I類陶瓷電容器按照美國電工協會(EIA)的標準，是C0G(數字0，不是字母O，部分文件筆誤COG)或NP0(數字0，不是字母O，部分文件筆誤NPO)，以及中國標準CC系列等各類陶瓷介質(溫度系數為030ppm/)，極其穩定，溫度系數極低，不會出現老化現象和損耗因子。這種介質非常適用于高頻(特別是用于工業高頻感應加熱、高頻無線傳輸等應用的高頻電力電容器)、超高頻以及對電容和穩定性有嚴格要求的定時和振蕩電路的工作環境。這種介質電容的缺點就是電容不能做得很大(因為介電系數比較小)。通常情況下，1206表貼C0G介質電容的電容范圍為0.5pf至0.01f。鋁電解電容器由于在負荷工作過程中電解液不斷修補并增厚陽極氧化膜（稱為補形效應），會導致電容量的下降。泰州貼片電感

隨著頻率的升高，容抗下降、感抗上升，容抗等于感抗并相互抵消時的頻率為鋁電解電容器的諧振頻率，這時的阻抗比較低，只剩下ESR。如果ESR為零，則這時的阻抗也為零；頻率繼續上升，感抗開始大于容抗，當感抗接近于ESR時，阻抗頻率特性開始上升，呈感性，從這個頻率開始以上的頻率下電容器時間上就是一個電感。由于制造工藝的原因，電容量越大，寄生電感也越大，諧振頻率也越低，電容器呈感性的頻率也越低。這就要求它在開關穩壓電源的工作頻段內要有低的等效阻抗，同時，對于電源內部，由于半導體器件開始工作所產生高達數百千赫的尖峰噪聲，亦能有良好的濾波作用，一般低頻用普通電解電容器在10kHz左右，其阻抗便開始呈現感性，無法滿足開關電源使用要求。北京高壓陶瓷電容器生產廠家MLCC由于其內部結構的優勢，其ESR和ESL都具備獨特優勢。所以陶瓷電容具備更好的高頻特性。

當電容器的內部連接性能惡化或失效時，通常會出現開路。電氣連接的惡化可能是由腐蝕、振動或機械應力引起的。鋁電解電容器在高溫或濕熱環境下工作時，陽極引出箔可能因電化學腐蝕而斷裂。陽極引出箔與陽極箔接觸不良也會造成電容器間歇性開路。1)在工作初期，鋁電解電容器的電解液在負載工作過程中會不斷修復和增厚陽極氧化膜(稱為填形效應)，導致電容下降。2)在使用后期，由于電解液損耗大，溶液變稠，電阻率增大，增加了等效串聯電阻和電解液損耗。同時，隨著溶液粘度的增加，鋁箔表面不均勻的氧化膜難以充分接觸，減少了電解電容器的有效極板面積，導致電容量下降。此外，在低溫下工作時，電解液的粘度也會增加，導致電解電容損耗增加，電容下降。

紋波電流容差影響電解電容器性能的較重要參數之一是紋波電流。紋波電流對鋁電解電容器的影響主要是由于功耗對ESR的影響，使鋁電解電容器發熱，從而縮短使用壽命。從特性曲線(圖2)可以看出，紋波電流對ESR造成的損耗與紋波電流有效值的平方成正比，所以隨著紋波電流的增加，小時壽命曲線類似于拋物線函數曲線。降低紋波電流的方法可以采用更大容量的鋁電解電容器。畢竟大容量鋁電解電容器比小容量鋁電解電容器能承受更大的紋波電流。也可以采用幾個小容量鋁電解電容并聯，也可以選擇低紋波電流的電路拓撲。一般來說，反激變換器產生的開關電流相對比較大。表1顯示了各種開關轉換器電路拓撲結構的濾波電容上的DC電流、整流和濾波紋波電流、開關電流和總紋波電流。MLCC的結構主要包括三大部分：陶瓷介質，內電極，外電極。

一般來說，它是一個去耦電容。或者數字電路通斷時，對電源影響很大，造成電源波動，需要用電容去耦。通常，容量是芯片開關頻率的倒數。如果頻率為1MHz，選擇1/1M，即1uF。你可以拿一個大一點的。比較好有芯片和去耦電容，電源處應該有，用的量還是蠻大的。在一般設計中，提到通常使用0.1uF和10uF、2.2uF和47uF進行電源去耦。在實際應用中如何選擇它們？根據不同的功率輸出或后續電路？通常并聯兩個電容就夠了，但在某些電路中并聯更多的電容可能會更好。不同電容值的電容器并聯可以在很寬的頻率范圍內保證較低的交流阻抗。在運算放大器的電源抑制(PSR)能力下降的頻率范圍內，電源旁路尤為重要。電容可以補償放大器PSR的下降。在很寬的頻率范圍內，這種低阻路徑可以保證噪聲不進入芯片。大容量低耐壓鉭電容的替代產品：高分子聚合物固體鋁電解電容器。上海高頻陶瓷電容

鋁電解電容是電容中非常常見的一種。泰州貼片電感

陶瓷電容器的起源：1900年，意大利人L.longbadi發明了陶瓷介質電容器。20世紀30年代末，人們發現在陶瓷中加入鈦酸鹽可以使介電常數加倍，從而制造出更便宜的陶瓷介質電容器。1940年左右，人們發現陶瓷電容器的主要原料BaTiO3(鈦酸鋇)具有絕緣性，隨后陶瓷電容器開始用于尺寸小、精度要求高的電子設備中。陶瓷疊層電容器在1960年左右開始作為商品開發。到1970年，隨著混合集成電路、計算機和便攜式電子設備的發展，它迅速發展起來，成為電子設備中不可缺少的一部分。目前，陶瓷介質電容器的總數量約占電容器市場的70%。泰州貼片電感