Polos光刻機在微機械加工中表現outstanding。其亞微米分辨率可制造80 μm直徑的開環諧振器和2 μm叉指電極,適用于傳感器與執行器開發。結合雙光子聚合技術(如Nanoscribe系統),用戶還能擴展至3D微納結構打印,為微型機器人及光學元件提供多尺度制造方案。無掩模光刻技術可以隨意進行納米級圖案化,無需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒有任何妥協的情況下,將該技術帶到了桌面上,進一步提升了其優勢。光學超材料突破:光子晶體結構precise制造,賦能超透鏡與隱身技術研究。吉林德國POLOS桌面無掩模光刻機MAX層厚可達到10微米
針對碳化硅(SiC)功率模塊的柵極刻蝕難題,Polos 光刻機的激光直寫技術實現了 20nm 的邊緣粗糙度控制,較傳統光刻膠工藝提升 5 倍。某新能源汽車芯片廠商利用該設備,將 SiC MOSFET 的導通電阻降低 15%,開關損耗減少 20%,推動車載逆變器效率突破 99%。其靈活的圖案編輯功能支持快速驗證新型柵極結構,使器件研發周期從 12 周壓縮至 4 周,助力我國在第三代半導體領域實現彎道超車。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術,用于在基板上以高精度和高分辨率創建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件,開發出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成,操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統占用空間小,非常適合研究實驗室,并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統等各個領域。該系統的經濟高效性使其優勢擴展到大學研究實驗室以外的領域,為半導體和醫療公司提供了利用其功能的機會。河北PSP光刻機讓你隨意進行納米圖案化Polos-BESM XL:加大加工幅面,滿足中尺寸器件一次性成型需求。
無掩模激光光刻:科研效率的revolution性提升!Polos-BESM系列采用無掩模激光直寫技術,用戶可通過軟件直接輸入任意圖案,省去傳統光刻中掩膜制備的高昂成本與時間。其405 nm紫外光源和亞微米分辨率(most小線寬0.8 μm)支持5英寸晶圓的高精度加工,特別適合實驗室快速原型開發。閉環自動對焦系統(1秒完成)和半自動多層對準功能,remarkable提升微流體芯片和MEMS器件的研發效率62。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術,用于在基板上以高精度和高分辨率創建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件,開發出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成,操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統占用空間小,非常適合研究實驗室,并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統等各個領域。該系統的經濟高效性使其優勢擴展到大學研究實驗室以外的領域,為半導體和醫療公司提供了利用其功能的機會。
無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術,用于在基板上以高精度和高分辨率創建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件,開發出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成,操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統占用空間小,非常適合研究實驗室,并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統等各個領域。該系統的經濟高效性使其優勢擴展到大學研究實驗室以外的領域,為半導體和醫療公司提供了利用其功能的機會。固態電池:鋰金屬界面阻抗降至 50Ω?cm2,電池循環壽命提升 3 倍。
某智能機器人實驗室采用 Polos 光刻機制造了磁控微納機器人。其激光直寫技術在鎳鈦合金薄膜上刻制出 10μm 的螺旋槳結構,機器人在旋轉磁場下的推進速度達 50μm/s,轉向精度小于 5°。通過自定義三維運動軌跡,該機器人在微流控芯片中成功實現了單個紅細胞的捕獲與轉運,操作成功率從傳統方法的 40% 提升至 85%。其輕量化設計(質量 < 1μg)還支持在活細胞表面進行納米級手術,相關成果入選《Science Robotics》年度創新技術。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術,用于在基板上以高精度和高分辨率創建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件,開發出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成,操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統占用空間小,非常適合研究實驗室,并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統等各個領域。該系統的經濟高效性使其優勢擴展到大學研究實驗室以外的領域,為半導體和醫療公司提供了利用其功能的機會。跨學科應用:覆蓋微機械、光子晶體、仿生傳感器與納米材料合成領域。安徽德國BEAM光刻機讓你隨意進行納米圖案化
空間友好設計:占地面積小于 1.2㎡,小型實驗室也能部署高精度光刻系統。吉林德國POLOS桌面無掩模光刻機MAX層厚可達到10微米
某集成電路實驗室利用 Polos 光刻機開發了基于相變材料的存算一體芯片。其激光直寫技術在二氧化硅基底上實現了 100nm 間距的電極陣列,器件的讀寫速度達 10ns,較傳統 SRAM 提升 100 倍。通過在電極間集成 20nm 厚的 Ge2Sb2Te5 相變材料,芯片實現了計算與存儲的原位融合,能效比達 1TOPS/W,較傳統馮?諾依曼架構提升 1000 倍。該技術被用于邊緣計算設備,使圖像識別延遲從 50ms 縮短至 5ms,相關芯片已進入小批量試產階段。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術,用于在基板上以高精度和高分辨率創建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件,開發出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成,操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統占用空間小,非常適合研究實驗室,并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統等各個領域。該系統的經濟高效性使其優勢擴展到大學研究實驗室以外的領域,為半導體和醫療公司提供了利用其功能的機會。吉林德國POLOS桌面無掩模光刻機MAX層厚可達到10微米
Polos-BESM支持GDS文件直接導入和多層曝光疊加,簡化射頻器件(如IDC電容器)制造流程。研究團隊利用類似設備成功制備高頻電路元件,驗證了其在5G通信和物聯網硬件中的潛力。其高重復性(0.1 μm)確保科研成果的可轉化性,助力國產芯片產業鏈突破技術封鎖56。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術,用于在基板上以高精度和高分辨率創建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件,開發出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成,操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統占用空間小,非常適合研究實驗室,并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統...