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電容基本參數
  • 品牌
  • 芯聲
  • 型號
  • 齊全
  • 介質材料
  • 高頻瓷介,半導體瓷,低頻瓷介
  • 工作電壓
  • 高壓,中壓,低壓
  • 用途
  • 諧振,溫度補償,旁路,濾波,隔直流,耦合,放大信
  • 調節方式
  • 固定,微調,可變
  • 廠家
  • 江蘇芯聲微電子科技有限公司
電容企業商機

電容允許偏差:這個上期我們講安規電容的作用時又提起過,顧名思義,這就是電容的較大允許偏差范圍。常用的容量誤差為:J表示允許偏差±5%,K表示允許偏差±10%,M表示允許偏差±20%。額定工作電壓:在電路中能長時間穩定、可靠地工作,并能承受較大直流電壓,也叫耐壓。對結構、容量一樣的電子器件,耐壓越高,體積越大。損耗:貼片陶瓷電容在電場的作用下,由于每單位時間產生熱量而消耗能量。這種損失主要來源于介質損失和金屬損失。一般都是以損耗角正切值表示的。上述就是關于貼片陶瓷電容的一些基本常識,想要了解更多電容相關咨詢的,可關注江蘇芯聲微電子科技。MLCC具有體積小、容量大、機械強度高、耐濕性好、內感小、高頻特性好、可靠性高等一系列優點。無錫溫度補償型電容

無錫溫度補償型電容,電容

MLCC是陶瓷電容器的一種,也可稱為片式電容器、多層電容器、多層電容器等。MLCC是由印刷電極(內電極)交錯堆疊的陶瓷介質膜,經一次高溫燒結形成陶瓷電子元件,再在電子元件兩端封上金屬層(外電極),形成單片結構,故也可稱為單片電容器。簡單平行板電容器的基本結構是由一個絕緣的中間介質層加上兩個外部導電的金屬電極組成,而MLCC的結構主要包括三部分:陶瓷介質、金屬內電極和金屬外電極。在結構上,MLCC是一個多層層壓結構。簡單來說就是幾個簡單平行板電容的平行體。無錫溫度補償型電容鋁電解電容是電容中非常常見的一種。

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紋波電流容差影響電解電容器性能的較重要參數之一是紋波電流。紋波電流對鋁電解電容器的影響主要是由于功耗對ESR的影響,使鋁電解電容器發熱,從而縮短使用壽命。從特性曲線(圖2)可以看出,紋波電流對ESR造成的損耗與紋波電流有效值的平方成正比,所以隨著紋波電流的增加,小時壽命曲線類似于拋物線函數曲線。降低紋波電流的方法可以采用更大容量的鋁電解電容器。畢竟大容量鋁電解電容器比小容量鋁電解電容器能承受更大的紋波電流。也可以采用幾個小容量鋁電解電容并聯,也可以選擇低紋波電流的電路拓撲。一般來說,反激變換器產生的開關電流相對比較大。表1顯示了各種開關轉換器電路拓撲結構的濾波電容上的DC電流、整流和濾波紋波電流、開關電流和總紋波電流。

陶瓷電容的‘嘯叫’現象,其振動變化只有1pm~1nm左右,是壓電應用產品的1/10到幾十倍,非常小。因此,我們可以判斷這種現象對單片陶瓷電容器及周邊元器件的影響,不存在可靠性問題。MLCC電容器的嘯叫主要是由陶瓷的壓電效應引起的。MLCC電容器由于其特殊的結構,當兩端施加的電場發生變化時,可以引起機械應力的比例變化,這就是逆壓電效應。當振動頻率落在人的聽覺范圍內時,就會產生噪聲,這種噪聲稱為“嘯叫”。正壓電效應則相反,是在力的作用下產生電場的過程。MLCC的結構主要包括三大部分:陶瓷介質,內電極,外電極。

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陶瓷電容器的起源:1900年,意大利人L.longbadi發明了陶瓷介質電容器。20世紀30年代末,人們發現在陶瓷中加入鈦酸鹽可以使介電常數加倍,從而制造出更便宜的陶瓷介質電容器。1940年左右,人們發現陶瓷電容器的主要原料BaTiO3(鈦酸鋇)具有絕緣性,隨后陶瓷電容器開始用于尺寸小、精度要求高的電子設備中。陶瓷疊層電容器在1960年左右開始作為商品開發。到1970年,隨著混合集成電路、計算機和便攜式電子設備的發展,它迅速發展起來,成為電子設備中不可缺少的一部分。目前,陶瓷介質電容器的總數量約占電容器市場的70%。當鋁電解電容在高溫或潮熱的環境中工作時,陽極引出箔片可能會由于遭受電化學腐蝕而斷裂。揚州壓電陶瓷電容品牌

鉭電容也屬于電解電容的一種,使用金屬鉭做介質,不像普通電解電容那樣使用電解液。無錫溫度補償型電容

疊層印刷技術(多層介質薄膜疊層印刷),如何在零八零五、零六零三、零四零二等小尺寸基礎上制造更高電容值的MLCC一直是MLCC業界的重要課題之一,近幾年隨著材料、工藝和設備水平的不斷改進提高,日本公司已在2μm的薄膜介質上疊1000層工藝實踐,生產出單層介質厚度為1μm的100μFMLCC,它具有比片式鉭電容器更低的ESR值,工作溫度更寬(-55℃-125℃)。表示國內MLCC制作較高水平的風華高科公司能夠完成流延成3μm厚的薄膜介質,燒結成瓷后2μm厚介質的MLCC,與國外先進的疊層印刷技術還有一定差距。當然除了具備可以用于多層介質薄膜疊層印刷的粉料之外,設備的自動化程度、精度還有待提高。無錫溫度補償型電容

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