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瞬態(tài)電壓抑制二極管用萬(wàn)用表測(cè)量管子的好壞對(duì)于單要極型的TVS，按照測(cè)量普通二極管的方法，可測(cè)出其正、反向電阻，一般正向電阻為4kΩ左右，反向電阻為無(wú)窮大。 [8]對(duì)于雙向極型的瞬態(tài)電壓抑制二極管，任意調(diào)換紅、黑表筆測(cè)量其兩引腳間的電阻值均應(yīng)為無(wú)窮大，否則，說(shuō)明管子性能不良或已經(jīng)損壞。 [8]高頻變阻二極管識(shí)別正、負(fù)極高頻變阻二極管與普通二... 【查看詳情】

安秒特性：熔斷器的動(dòng)作是靠熔體的熔斷來(lái)實(shí)現(xiàn)的，熔斷器有個(gè)非常明顯的特性，就是安秒特性。熔斷器（圖6）對(duì)熔體來(lái)說(shuō)，其動(dòng)作電流和動(dòng)作時(shí)間特性即熔斷器的安秒特性，也叫反時(shí)延特性，即：過(guò)載電流小時(shí)，熔斷時(shí)間長(zhǎng)；過(guò)載電流大時(shí)，熔斷時(shí)間短。對(duì)安秒特性的理解，我們從焦耳定律上可以看到Q=I2*R*T，串聯(lián)回路里，熔斷器的R值基本不變，發(fā)熱量與電流I的平... 【查看詳情】

絕緣柵雙極晶體管（Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT）綜合了電力晶體管（Giant Transistor—GTR）和電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Power MOSFET）的優(yōu)點(diǎn)，具有良好的特性，應(yīng)用領(lǐng)域很***；IGBT也是三端器件：柵極，集電極和發(fā)射極。絕緣柵雙極晶體管（Insulate-Gate Bipo... 【查看詳情】

面接觸型二極管是一種特制的硅二極管，它不僅能通過(guò)較大的電流，而且性能穩(wěn)定可靠，多用于開(kāi)關(guān)、脈沖及低頻電路中。面接觸型二極管是二極管中的一種。二極管種類(lèi)有很多，按照所用的半導(dǎo)體材料，可分為鍺二極管（Ge管）和硅二極管（Si管）。根據(jù)其不同用途，可分為檢波二極管、整流二極管、穩(wěn)壓二極管、開(kāi)關(guān)二極管等。按照管芯結(jié)構(gòu)，又可分為點(diǎn)接觸型二極管、面接... 【查看詳情】

這種器件在電路中能夠?qū)崿F(xiàn)交流電的無(wú)觸點(diǎn)控制，以小電流控制大電流，具有無(wú)火花、動(dòng)作快、壽命長(zhǎng)、可靠性高以及簡(jiǎn)化電路結(jié)構(gòu)等優(yōu)點(diǎn)。從外表上看，雙向可控硅和普通可控硅很相似，也有三個(gè)電極。但是，它除了其中一個(gè)電極G仍叫做控制極外，另外兩個(gè)電極通常卻不再叫做陽(yáng)極和陰極，而統(tǒng)稱(chēng)為主電極Tl和T2。它的符號(hào)也和普通可控硅不同，是把兩個(gè)可控硅反接在一起畫(huà)... 【查看詳情】

熔斷器的選擇主要依據(jù)負(fù)載的保護(hù)特性和短路電流的大小選擇熔斷器的類(lèi)型。對(duì)于容量小的電動(dòng)機(jī)和照明支線，常采用熔斷器作為過(guò)載及短路保護(hù)，因而希望熔體的熔化系數(shù)適當(dāng)小些。通常選用鉛錫合金熔體的RQA系列熔斷器。對(duì)于較大容量的電動(dòng)機(jī)和照明干線，則應(yīng)著重考慮短路保護(hù)和分?jǐn)嗄芰ΑＭǔ＿x用具有較高分?jǐn)嗄芰Φ腞M10和RL1系列的熔斷器；當(dāng)短路電流很大時(shí)，... 【查看詳情】

當(dāng)晶閘管在正向陽(yáng)極電壓下，從門(mén)極G流入電流Ig,由于足夠大的Ig流經(jīng)NPN管的發(fā)射結(jié)，從而提高起點(diǎn)流放大系數(shù)a2,產(chǎn)生足夠大的極電極電流Ic2流過(guò)PNP管的發(fā)射結(jié)，并提高了PNP管的電流放大系數(shù)a1,產(chǎn)生更大的極電極電流Ic1流經(jīng)NPN管的發(fā)射結(jié)。這樣強(qiáng)烈的正反饋過(guò)程迅速進(jìn)行。當(dāng)a1和a2隨發(fā)射極電流增加而（a1+a2）≈1時(shí)，式（1—1... 【查看詳情】

安秒特性：熔斷器的動(dòng)作是靠熔體的熔斷來(lái)實(shí)現(xiàn)的，熔斷器有個(gè)非常明顯的特性，就是安秒特性。熔斷器（圖6）對(duì)熔體來(lái)說(shuō)，其動(dòng)作電流和動(dòng)作時(shí)間特性即熔斷器的安秒特性，也叫反時(shí)延特性，即：過(guò)載電流小時(shí)，熔斷時(shí)間長(zhǎng)；過(guò)載電流大時(shí)，熔斷時(shí)間短。對(duì)安秒特性的理解，我們從焦耳定律上可以看到Q=I2*R*T，串聯(lián)回路里，熔斷器的R值基本不變，發(fā)熱量與電流I的平... 【查看詳情】

雙向可控硅的相位控制與單向可控硅很類(lèi)似,但因雙向可控硅能雙向?qū)?在正負(fù)半周均能觸發(fā),可作為全波功率控制之用.因此雙向可控硅除具有單向可控硅的優(yōu)點(diǎn),更方便交流功率控制。右圖(a)為雙向可控硅相位控制電路à電子技術(shù)中,常把交流電的半個(gè)周期定為180°，稱(chēng)為電角度。這樣,在交流電的正、負(fù)半周,從規(guī)定時(shí)刻(通常為零值)，開(kāi)始到觸發(fā)脈沖到來(lái)瞬間所... 【查看詳情】

1947年12月，美國(guó)貝爾實(shí)驗(yàn)室的肖克利、巴丁和布拉頓組成的研究小組，研制出一種點(diǎn)接觸型的鍺晶體管。晶體管的問(wèn)世，是20世紀(jì)的一項(xiàng)重大發(fā)明，是微電子**的先聲。晶體管出現(xiàn)后，人們就能用一個(gè)小巧的、消耗功率低的電子器件，來(lái)代替體積大、功率消耗大的電子管了。晶體管的發(fā)明又為后來(lái)集成電路的誕生吹響了號(hào)角。20世紀(jì)**初的10年，通信系統(tǒng)已開(kāi)始應(yīng)... 【查看詳情】

點(diǎn)接觸型二極管是在鍺或硅材料的單晶片上壓觸一根金屬針后，再通過(guò)電流法而形成的。因此，其PN結(jié)的靜電容量小，適用于高頻電路。點(diǎn)接觸型與面結(jié)型相比，較少使用于大電流和整流。因?yàn)闃?gòu)造簡(jiǎn)單，所以價(jià)格便宜。對(duì)于小信號(hào)的檢波、整流、調(diào)制、混頻和限幅等一般用途而言，它是應(yīng)用范圍較廣的類(lèi)型。一般用點(diǎn)接觸型二極管這種二極管正如標(biāo)題所說(shuō)的那樣，通常被使用于檢... 【查看詳情】

高傳導(dǎo)點(diǎn)接觸型二極管它與高反向電阻型相反。其反向特性盡管很差，但使正向電阻變得足夠小。對(duì)高傳導(dǎo)點(diǎn)接觸型二極管而言，有SD56、1N56A等等。對(duì)高傳導(dǎo)鍵型二極管而言，能夠得到更優(yōu)良的特性。這類(lèi)二極管，在負(fù)荷電阻特別低的情況下，整流效率較高。 在開(kāi)關(guān)電源中,所需的整流二極管必須具有正向壓降低,快速恢復(fù)的特點(diǎn),還應(yīng)具有足夠的輸出功率,可以使用... 【查看詳情】