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可控硅基本參數
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可控硅企業商機

四象限/非絕緣/雙向可控硅:BTB06-600C、BTB12-600B、BTB16-600B、BTB41-600B等等;ST公司所有產品型號的后綴字母(型號***一個字母)帶“W”的,均為“三象限雙向可控硅”。如“BW”、“CW”、“SW”、“TW”;**型號如:BTB12-600BW、BTA26-700CW、BTA08-600SW等。至于型號后綴字母的觸發電流,各個廠家的**含義如下:PHILIPS公司:D=5mA,E=10mA,C=15mA,F=25mA,G=50mA,R=200uA或5mA,型號沒有后綴字母之觸發電流,通常為25-35mA;PHILIPS公司的觸發電流**字母沒有統一的定義,以產品的封裝不同而不同??煽毓璧膬烖c很多,例如:以小功率控制大功率,功率放大倍數高達幾十萬倍;靜安區挑選可控硅哪家好

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雙向可控硅固定到散熱器的主要方法有三種,夾子壓接、螺栓固定和鉚接。前二種方法的安裝工具很容易取得。 很多場合下,鉚接不是一種推薦的方法。 [1]夾子壓接:是推薦的方法,熱阻**小。夾子對器件的塑封施加壓力。這同樣適用于非絕緣封裝(sot82 和sot78 ) 和絕緣封裝( sot186 f-pack 和更新的sot186a x-pack)。注意,sot78 就是to220ab。螺栓固定:sot78 組件帶有m3 成套安裝零件,包括矩形墊圈,墊圈放在螺栓頭和接頭片之間。應該不對器件的塑料體施加任何力量。靜安區挑選可控硅哪家好過零觸發-一般是調功,即當正弦交流電交流電電壓相位過零點觸發,必須是過零點才觸發,導通可控硅。

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在應用可控硅時,只要在控制極加上很小的電流或電壓,就能控制很大的陽極電流或電壓。電流容量達幾百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅,50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。電壓測方法可控硅為什么其有“以小控大”的可控性呢?下面我們用圖表-27來簡單分析可控硅的工作原理。首先,可以把從陰極向上數的***、二、三層看面是一只NPN型號晶體管,而二、三四層組成另一只PNP型晶體管。其中第二、第三層為兩管交迭共用。

安裝過程中,螺絲刀決不能對器件塑料體施加任何力量;和接頭片接觸的散熱器表面應處理,保證平坦,10mm上允許偏差0.02mm;安裝力矩(帶墊圈)應在0.55nm 和0.8nm 之間;應避免使用自攻絲螺釘,因為擠壓可能導致安裝孔周圍的隆起,影響器件和散熱器之間的熱接觸。安裝力矩無法控制,也是這種安裝方法的缺點;器件應首先機械固定,然后焊接引線。這可減少引線的不適當應力。IT(AV)--通態平均電流VRRM--反向反復峰值電壓IDRM--斷態重復峰值電流ITSM--通態一個周波不反復浪涌電流VTM--通態峰值電壓額定通態電流(IT)即大穩定工作電流,俗稱電流。常用可控硅的IT一般為一安到幾十安。

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通態(峰值)電壓 VT M 的選擇: 它是可控硅通以規定倍數額定電流時的瞬態峰值壓降。為減少可控硅的熱損耗,應盡可能選擇VT M 小的可控硅。 [1]·維持電流: IH 是維持可控硅保持通態所必需的**小主電流,它與結溫有關,結溫越高, 則 IH 越小。 [1]·電壓上升率的**: dv/dt指的是在關斷狀態下電壓的上升斜率,這是防止誤觸發的一個關鍵參數。此值超限將可能導致可控硅出現誤導通的現象。由于可控硅的制造工藝決定了 A2 與 G 之間會存在寄生電容。 對負載小,或電流持續時間短(小于1 秒鐘)的雙向可控硅, 可在自由空間工作。 但大部分情況下,需要安裝在散熱器或散熱的支架上,為了減小熱阻,可控硅與散熱器間要涂上導熱硅脂。維持電流IH 在規定溫度下,控制極斷路,維持可控硅導通所必需的小陽極正向電流。奉賢區國產可控硅哪家好

可控硅從外形上分類主要有:螺栓形、平板形和平底形。靜安區挑選可控硅哪家好

常用的有阻容移相橋觸發電路、單結晶體管觸發電路、晶體三極管觸發電路、利用小晶閘管觸發大晶閘管的觸發電路,等等??煽毓璧闹饕獏涤校?、 額定通態平均電流IT 在一定條件下,陽極---陰極間可以連續通過的50赫茲正弦半波電流的平均值。2、 正向阻斷峰值電壓VPF 在控制極開路未加觸發信號,陽極正向電壓還未超過導能電壓時,可以重復加在可控硅兩端的正向峰值電壓。可控硅承受的正向電壓峰值,不能超過手冊給出的這個參數值。3、 反向阻斷峰值電壓VPR 當可控硅加反向電壓,處于反向關斷狀態時,可以重復加在可控硅兩端的反向峰值電壓。使用時,不能超過手冊給出的這個參數值。靜安區挑選可控硅哪家好

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