MEMS制作工藝柔性電子的常用材料：

碳納米管（CNT）由于其高的本征載流子遷移率，導電性和機械靈活性而成為用于柔性電子學的有前途的材料，既作為場效應晶體管（FET）中的溝道材料又作為透明電極。管狀碳基納米結構可以被設想成石墨烯卷成一個無縫的圓柱體，它們獨特的性質使其成為理想的候選材料。因為它們具有高的固有載流子遷移率和電導率，機械靈活性以及低成本生產的潛力。另一方面，薄膜基碳納米管設備為實現商業化提供了一條實用途徑。 磁傳感器和MEMS磁傳感器有什么區別？陜西MEMS微納米加工之超透鏡定制

MEMS制作工藝-微流控芯片：

1.微流控芯片是微流控技術實現的主要平臺。其裝置特征主要是其容納流體的有效結構（通道、反應室和其它某些功能部件）至少在一個緯度上為微米級尺度。由于微米級的結構，流體在其中顯示和產生了與宏觀尺度不同的特殊性能。因此發展出獨特的分析產生的性能。

2.微流控芯片的特點及發展優勢：微流控芯片具有液體流動可控、消耗試樣和試劑極少、分析速度成十倍上百倍地提高等特點,它可以在幾分鐘甚至更短的時間內進行上百個樣品的同時分析,并且可以在線實現樣品的預處理及分析全過程。

3.其產生的應用目的是實現微全分析系統的目標－芯片實驗室

4.目前工作發展的重點應用領域是生命科學領域

5.當前（2006）國際研究現狀：創新多集中于分離、檢測體系方面；對芯片上如何引入實際樣品分析的諸多問題，如樣品引入、換樣、前處理等有關研究還十分薄弱。它的發展依賴于多學科交叉的發展。 青海MEMS微納米加工技術指導MEMS的深硅刻蝕是什么？

光學領域上面較成功的應用科學研究主要集中在兩個方面:一是基于MOEMS的新型顯示、投影設備，主要研究如何通過反射面的物理運動來進行光的空間調制，典型標識為數字微鏡陣列芯片和光柵光閥。

二是通信系統，主要研究通過微鏡的物理運動來控制光路發生預期的改變，較成功的有光開關調制器、光濾波器及復用器等光通信器件。MOEMS是綜合性和學科交叉性很強的高新技術，開展這個領域的科學技術研究，可以帶動大量的新概念的功能器件開發。

MEMS四種刻蝕工藝的不同需求：

1.體硅刻蝕：一些塊體蝕刻些微機電組件制造過程中需要蝕刻挖除較大量的Si基材，如壓力傳感器即為一例，即通過蝕刻硅襯底背面形成深的孔洞，但未蝕穿正面，在正面形成一層薄膜。還有其他組件需蝕穿晶圓，不是完全蝕透晶背而是直到停在晶背的鍍層上。基于Bosch工藝的一項特點，當要維持一個近乎于垂直且平滑的側壁輪廓時，是很難獲得高蝕刻率的。因此通常為達到很高的蝕刻率，一般避免不了伴隨產生具有輕微傾斜角度的側壁輪廓。不過當采用這類塊體蝕刻時，工藝中很少需要垂直的側壁。

2.準確刻蝕：精確蝕刻精確蝕刻工藝是專門為體積較小、垂直度和側壁輪廓平滑性上升為關鍵因素的組件而設計的。就微機電組件而言，需要該方法的組件包括微光機電系統及浮雕印模等。一般說來，此類特性要求，蝕刻率的均勻度控制是遠比蝕刻率重要得多。由于蝕刻劑在蝕刻反應區附近消耗率高，引發蝕刻劑密度相對降低，而在晶圓邊緣蝕刻率會相應地增加，整片晶圓上的均勻度問題應運而生。上述問題可憑借對等離子或離子轟擊的分布圖予以校正，從而達到均鐘刻的目的。 MEMS后發追趕，國產替代空間廣闊。

MEMS制作工藝ICP深硅刻蝕：在半導體制程中，單晶硅與多晶硅的刻蝕通常包括濕法刻蝕和干法刻蝕兩種方法各有優劣，各有特點。濕法刻蝕即利用特定的溶液與薄膜間所進行的化學反應來去除薄膜未被光刻膠掩膜覆蓋的部分，而達到刻蝕的目的。因為濕法刻蝕是利用化學反應來進行薄膜的去除，而化學反應本身不具方向性，因此濕法刻蝕過程為等向性。濕法刻蝕過程可分為三個步驟:1)化學刻蝕液擴散至待刻蝕材料之表面;2)刻蝕液與待刻蝕材料發生化學反應;3)反應后之產物從刻蝕材料之表面擴散至溶液中，并隨溶液排出。

濕法刻蝕之所以在微電子制作過程中被采用乃由于其具有低成本、高可靠性、高產能及優越的刻蝕選擇比等優點。但相對于干法刻蝕，除了無法定義較細的線寬外，濕法刻蝕仍有以下的缺點:1) 需花費較高成本的反應溶液及去離子水:2) 化學藥品處理時人員所遭遇的安全問題:3) 光刻膠掩膜附著性問題;4) 氣泡形成及化學腐蝕液無法完全與晶片表面接觸所造成的不完全及不均勻的刻蝕 基于MEMS技術的RF射頻器件是什么？山西MEMS微納米加工之柔性電極定制

MEMS的主要材料是什么？陜西MEMS微納米加工之超透鏡定制

MEMS制作工藝-太赫茲脈沖輻射探測：

光電導取樣光電導取樣是基于光導天線(photoconductiveantenna,PCA)發射機理的逆過程發展起來的一種探測THz脈沖信號的探測技術。如要對THz脈沖信號進行探測，首先，需將一個未加偏置電壓的PCA放置于太赫茲光路之中，以便于一個光學門控脈沖(探測脈沖)對其門控。其中，這個探測脈沖和泵浦脈沖有可調節的時間延遲關系，而這個關系可利用一個延遲線來加以實現，爾后，用一束探測脈沖打到光電導介質上，這時在介質中能夠產生出電子-空穴對(自由載流子)，而此時同步到達的太赫茲脈沖則作為加在PCA上的偏置電場，以此來驅動那些載流子運動，從而在PCA中形成光電流。用一個與PCA相連的電流表來探測這個電流即可， 陜西MEMS微納米加工之超透鏡定制