深圳市阿賽姆電子有限公司2025-02-19

當(dāng)漏極 - 源極之間的電壓過(guò)高時(shí)，會(huì)超出MOS管正常工作的范圍，從而導(dǎo)致?lián)舸┈F(xiàn)象。對(duì)于N溝道MOSFET，在強(qiáng)電場(chǎng)作用下，電子可能會(huì)獲得足夠的能量發(fā)生雪崩效應(yīng)或者齊納擊穿。雪崩擊穿是由于電子與晶格原子碰撞產(chǎn)生更多電子 - 空穴對(duì)，形成雪崩式的導(dǎo)電過(guò)程；齊納擊穿則是由于半導(dǎo)體內(nèi)部強(qiáng)電場(chǎng)下能帶彎曲導(dǎo)致的。一旦發(fā)生擊穿，漏極電流會(huì)急劇增大，可能會(huì)損壞MOS管。

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