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企業商機
驅動電路基本參數
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另外在IGBT驅動器選擇中還應該注意的參數包括絕緣電壓Visol IO 和dv/dt 能力。Rlimit =10~100Ω,C=10~470μF,Creset=10nF.一、柵極電阻Rg的作用1、消除柵極振蕩絕緣柵器件(IGBT、MOSFET)的柵射(或柵源)極之間是容性結構,柵極回路的寄生電感又是不可避免的,如果沒有柵極電阻,那柵極回路在驅動器驅動脈沖的激勵下要產生很強的振蕩,因此必須串聯一個電阻加以迅速衰減。2、轉移驅動器的功率損耗電容電感都是無功元件,如果沒有柵極電阻,驅動功率就將絕大部分消耗在驅動器內部的輸出管上,使其溫度上升很多。優良的驅動電路能夠減少器件的開關損耗,提高能量轉換效率,并降低電磁干擾(EMI/EMC)。浦東新區質量驅動電路量大從優

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IGBT柵極驅動功率 P=FUQ,其中:F 為工作頻率;U 為驅動輸出電壓的峰峰值;Q 為柵極電荷,可參考IGBT模塊參數手冊。例如,常見IGBT驅動器(如TX-KA101)輸出正電壓15V,負電壓-9V,則U=24V,假設 F=10KHz,Q=2.8uC可計算出 P=0.67w ,柵極電阻應選取2W電阻,或2個1W電阻并聯。三、設置柵極電阻的其他注意事項1、盡量減小柵極回路的電感阻抗,具體的措施有:IGBT柵極驅動功率 P=FUQ,其中:F 為工作頻率;U 為驅動輸出電壓的峰峰值;Q 為柵極電荷,可參考IGBT模塊參數手冊。例如,常見IGBT驅動器(如TX-KA101)輸出正電壓15V,負電壓-9V,則U=24V,假設 F=10KHz,Q=2.8uC可計算出 P=0.67w ,柵極電阻應選取2W電阻,或2個1W電阻并聯。三、設置柵極電阻的其他注意事項1、盡量減小柵極回路的電感阻抗,具體的措施有:靜安區質量驅動電路圖片保護措施:設計過流、過壓、過熱等保護電路,以確保系統的安全性和可靠性。

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Windows 9x專門提供有“添加新硬件向導”(以下簡稱硬件向導)來幫助使用者安裝硬件驅動程序,使用者的工作就是在必要時告訴硬件向導在哪兒可以找到與硬件型號相匹配的.inf文件,剩下的絕大部分安裝工作都將由硬件安裝向導自己完成。給硬件設備安裝驅動程序對Windows 9x用戶來說并不是一件陌生事,在安裝或重裝Windows時需要安裝驅動程序,在購買了某些新硬件之后也需要安裝驅動程序。如果驅動程序安裝不對,系統中某些硬件就有一定可能無法正常使用。雖然Windows 9x支持即插即用,能夠為用戶減少不少工作,但由于PC機的設備有非常多的品牌和型號,加上各種新產品不斷問世,Windows不可能自動識別出所有設備,因此在安裝很多設備時都需要人工干預。

?IGBT驅動電路是一種復合全控型電壓驅動式功率的半導體器件IGBT驅動電路是驅動IGBT模塊以能讓其正常工作,并同時對其進行保護的電路。IGBT綜合了以上兩種器件的優點,驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。圖1圖1所示為一個N 溝道增強型絕緣柵雙極晶體管結構, N+ 區稱為源區,附于其上的電極稱為源極。N+ 區稱為漏區。器件的控制區為柵區,附于其上的電極稱為柵極。溝道在緊靠柵區邊界形成。顯示控制:驅動電路可以將數字信號轉換為模擬信號,以控制液晶顯示屏、LED顯示屏等顯示設備;

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3、調節功率開關器件的通斷速度柵極電阻小,開關器件通斷快,開關損耗小;反之則慢,同時開關損耗大。但驅動速度過快將使開關器件的電壓和電流變化率**提高,從而產生較大的干擾,嚴重的將使整個裝置無法工作,因此必須統籌兼顧。二、柵極電阻的選取1、柵極電阻阻值的確定各種不同的考慮下,柵極電阻的選取會有很大的差異。初試可如下選取:不同品牌的IGBT模塊可能有各自的特定要求,可在其參數手冊的推薦值附近調試。2、柵極電阻功率的確定柵極電阻的功率由IGBT柵極驅動的功率決定,一般來說柵極電阻的總功率應至少是柵極驅動功率的2倍。集成驅動芯片:一些集成電路(IC)可以簡化驅動電路的設計,例如用于電機驅動的H橋驅動IC。靜安區質量驅動電路圖片

驅動電路的設計通常需要考慮負載的電流、電壓要求,以及控制信號的特性。浦東新區質量驅動電路量大從優

實驗及結果根據以上分析,本文設計一臺基于反激變換器的可控硅調光LED驅動器,控制芯片為NCP1607;輸入交流電壓220V,最大輸出功率為25W,比較大輸出電流為0.7A;以3串(每串10只0.8W的LED燈)相并聯作為負載;RC時間系數選擇0.5,增益為0.2。電路的實驗波形和工作特性曲線如圖4所示。圖4a)、b)、c)為可控硅導通角為115°時阻抗匹配開關驅動電壓VZ、輸入電流Iin、輸入電壓Vin的波形,電路的輸出電流為470mA,功率因數為0.78。從圖中可看出,當可控硅導通瞬間,由于驅動器輸入端有差模濾波電容導致輸入電流有沖擊電流尖峰,而當輸入電流小于一定值時,阻抗匹配開關開通以保證流過可控硅的電流大于其維持電流。浦東新區質量驅動電路量大從優

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