表1 IGBT門極驅動條件與器件特性的關...
熔斷電流,指導線在熔斷時所能通過的比較大...
低壓熔斷器(low voltage fu...
2)能向IGBT提供足夠的反向柵壓。在I...
當外界有正向電壓偏置時,外界電場和自建電...
對于鍺二極管,開啟電壓為0.2V,導通電...
動態電阻二極管特性曲線靜態工作點附近電壓...
快速熔斷器的特性反時限電流保護特性。熔斷...
IGBT的開關作用是通過加正向柵極電壓形...
△V(B)=V(B0)-V(BR)。一般...
可控硅是可控硅整流元件的簡稱,是一種具有...
快速熔斷器的特性反時限電流保護特性。熔斷...