MEMS制作工藝柔性電子：

柔性電子（Flexible Electronics）是一種技術(shù)的通稱(chēng)，是將有機(jī)/無(wú)機(jī)材料電子器件制作在柔性/可延性基板上的新興電子技術(shù)。相對(duì)于傳統(tǒng)電子，柔性電子具有更大的靈活性，能夠在一定程度上適應(yīng)不同的工作環(huán)境，滿(mǎn)足設(shè)備的形變要求。但是相應(yīng)的技術(shù)要求同樣制約了柔性電子的發(fā)展。首先，柔性電子在不損壞本身電子性能的基礎(chǔ)上的伸展性和彎曲性，對(duì)電路的制作材料提出了新的挑戰(zhàn)和要求；其次，柔性電子的制備條件以及組成電路的各種電子器件的性能相對(duì)于傳統(tǒng)的電子器件來(lái)說(shuō)仍然不足，也是其發(fā)展的一大難題。 全球及中國(guó)mems芯片市場(chǎng)有哪些？特殊MEMS微納米加工之超表面制作

高精度姿態(tài)/軌道測(cè)量新方法并研制了MEMS磁敏感器、MIMU慣性微系統(tǒng)、MEMS太陽(yáng)敏感器、納\皮型星敏感器等空間微系統(tǒng)，相關(guān)成果填補(bǔ)了多項(xiàng)國(guó)內(nèi)空白，已在探月工程、高分專(zhuān)項(xiàng)等國(guó)家重大工程以及國(guó)內(nèi)外百余顆型號(hào)衛(wèi)星中得到應(yīng)用推廣，并實(shí)現(xiàn)了出口歐、美、日等國(guó)。在我國(guó)率先開(kāi)展了微納航天器的技術(shù)創(chuàng)新與工程實(shí)踐，將三軸穩(wěn)定方式用于25kg以下的微小衛(wèi)星，成功研制并運(yùn)行了國(guó)內(nèi)納型衛(wèi)星NS-1衛(wèi)星，也是當(dāng)時(shí)世界上在軌飛行的“輪控三軸穩(wěn)定衛(wèi)星”（2004年）。2015年研制并發(fā)射了NS-2（10公斤量級(jí)）MEMS技術(shù)試驗(yàn)衛(wèi)星，成功開(kāi)展了基于MEMS的空間微型化器組件試驗(yàn)研究。NS-2衛(wèi)星的有效載荷包括納型星敏感器、低功耗MEMS太陽(yáng)敏感器、硅基MEMS陀螺、MEMS石英音叉陀螺、MEMS磁強(qiáng)計(jì)、北斗-II/GPS接收機(jī)等自主研發(fā)的MEMS器件及微系統(tǒng)。同時(shí)還成功研制并發(fā)射皮型ZJ-1（100克量級(jí)）MEMS技術(shù)試驗(yàn)衛(wèi)星，采用單板集成的綜合電子系統(tǒng)，搭載試驗(yàn)商用微型CMOS相機(jī)，MEMS磁強(qiáng)計(jì)、新型商用電子元器件。新疆本地MEMS微納米加工超透鏡的電子束直寫(xiě)和刻蝕工藝其實(shí)并不復(fù)雜。

MEMS制作工藝-聲表面波器件的原理：

  聲表面波器件是在壓電基片上制作兩個(gè)聲一電換能器一叉指換能器。所謂叉指換能器就是在壓電基片表面上形成形狀像兩只手的手指交叉狀的金屬圖案，它的作用是實(shí)現(xiàn)聲一電換能。聲表面波SAW器件的工作原理是，基片左端的換能器(輸入換能器)通過(guò)逆壓電效應(yīng)將愉入的電信號(hào)轉(zhuǎn)變成聲信號(hào)，此聲信號(hào)沿基片表面?zhèn)鞑ィ?span>然后由基片右邊的換能器(輸出換能器)將聲信號(hào)轉(zhuǎn)變成電信號(hào)輸出。整個(gè)聲表面波器件的功能是通過(guò)對(duì)在壓電基片上傳播的聲信號(hào)進(jìn)行各種處理，并利用聲一電換能器的特性來(lái)完成的。

智能手機(jī)迎5G換機(jī)潮，傳感器及RFMEMS用量逐年提升。一方面，5G加速滲透，拉動(dòng)智能手機(jī)市場(chǎng)恢復(fù)增長(zhǎng)：今年10月份國(guó)內(nèi)5G手機(jī)出貨量占比已達(dá)64%；智能手機(jī)整體出貨量方面，在5G的帶動(dòng)下，根據(jù)IDC今年的預(yù)測(cè)，2021年智能手機(jī)出貨量相比2020年將增長(zhǎng)11.6%，2020-2024年CAGR達(dá)5.2%。另一方面，單機(jī)傳感器和RFMEMS用量不斷提升，以iPhone為例，2007年的iPhone2G到2020年的iPhone12，手機(jī)智能化程度不斷升，功能不斷豐富，指紋識(shí)別、3Dtouch、ToF、麥克風(fēng)組合、深度感知（LiDAR）等功能的加入，使得傳感器數(shù)量（包含非MEMS傳感器）由當(dāng)初的5個(gè)增加為原來(lái)的4倍至20個(gè)以上；5G升級(jí)帶來(lái)的頻段增加也有望明顯提升單機(jī)RF MEMS價(jià)值量。有哪些較為前沿的MEMS傳感器的供應(yīng)廠家？

MEMS四種刻蝕工藝的不同需求：

高深寬比：硅蝕刻工藝通常需要處理高深寬比的問(wèn)題，如應(yīng)用在回轉(zhuǎn)儀(gyroscopes)及硬盤(pán)機(jī)的讀取頭等微機(jī)電組件即為此例。另外，此高深寬比的特性也是發(fā)展下一代晶圓級(jí)的高密度構(gòu)造連接上的解決方案。考慮到有關(guān)高深寬比的主要問(wèn)題，是等離子進(jìn)出蝕刻反應(yīng)區(qū)的狀況：包括蝕刻劑進(jìn)入蝕刻接口的困難程度(可借助離子擊穿高分子蔽覆層實(shí)現(xiàn))，以及反應(yīng)副產(chǎn)品受制于孔洞中無(wú)法脫離。在一般的等離子壓力條件下，離子的準(zhǔn)直性(loncollimation)運(yùn)動(dòng)本身就會(huì)將高深寬比限制在約50:1。另外，隨著具線寬深度特征離子的大量轉(zhuǎn)移，這些細(xì)微變化可能會(huì)改變蝕刻過(guò)程中的輪廓。一般說(shuō)來(lái)，隨著蝕刻深度加深，蝕刻劑成分會(huì)減少。導(dǎo)致過(guò)多的高分子聚合反應(yīng)，和蝕刻出漸窄的線寬。針對(duì)上述問(wèn)題，設(shè)備制造商已發(fā)展出隨著蝕刻深度加深，在工藝條件下逐漸加強(qiáng)的硬件及工藝，這樣即可補(bǔ)償蝕刻劑在大量離子遷徙的變化所造成的影響。 MEMS技術(shù)常用工藝技術(shù)組合有：紫外光刻、電子束光刻EBL、PVD磁控濺射、IBE刻蝕、ICP-RIE深刻蝕。甘肅MEMS微納米加工發(fā)展趨勢(shì)

基于MEMS技術(shù)的RF射頻器件是什么？特殊MEMS微納米加工之超表面制作

MEMS制作工藝柔性電子的常用材料：

碳納米管（CNT）由于其高的本征載流子遷移率，導(dǎo)電性和機(jī)械靈活性而成為用于柔性電子學(xué)的有前途的材料，既作為場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）中的溝道材料又作為透明電極。管狀碳基納米結(jié)構(gòu)可以被設(shè)想成石墨烯卷成一個(gè)無(wú)縫的圓柱體，它們獨(dú)特的性質(zhì)使其成為理想的候選材料。因?yàn)樗鼈兙哂懈叩墓逃休d流子遷移率和電導(dǎo)率，機(jī)械靈活性以及低成本生產(chǎn)的潛力。另一方面，薄膜基碳納米管設(shè)備為實(shí)現(xiàn)商業(yè)化提供了一條實(shí)用途徑。 特殊MEMS微納米加工之超表面制作