深圳市芯技科技有限公司2025-06-29
低壓高效:5V輸出時η比肖特基高7%(RDS(on)=5mΩ vs VF=0.4V),芯技方案RDS(on)<1mΩ
溫度特性:125℃時RDS(on)增30%(硅基)但比VF溫漂影響小,芯技SiC溫漂為0.5%/℃
集成簡化:芯技智能MOSFET內置驅動邏輯,省去外置控制器
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