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二極管基本參數
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二極管企業商機

極管是用半導體材料(硅、硒、鍺等)制成的一種電子器件 [1]。二極管有兩個電極,正極,又叫陽極;負極,又叫陰極,給二極管兩極間加上正向電壓時,二極管導通, 加上反向電壓時,二極管截止。 二極管的導通和截止,則相當于開關的接通與斷開 [2]。二極管具有單向導電性能,導通時電流方向是由陽極通過管子流向陰極。二極管是**早誕生的半導體器件之一,其應用非常***。特別是在各種電子電路中,利用二極管和電阻、電容、電感等元器件進行合理的連接,構成不同功能的電路,可以實現對交流電整流、對調制信號檢波、限幅和鉗位以及對電源電壓的穩壓等多種功能 [3]。P型半導體是在本征半導體(一種完全純凈的、結構完整的半導體晶體)摻入少量三價元素雜質,如硼等。嘉定區挑選二極管專賣店

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PN結形成原理P型和N型半導體P型半導體是在本征半導體(一種完全純凈的、結構完整的半導體晶體)摻入少量三價元素雜質,如硼等。因硼原子只有三個價電子,它與周圍的硅原子形成共價鍵,因缺少一個電子,在晶體中便產生一個空位,當相鄰共價鍵上的電子獲得能量時就有可能填補這個空位,使硼原子成了不能移動的負離子,而原來的硅原子的共價鍵則因缺少一個電子,形成了空穴,但整個半導體仍呈中性。這種P型半導體中以空穴導電為主,空穴為多數載流子,自由電子為少數載流子。虹口區優勢二極管現價N型半導體形成的原理和P型原理相似。在本征半導體中摻入五價原子,如磷等。

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一般硅管的反向電流比鍺管小得多,小功率硅管的反向飽和電流在nA數量級,小功率鍺管在μA數量級。溫度升高時,半導體受熱激發,少數載流子數目增加,反向飽和電流也隨之增加。 [4]擊穿特性外加反向電壓超過某一數值時,反向電流會突然增大,這種現象稱為電擊穿。引起電擊穿的臨界電壓稱為二極管反向擊穿電壓。電擊穿時二極管失去單向導電性。如果二極管沒有因電擊穿而引起過熱,則單向導電性不一定會被長久破壞,在撤除外加電壓后,其性能仍可恢復,否則二極管就損壞了。因而使用時應避免二極管外加的反向電壓過高。

紅外發光二極管1. 判別紅外發光二極管的正、負電極。紅外發光二極管有兩個引腳,通常長引腳為正極,短引腳為負極。因紅外發光二極管呈透明狀,所以管殼內的電極清晰可見,內部電極較寬較大的一個為負極,而較窄且小的一個為正極。 [8]2. 先測量紅個發光二極管的正、反向電阻,通常正向電阻應在30k左右,反向電阻要在500k以上,這樣的管子才可正常使用。 [8]紅外接收二極管1. 識別管腳極性(1)從外觀上識別。常見的紅外接收二極管外觀顏色呈黑色。識別引腳時,面對受光窗口,從左至右,分別為正極和負極。另外在紅外接收二極管的管體頂端有一個小斜切平面,通常帶有此斜切平面一端的引腳為負極,另一端為正極。外加反向電壓不超過一定范圍時,通過二極管的電流是少數載流子漂移運動所形成反向電流。

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反向擊穿按機理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況。在高摻雜濃度的情況下,因勢壘區寬度很小,反向電壓較大時,破壞了勢壘區內共價鍵結構,使價電子脫離共價鍵束縛,產生電子-空穴對,致使電流急劇增大,這種擊穿稱為齊納擊穿。如果摻雜濃度較低,勢壘區寬度較寬,不容易產生齊納擊穿。 [5]另一種擊穿為雪崩擊穿。當反向電壓增加到較大數值時,外加電場使電子漂移速度加快,從而與共價鍵中的價電子相碰撞,把價電子撞出共價鍵,產生新的電子-空穴對。新產生的電子-空穴被電場加速后又撞出其它價電子,載流子雪崩式地增加,致使電流急劇增加,這種擊穿稱為雪崩擊穿。無論哪種擊穿,若對其電流不加限制,都可能造成PN結長久性損壞。 [5]在正常使用的電流范圍內,導通時二極管的端電壓幾乎維持不變,這個電壓稱為二極管的正向電壓。虹口區優勢二極管現價

PN結的反向擊穿有齊納擊穿和雪崩擊穿之分。嘉定區挑選二極管專賣店

穩壓管與一般二極管不一樣,它的反向擊穿是可逆的,只要不超過穩壓管電流的允許值,PN結就不會過熱損壞,當外加反向電壓去除后,穩壓管恢復原性能,所以穩壓管具有良好的重復擊穿特性。 [4]光電二極管光電二極管光電二極管又稱光敏二極管。它的管殼上備有一個玻璃窗口,以便于接受光照。其特點是,當光線照射于它的PN結時,可以成對地產生自由電子和空穴,使半導體中少數載流子的濃度提高,在一定的反向偏置電壓作用下,使反向電流增加。因此它的反向電流隨光照強度的增加而線性增加。 [4]嘉定區挑選二極管專賣店

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