閾值電壓和溫度也是影響 MOS 管開關(guān)速度的重要因素。閾值電壓越高，柵極電壓需要上升到更高的值才能使 MOS 管導(dǎo)通，導(dǎo)通時(shí)間相應(yīng)變長(zhǎng)；在關(guān)斷時(shí)，柵極電壓需要下降到低于閾值電壓更多才能完全關(guān)斷，關(guān)斷時(shí)間也會(huì)增加。溫度對(duì)開關(guān)速度也有一定影響，溫度升高會(huì)使 MOS 管內(nèi)部的載流子遷移率發(fā)生變化，導(dǎo)致開關(guān)速度略有改變。一般來說，溫度升高會(huì)使載流子遷移率下降，從而使開關(guān)速度變慢。此外，在實(shí)際應(yīng)用中，電路中的布線和布局也會(huì)對(duì)開關(guān)速度產(chǎn)生影響。不合理的布線會(huì)增加線路電感和電容，影響信號(hào)傳輸速度，進(jìn)而影響 MOS 管的開關(guān)速度。

從應(yīng)用電路的角度看，負(fù)載特性也會(huì)影響 MOS 管的開關(guān)速度。當(dāng)負(fù)載為感性負(fù)載時(shí)， 如電機(jī)、變壓器等，在 MOS 管開關(guān)過程中，感性負(fù)載會(huì)產(chǎn)生反電動(dòng)勢(shì)，阻礙電流的變化， 導(dǎo)致開關(guān)速度變慢。為了減小這種影響，通常需要在感性負(fù)載兩端并聯(lián)二極管，為反電動(dòng)勢(shì) 提供釋放通路，加快電流的變化速度，從而提高 MOS 管的開關(guān)速度。另外，驅(qū)動(dòng)信號(hào)的質(zhì)量 也不容忽視。驅(qū)動(dòng)信號(hào)的上升沿和下降沿陡峭程度直接影響 MOS 管的開關(guān)速度，若上升沿和 下降沿過緩，會(huì)使 MOS 管在導(dǎo)通和關(guān)斷過程中處于中間狀態(tài)的時(shí)間過長(zhǎng)，增加開關(guān)損耗，降低 開關(guān)速度。因此，需要優(yōu)化驅(qū)動(dòng)信號(hào)，使其具有快速的上升沿和下降沿。