵合，產能達500片/小時，良率＞98%。該工藝解決了軟質材料與硬質光學元件的集成難題，為高精度生物檢測與醫學影像芯片提供了理想的封裝方案。MEMS的深硅刻蝕是什么？
MEMS特點：
1.微型化：MEMS器件體積小、重量輕、耗能低、慣性小、諧振頻率高、響應時間短。
2.以硅為主要材料，機械電器性能優良：硅的強度、硬度和楊氏模量與鐵相當，密度類似鋁，熱傳導率接近鉬和鎢。
3.批量生產：用硅微加工工藝在一片硅片上可同時制造成百上千個微型機電裝置或完整的MEMS。批量生產可降低生產成本。
4.集成化：可以把不同功能、不同敏感方向或致動方向的多個傳感器或執行器集成于一體，或形成微傳感器陣列、微執行器陣列，甚至把多種功能的器件集成在一起，形成復雜的微系統。微傳感器、微執行器和微電子器件的集成可制造出可靠性、穩定性很高的MEMS。
5.多學科交叉：MEMS涉及電子、機械、材料、制造、信息與自動控制、物理、化學和生物等多種學科，并集約了當今科學技術發展的許多成果。 MEMS制作工藝中，以PI為特色的柔性電子出現填補了不少空白。浙江哪些是MEMS微納米加工
基于 0.35/0.18μm 高壓工藝的神經電刺激 SoC 芯片，實現多通道控制與生物相容性優化。黑龍江MEMS微納米加工一體化
微納結構的臺階儀與SEM測量技術：臺階儀與掃描電子顯微鏡（SEM）是微納加工中關鍵的計量手段，確保結構尺寸與表面形貌符合設計要求。臺階儀采用觸針式或光學式測量，可精確獲取0.1nm-500μm高度范圍內的輪廓信息，分辨率達0.1nm，適用于薄膜厚度、刻蝕深度、臺階高度的測量。例如，在深硅刻蝕工藝中，通過臺階儀監測刻蝕深度（精度±1%），確保流道深度均勻性＜2%。SEM則用于納米級結構觀測，配備二次電子探測器，可實現5nm分辨率的表面形貌成像，用于微流道側壁粗糙度（Ra＜50nm）、微孔孔徑（誤差＜±5nm）的檢測。在PDMS模具復制過程中，SEM檢測模具結構的完整性，避免因缺陷導致的芯片流道堵塞。公司建立了標準化測量流程，針對不同材料與結構選擇合適的測量方法，如柔性PDMS芯片采用光學臺階儀非接觸測量，硬質芯片結合SEM與臺階儀進行三維尺寸分析。通過大數據統計過程控制（SPC），將關鍵尺寸的CPK值提升至1.67以上，確保加工精度滿足需求，為客戶提供可追溯的質量保障。黑龍江MEMS微納米加工一體化
