基于MEMS技術的SAW器件的工作模式和原理：

聲表面波器件一般使用壓電晶體(例如石英晶體等)作為媒介，然后通過外加一正電壓產(chǎn)生聲波，并通過襯底進行傳播，然后轉(zhuǎn)換成電信號輸出。聲表面波傳感器中起主導作用的主要是壓電效應，其設計時需要考慮多種因素:如相對尺寸、敏感性、效率等。一般地，無線無源聲表面波傳感器的信號頻率范圍從40MHz到幾個GHz。圖2所示為聲表面波傳感器常見的結構，主要部分包括壓電襯底天線、敏感薄膜、IDT等。傳感器的敏感層通過改變聲表面波的速度來實現(xiàn)頻率的變化。

無線無源聲表面波系統(tǒng)包:發(fā)射器、接收器、聲表面波器件、通信頻道。發(fā)射器和接收器組合成收發(fā)器或者解讀器的單一模塊。圖3為聲表面波系統(tǒng)及其相互關聯(lián)的基礎部件。解讀器將功率傳送給聲表面波器件，該功率可以是收發(fā)器輸入的連續(xù)波，脈沖或者喝啾。一般地，聲表面波器件獲得的功率大小具有一定限制，以降低發(fā)射功率，從而得到相同平均功率的喝啾。根據(jù)各向同性的輻射體，接收的信號一般能通過高效的輻射功率天線發(fā)射。 MEMS的深硅刻蝕是什么？四川有什么MEMS微納米加工

微針器件的干濕法刻蝕與集成傳感：基于MEMS干濕法混合刻蝕工藝，公司開發(fā)出多尺度微針器件。通過光刻膠模板與各向異性刻蝕，制備前列曲率半徑<100nm、高度500微米的中空微針陣列，可無創(chuàng)穿透表皮提取組織間液。結合微注塑工藝，在微針內(nèi)部集成直徑10微米的流體通道，實現(xiàn)5分鐘內(nèi)采集3μL樣本，用于連續(xù)血糖監(jiān)測（誤差±0.2mmol/L）。在透皮給藥領域，載藥微針采用可降解PLGA涂層，載藥率超90%，釋放動力學可控至24小時線性釋放。同時，微針表面通過濺射工藝沉積金納米層，集成阻抗傳感模塊，可實時檢測炎癥因子（如CRP），檢測限低至0.1pg/mL。此類器件與微流控芯片聯(lián)用，可在15分鐘內(nèi)完成“采樣-分析-反饋”閉環(huán)，為慢性病管理提供便攜式解決方案。天津MEMS微納米加工設計PVD磁控濺射、PECVD氣相沉積、IBE刻蝕、ICP-RIE深刻蝕是構成MEMS技術的必備工藝。

MEMS四種刻蝕工藝的不同需求：

絕緣層上的硅蝕刻即SOI器件刻蝕：先進的微機電組件包含精細的可移動性零組件，例如應用于加速計、陀螺儀、偏斜透鏡(tiltingmirrors).共振器(resonators)、閥門、泵、及渦輪葉片等組件的懸臂梁。這些許多的零組件，是以深硅蝕刻方法在晶圓的正面制造，接著藉由橫方向的等向性底部蝕刻的方法從基材脫離，此方法正是典型的表面細微加工技術。而此技術有一項特點是以掩埋的一層材料氧化硅作為針對非等向性蝕刻的蝕刻終止層，達成以等向性蝕刻實現(xiàn)組件與基材間脫離的結構(如懸臂梁)。由于二氧化硅在硅蝕刻工藝中，具有高蝕刻選擇比且在各種尺寸的絕緣層上硅晶材料可輕易生成的特性，通常被采用作為掩埋的蝕刻終止層材料。

神經(jīng)電子芯片的MEMS微納加工技術與臨床應用：神經(jīng)電子芯片作為植入式醫(yī)療設備的**組件，對微型化、生物相容性及功能集成度提出了極高要求。公司依托0.35/0.18μm高壓工藝，成功開發(fā)多通道神經(jīng)電刺激SoC芯片，可實現(xiàn)無線充電與通訊功能，將控制信號轉(zhuǎn)化為精細電刺激脈沖，用于神經(jīng)感知、調(diào)控及阻斷。以128像素視網(wǎng)膜假體芯片為例，通過MEMS薄膜沉積技術在硅基基板上制備高密度電極陣列，單個電極尺寸*50μm×50μm，間距100μm，確保對視網(wǎng)膜神經(jīng)細胞的靶向刺激。芯片表面采用聚酰亞胺（PI）與氮化硅復合涂層，經(jīng)120℃高溫固化處理后，涂層厚度控制在5-8μm，有效抑制蛋白吸附與炎癥反應，植入體壽命可達5年以上。目前該芯片已批量交付，由母公司中科先見推進至臨床前動物實驗階段，針對視網(wǎng)膜退行***變患者，可重建0.1-0.3的視力，為盲人復明提供了突破性解決方案。該技術突破了傳統(tǒng)植入設備的體積限制，芯片整體厚度＜200μm，兼容微創(chuàng)植入手術，推動神經(jīng)調(diào)控技術向精細化、長期化發(fā)展。MEMS的繼電器與開關是什么？

MEMS制作工藝柔性電子出現(xiàn)的意義：

柔性電子技術有可能帶來一場電子技術進步，引起全世界的很多的關注并得到了迅速發(fā)展。美國《科學》雜志將有機電子技術進展列為2000年世界幾大科技成果之一，與人類基因組草圖、生物克隆技術等重大發(fā)現(xiàn)并列。美國科學家艾倫黑格、艾倫·馬克迪爾米德和日本科學家白川英樹由于他們在導電聚合物領域的開創(chuàng)性工作獲得2000年諾貝爾化學獎。

柔性電子技術是行業(yè)新興領域，它的出現(xiàn)不但整合電子電路、電子組件、材料、平面顯示、納米技術等領域技術外，同時橫跨半導體、封測、材料、化工、印刷電路板、顯示面板等產(chǎn)業(yè)，可協(xié)助傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)，如塑料、印刷、化工、金屬材料等產(chǎn)業(yè)的轉(zhuǎn)型。其在信息、能源、醫(yī)療、制造等各個領域的應用重要性日益凸顯，已成為世界多國和跨國企業(yè)競相發(fā)展的前沿技術。美國、歐盟、英國、日本等相繼制定了柔性電子發(fā)展戰(zhàn)略并投入大量科研經(jīng)費，旨在未來的柔性電子研究和產(chǎn)業(yè)發(fā)展中搶占先機。 金屬流道 PDMS 芯片與 PET 基板鍵合，實現(xiàn)柔性微流控芯片與剛性電路的高效集成。新型MEMS微納米加工按需定制

微納加工產(chǎn)業(yè)化能力覆蓋設計、工藝、量產(chǎn)全鏈條，月產(chǎn)能達 50,000 片并持續(xù)技術創(chuàng)新。四川有什么MEMS微納米加工

MEMS制作工藝ICP深硅刻蝕：

在半導體制程中，單晶硅與多晶硅的刻蝕通常包括濕法刻蝕和干法刻蝕兩種方法各有優(yōu)劣，各有特點。濕法刻蝕即利用特定的溶液與薄膜間所進行的化學反應來去除薄膜未被光刻膠掩膜覆蓋的部分，而達到刻蝕的目的。因為濕法刻蝕是利用化學反應來進行薄膜的去除，而化學反應本身不具方向性，因此濕法刻蝕過程為等向性。

濕法刻蝕過程可分為三個步驟:

1)化學刻蝕液擴散至待刻蝕材料之表面;

2)刻蝕液與待刻蝕材料發(fā)生化學反應;

3)反應后之產(chǎn)物從刻蝕材料之表面擴散至溶液中，并隨溶液排出。濕法刻蝕之所以在微電子制作過程中被采用乃由于其具有低成本、高可靠性、高產(chǎn)能及優(yōu)越的刻蝕選擇比等優(yōu)點。

但相對于干法刻蝕，除了無法定義較細的線寬外，濕法刻蝕仍有以下的缺點:1)需花費較高成本的反應溶液及去離子水:2)化學藥品處理時人員所遭遇的安全問題:3)光刻膠掩膜附著性問題;4)氣泡形成及化學腐蝕液無法完全與晶片表面接觸所造成的不完全及不均勻的刻蝕 四川有什么MEMS微納米加工