SPS POLOS μ以桌面化設計降低設備投入成本，無需掩膜制備費用。其光束引擎通過壓電驅動快速掃描，單次寫入區域達400 μm，支持光刻膠如AZ5214E的高效曝光。研究案例顯示，該設備成功制備了間距3 μm的微圖案陣列和叉指電容器，助力納米材料與柔性電子器件的快速原型驗證。無掩模光刻技術可以隨意進行納米級圖案化，無需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒有任何妥協的情況下，將該技術帶到了桌面上，進一步提升了其優勢。德國工藝：精密制造基因，10 年以上使用壽命，維護成本低，設備殘值率達 60%。重慶德國POLOS光刻機分辨率1.5微米

德國 Polos 光刻機系列以其緊湊的設計，在有限的空間內發揮著巨大作用。對于研究實驗室，尤其是空間資源緊張的高校和初創科研機構來說，設備的空間占用是重要考量因素。Polos 光刻機占用空間小的特點，使其能夠輕松融入各類實驗室環境。? 盡管體積小巧，但它的性能卻毫不遜色。無掩模激光光刻技術保障了高精度的圖案制作，低成本的優勢降低了科研投入門檻。在小型實驗室中，科研人員使用 Polos 光刻機，在微流體、電子學等領域開展研究，成功取得多項成果。從微納結構制造到新型器件研發，Polos 光刻機證明了小空間也能蘊藏大能量，為科研創新提供有力支持。廣東POLOSBEAM-XL光刻機MAX基材尺寸4英寸到6英寸德國技術基因：融合精密光學與自動化控制，確保設備高穩定性與長壽命。

超表面通過納米結構調控光場，傳統電子束光刻成本高昂且效率低下。Polos 光刻機的激光直寫技術在石英基底上實現了亞波長量級的圖案曝光，將超表面器件制備成本降低至傳統方法的 1/5。某光子學實驗室利用該設備，研制出寬帶消色差超表面透鏡，在 400-1000nm 波長范圍內成像誤差小于 5μm。其靈活的圖案編輯功能還支持實時優化結構參數，使器件研發周期從數周縮短至 24 小時，推動超表面技術從理論走向集成光學應用。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統等各個領域。該系統的經濟高效性使其優勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和醫療公司提供了利用其功能的機會。

某材料實驗室利用 Polos 光刻機的亞微米級圖案化能力，在鋁合金表面制備出仿荷葉結構的超疏水涂層。其激光直寫技術在 20μm 間距的微柱陣列上疊加 500nm 的納米脊，使材料表面接觸角達 165°，滾動角小于 3°。該涂層在海水環境中浸泡 30 天后，防腐蝕性能較未處理表面提升 10 倍。其靈活的圖案編輯功能還支持在同一樣品上實現超疏水與超親水區域的任意組合，被用于微流控芯片的液滴定向輸運，液滴驅動電壓降低至傳統方法的 1/3。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統等各個領域。該系統的經濟高效性使其優勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和醫療公司提供了利用其功能的機會。圖案靈活性：支持 STL 模型直接導入，30 分鐘完成從設計到曝光全流程。

低成本桌面化光刻：SPS POLOS μ的科研普惠！Polos系列在微流體領域實現復雜3D流道結構的快速成型。例如，中科院理化所利用類似技術制備跨尺度微盤陣列，研究細胞浸潤行為，為組織工程提供新策略3。Polos的高精度與靈活性支持仿生結構批量生產，推動醫療診斷芯片研發，如tumor篩查與藥物遞送系統的微型化64。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統等各個領域。該系統的經濟高效性使其優勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和醫療公司提供了利用其功能的機會。工業4.0協同創新：與弗勞恩霍夫ILT合作優化激光能量分布，提升制造精度。江蘇POLOSBEAM光刻機MAX層厚可達到10微米

能源收集：微型壓電收集器效率 35%，低頻振動發電支持無源物聯網。重慶德國POLOS光刻機分辨率1.5微米

某半導體實驗室采用 Polos 光刻機開發氮化鎵（GaN）基高電子遷移率晶體管（HEMT）。其激光直寫技術在藍寶石襯底上實現了 50nm 柵極長度的precise曝光，較傳統光刻工藝線寬偏差降低 60%。通過自定義多晶硅柵極圖案，器件的電子遷移率達 2000 cm2/(V?s)，擊穿電壓提升至 1200V，遠超商用產品水平。該技術還被用于 SiC 基功率器件的臺面刻蝕，刻蝕深度均勻性誤差小于 ±3%，助力我國新能源汽車電控系統core器件的國產化突破。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統等各個領域。該系統的經濟高效性使其優勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和醫療公司提供了利用其功能的機會。重慶德國POLOS光刻機分辨率1.5微米