電壓測方法可控硅為什么其有“以小控大”的...
IGBT 的伏安特性是指以柵源電壓Ugs...
基片的應用在管體的P+和N+ 區之間創建...
Rlimit =10~100Ω,C=10...
5、 維持電流IH 在規定溫度下,控制極...
螺旋式熔斷器由瓷帽、熔斷管、瓷套、上接線...
(4)變容電路在變容電路中常用變容二極管...
從晶閘管的內部分析工作過程:晶閘管是四層...
IGBT是強電流、高壓應用和快速終端設備...
熔斷電流,指導線在熔斷時所能通過的比較大...
發光二極管在很多領域得到普遍應用,下面介...
這次從穿通(PT)型技術先進到非穿通(N...