在2019年之前，中國在NAND閃存市場上的份額為0，沒產能也沒什么技術，長江存儲在去年9月份攻克了64層3D閃存，不過那時候比三星、東芝等公司還要落后兩代水平。

　　今天早上，長江存儲宣布了一個重磅消息——128層QLC 3D NAND 閃存(型號：X2-6070)研發成功，并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產品上通過驗證。

　　長江存儲之前就表態跳過96層堆棧，64層之后直接進入128層堆棧，現在不僅實現了之前的目標，同時128層的QLC閃存X2-6070擁有業內已知型號產品中最高單位面積存儲密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND 閃存芯片容量三個第一。

　　與之前的32層32Gb、64層256Gb的閃存相比，長江存儲的X2-6070閃存提升很大，但與國際水平相比如何呢?

　　根據Techinsihts的3D閃存路線圖及廠商的資料，三星的110+層(有128、136不同水平的)3D閃存核心容量可以做到QLC 1Tb，美光的128層、SK海力士的128層、Intel的144層QLC閃存也是1Tb核心容量，東芝/西數的112層BiCS 5技術的閃存堆棧可以做到QLC 1.33Tb容量，是此前已知最高的。

　　從容量上來說，長江存儲的X2-6070 QLC閃存與東芝/西數同級，比其他家的要高出33%。

　　除了容量之外，還要看性能，IO速度上X2-6070是1600Mbps，這是他們的Xtacking架構的優勢，速度堪比DDR內存，而三星的128層閃存速度是1200Mbps，西數、東芝的也是1200Mbps，其他家的IO速度沒有確切數據，估計也在1200Mbps左右。

　　所以在IO性能上，長江存儲的X2-6070閃存也是第一，這點比其他廠商是要領先的。

　　還有就單位面積存儲密度，只不過其他廠商目前還沒公布具體的核心面積數據，長江存儲也一樣，沒有公開資料對比，但從單顆容量來看長江存儲還是有底氣的。

　　總之，從技術指標上來說，長江存儲的X2-6070閃存是國產閃存首次進入第一梯隊，而且同時在容量、密度及性能上領先，意義重大。

　　不過話說回來，長江存儲的X2-6070閃存目前沒有量產，只是完成了技術研發，而三星、東芝、美光等公司今年會量產128層級別的3D閃存，在生產進度及產能上依然是領先的，這才是最關鍵的。

　　對長江存儲來說，目前的頭等大事依然是產能建設，今年初長江存儲科技有限責任公司副董事長楊道虹表示他們研發的64層閃存已經在去年量產，將盡早達成64層三維閃存產品月產能10萬片并按期建成30萬片/月產能。

　　長江存儲今年底的產能將達到6萬片晶圓/月，相比去年有8-10倍的增加，但與全球閃存芯片每月產能約為130萬片晶圓相比，今年內國產閃存的產能占比不過3%而已，改變不了大局。

　　據業界分析師的表態，長江存儲真正能夠參與全球閃存市場競爭，并且對市場生產一定影響要到2021年，也就是至少一年半之后，國產閃存才有跟三星東芝等6大閃存原廠較勁的資格。

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