△V(B)=V(B0)-V(BR)。一般△V(B)應小于2伏。雙向觸發二極管的正向轉折電壓值一般有三個等級:20-60V、100-150V、200-250V。由于轉折電壓都大于20V,可以用萬用表電阻擋正反向測雙向二極管,表針均應不動(RX10k),但還不能完全確定它就是好的。檢測它的好壞,并能提供大于250V的直流電壓的電源,檢測時通過... 【查看詳情】
IGBT功率模塊采用IC驅動,各種驅動保護電路,高性能IGBT芯片,新型封裝技術,從復合功率模塊PIM發展到智能功率模塊IPM、電力電子積木PEBB、電力模塊IPEM。PIM向高壓大電流發展,其產品水平為1200—1800A/1800—3300V,IPM除用于變頻調速外,600A/2000V的IPM已用于電力機車VVVF逆變器。平面低電感... 【查看詳情】
在電子技術中常用的數碼管,發光二極管的原理與光電二極管相反。當發光二極管正向偏置通過電流時會發出光來,這是由于電子與空穴直接復合時放出能量的結果。它的光譜范圍比較窄,其波長由所使用的基本材料而定。 [4]用來表示二極管的性能好壞和適用范圍的技術指標,稱為二極管的參數。不同類型的二極管有不同的特性參數。 [4]伏安特性二極管具有單向導電性,... 【查看詳情】
ISO-8820和QC/T420-2004等標準中將它定義為:接于電路中,當電流超過規定值和規定的時間時,使電路斷開的熔斷式保護器件。熔斷器是一個熱能響應器件,熔斷器中的熔片或熔絲是用電阻率較高的易熔合金制成,或用截面積較小的良導體制成。為了保護線束及其它設備,它被有意設計和制造成線路中**弱的一部分,線路在正常工作情況下,熔斷器中的熔片... 【查看詳情】
當晶閘管在正向陽極電壓下,從門極G流入電流Ig,由于足夠大的Ig流經NPN管的發射結,從而提高起點流放大系數a2,產生足夠大的極電極電流Ic2流過PNP管的發射結,并提高了PNP管的電流放大系數a1,產生更大的極電極電流Ic1流經NPN管的發射結。這樣強烈的正反饋過程迅速進行。當a1和a2隨發射極電流增加而(a1+a2)≈1時,式(1—1... 【查看詳情】
2、熔斷器參數確定通常熔斷器的額定電流值是基于環境溫度23±5 ℃時的值,為了滿足電動汽車實際工況要求,需要對額定電流值進行修正。可允許的比較大連續負載電流可以用以下公式進行計算Ib=In·Kt·Ke·Kv·Kf·Kb(1)式 中:Ib———可允許的比較大連續負載電流;In———熔斷器的額定電流;Kt———溫度校正因數;Ke———連接器件... 【查看詳情】
Philips公司的產品型號前綴為“BTA”字頭的,通常是指三象限的雙向可控硅。而意法ST公司,則以“BT”字母為前綴來命名元件的型號并且在“BT”后加“A”或“B”來表示絕緣與非絕緣組合成:“BTA”、“BTB”系列的雙向可控硅型號,如:三象限/絕緣型/雙向可控硅:BTA06-600C、BTA12-600B、BTA16-600B、BTA... 【查看詳情】
由于IGBT模塊為MOSFET結構,IGBT的柵極通過一層氧化膜與發射極實現電隔離。由于此氧化膜很薄,其擊穿電壓一般達到20~30V。因此因靜電而導致柵極擊穿是IGBT失效的常見原因之一。 因此使用中要注意以下幾點:1. 在使用模塊時,盡量不要用手觸摸驅動端子部分,當必須要觸摸模塊端子時,要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進行放電后,再... 【查看詳情】
快速熔斷器的特性反時限電流保護特性。熔斷器具有反時延特性,即過載電流小時,熔斷時間長;過載電流大時,熔斷時間短。所以,在一定過載電流和過載時間范圍內,熔斷器是不會熔斷的,可連續使用。熔斷器有各種不同的熔斷特性曲線,可以適用于不同類型保護對象的需要。限流特性由于快速熔斷器的熔體為具有一系列圓孔狹頸的矩形薄片,且充有石英砂滅弧介質 [1]。圓... 【查看詳情】
這個實驗告訴我們,要使晶閘管導通,一是在它的陽極A與陰極K之間外加正向電壓,二是在它的控制極G與陰極K之間輸入一個正向觸發電壓。晶閘管導通后,松開按鈕開關,去掉觸發電壓,仍然維持導通狀態。晶閘管特點“一觸即發”。但是,如果陽極或控制極外加的是反向電壓,晶閘管就不能導通。控制極的作用是通過外加正向觸發脈沖使晶閘管導通,卻不能使它關斷。那么,... 【查看詳情】
2023年5月,新加坡—麻省理工學院研究與技術聯盟的科學家開發了世界上**小的LED。 發光二極管簡稱為LED。由含鎵(Ga)、砷(As)、磷(P)、氮(N)等的化合物制成。當電子與空穴復合時能輻射出可見光,因而可以用來制成發光二極管。在電路及儀器中作為指示燈,或者組成文字或數字顯示。砷化鎵二極管發紅光,磷化鎵二極管發綠光,碳化硅二極管發... 【查看詳情】